公开(公告)号：CN110890881B

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN201910837996.4

申请日：2019-09-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 江口佳佑 ,  井上贵公 ,  米山玲 ,  鱼田紫织 ,  村上晴彦

IPC: H03K17/16 ,  H03K17/567 ,  H03K17/687 ,  H01L25/18

Abstract: 提供可对施加于半导体元件两端的电压的时间变化率(dv/dt)进行调整，进行导通时的控制性和导通损耗的调整的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备：第一开关区域，其具有第一栅极电极，沟道电流与通过输入至第一栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制；第二开关区域，其具有第二栅极电极，沟道电流与通过输入至第二栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制，与第一开关区域并联连接；以及控制部，其向第一、第二栅极电极输出用于使第一、第二开关区域导通的控制信号，控制部在输出第一、第二控制信号而经过了第一规定期间后使第二控制信号的输出停止，在使第二控制信号的输出停止而经过了第二规定期间后输出所述第二控制信号。

公开(公告)号：CN115865063A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211137609.4

申请日：2022-09-19

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 江口佳佑 ,  宫崎贵将

IPC: H03K17/0812 ,  H03K17/567 ,  H03K17/687

Abstract: 得到能够提高开关元件的过电流检测精度的半导体装置。开关元件(1)具有主要部分(2)和用于对主要部分(2)的电流值进行检测的电流感测部(3)。控制IC(4)具有对开关元件(1)进行驱动的栅极驱动部(5)。感测电阻(7)连接在主要部分(2)的发射极与电流感测部(3)的发射极之间，形成于控制IC(4)的内部。比较器(8)将施加于感测电阻(7)的感测电压(Vs)与参考电压(Vref)进行比较。切断电路(9)在感测电压(Vs)超过参考电压(Vref)的情况下使开关元件(1)的通电切断。将开关元件(1)的通电切断时的感测电压(Vs)大于或等于1V。

公开(公告)号：CN114975340A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210133455.5

申请日：2022-02-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青木伸亲 ,  木村义孝 ,  江口佳佑

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367

Abstract: 得到能够低高度化并且保证绝缘性和刚性的半导体模块。在散热金属板(1)的上表面设置有凹部(2)。绝缘基板(3)设置于凹部(2)的底面，具有电路图案(6)。半导体元件(8)设置于绝缘基板(3)之上，与电路图案(6)连接。壳体(10)与散热金属板(1)的上表面的外周部接合，将绝缘基板(3)和半导体元件(8)包围。壳体电极(11)设置于壳体(10)。导线(12)将壳体电极(11)和半导体元件(8)连接。封装材料(14)设置于壳体(10)的内部，将绝缘基板(3)、半导体元件(8)和导线(12)封装。凹部(2)的侧壁具有锥部(16)。

公开(公告)号：CN118137784A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202311590699.7

申请日：2023-11-27

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 江口佳佑 ,  宫崎贵将

IPC: H02M1/00 ,  H02M7/00 ,  H02M7/42

Abstract: 涉及半导体装置及电路基板。目的在于提供能够减轻从输入至半导体装置的外部噪声受到的影响的技术。半导体装置(100)具有多个相的半导体元件(30、31、32、33、34、35)、各自对多个相的半导体元件(30、31、32、33、34、35)的驱动进行控制的多个相的控制IC(36、37、38、39)、针对各个相设置的与控制IC(36、37、38、39)连接的多个控制端子。在各相中，多个控制端子具有输入信号端子(2、6、10、14、15、16)、与将电力供给至控制IC(36、37、38、39)的控制电源(40、41、42、43)的正侧连接的控制电源正侧端子(3、7、11、17)、与控制电源(40、41、42、43)的基准电位连接的多个控制电源GND端子。

公开(公告)号：CN115223964A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210391309.2

申请日：2022-04-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 江口佳佑 ,  益本宽之

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L25/16 ,  H01L23/495 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 涉及半导体装置及其制造方法。目的在于提供在半导体装置中能够确保针对功率半导体芯片的散热性且实现小型化的技术。半导体装置具有：金属板(1)；绝缘图案(2)，设置于金属板(1)之上；功率电路图案(3a)及信号电路图案(3b)，设置于绝缘图案(2)之上；功率半导体芯片(5a～5f)，搭载于功率电路图案(3a)之上；以及控制半导体芯片(6a～6d)，搭载于信号电路图案(3b)之上，并且对功率半导体芯片(5a～5f)进行控制，功率半导体芯片(5a～5f)通过铜制的第一芯片键合材料(4a)与功率电路图案(3a)接合，控制半导体芯片(6a～6d)通过第二芯片键合材料(4b)与信号电路图案(3b)接合。

