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公开(公告)号：CN111863743B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202010316374.X
申请日：2020-04-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L29/06 , H01L27/02 , H01L27/06
Abstract: 本发明的目的在于，提供对骤回动作进行抑制且散热性优异的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、表面电极、外部配线、多个晶体管部及多个二极管部。多个晶体管部和多个二极管部设置于半导体基板，且配置于与半导体基板的表面平行的一个方向。外部配线的接合部与表面电极接合。多个晶体管部和多个二极管部设置于半导体基板的俯视观察时的第1区域和第2区域。晶体管部和二极管部交替地配置于一个方向。第1区域处的第1晶体管宽度和第1