公开(公告)号：CN109103146A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810642931.X

申请日：2018-06-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 江口佳佑 ,  木村义孝 ,  山下秋彦

IPC: H01L23/053 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及半导体装置，目的是得到可提高可靠性的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：半导体元件；壳体，其包围该半导体元件；弹簧端子，其具有沿该壳体的侧面延伸至该壳体的上表面的第1连接部和在该壳体的上表面设置的第2连接部；以及控制基板，其设置在该第2连接部之上，该第1连接部固定于该壳体，与该半导体元件连接，该第2连接部具有第1端部和与该第1端部相反侧的第2端部，该第1端部与该第1连接部的位于该壳体的上表面侧的端部连接，该第2连接部为平板状，以该第1端部作为支点而具有弹性力，该第2端部以具有弹性力的状态与该控制基板接触，该第2连接部具有在沿长度方向的侧面设置有切口的缩颈构造。

公开(公告)号：CN113179038B

公开(公告)日：2024-09-17

申请号：CN202110002052.2

申请日：2021-01-04

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 江口佳佑

IPC: H02M7/5387 ,  H02M1/32 ,  H01L25/18

Abstract: 本发明的目的在于在半导体装置中抑制传导噪声。半导体装置(101)具有续流部(12)和全桥逆变器即逆变器部(11)，该续流部(12)将逆变器部(11)的输出端子(U‑V)之间短路，在上桥臂的各续流二极管(31、32)与输出端子(U、V)之间、以及下桥臂的各续流二极管(33、34)与逆变器部(11)的输入端子(N)之间具有阻抗(51‑54)，阻抗(51‑54)比假设仅通过配线将IGBT(21‑24)与输出端子(U、V)或者输入端子(N)连接的情况下的配线的寄生阻抗大。

公开(公告)号：CN111863743B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202010316374.X

申请日：2020-04-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 江口佳佑 ,  米山玲 ,  青木伸亲 ,  日高大树

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明的目的在于，提供对骤回动作进行抑制且散热性优异的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、表面电极、外部配线、多个晶体管部及多个二极管部。多个晶体管部和多个二极管部设置于半导体基板，且配置于与半导体基板的表面平行的一个方向。外部配线的接合部与表面电极接合。多个晶体管部和多个二极管部设置于半导体基板的俯视观察时的第1区域和第2区域。晶体管部和二极管部交替地配置于一个方向。第1区域处的第1晶体管宽度和第1二极管宽度比外部配线的接合部的宽度小。第2区域处的第2晶体管宽度和第2二极管宽度比外部配线的接合部的宽度大。

公开(公告)号：CN115206928A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210299597.9

申请日：2022-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫﨑贵将 ,  江口佳佑

IPC: H01L23/50 ,  H01L25/07

Abstract: 提供能够同时实现装置的长寿命化及小型化的具有多个半导体芯片的半导体装置。在RC‑IGBT芯片(1～3)之间，作为在X方向上具有相邻关系的一对RC‑IGBT芯片，是RC‑IGBT芯片(1)及(2)和RC‑IGBT芯片(2)及(3)。RC‑IGBT芯片(1)及(2)满足在Y方向上以打点区域(61)和打点区域(62)彼此不重复的方式分离配置的第1配置条件和在Y方向上以除了打点区域(61)及打点区域(62)之外的发射极电极的一部分重复的方式一部分重复配置的第2配置条件。RC‑IGBT芯片(2)及(3)也满足上述第1及第2配置条件。

公开(公告)号：CN109103146B

公开(公告)日：2021-09-21

申请号：CN201810642931.X

申请日：2018-06-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 江口佳佑 ,  木村义孝 ,  山下秋彦

IPC: H01L23/053 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及半导体装置，目的是得到可提高可靠性的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：半导体元件；壳体，其包围该半导体元件；弹簧端子，其具有沿该壳体的侧面延伸至该壳体的上表面的第1连接部和在该壳体的上表面设置的第2连接部；以及控制基板，其设置在该第2连接部之上，该第1连接部固定于该壳体，与该半导体元件连接，该第2连接部具有第1端部和与该第1端部相反侧的第2端部，该第1端部与该第1连接部的位于该壳体的上表面侧的端部连接，该第2连接部为平板状，以该第1端部作为支点而具有弹性力，该第2端部以具有弹性力的状态与该控制基板接触，该第2连接部具有在沿长度方向的侧面设置有切口的缩颈构造。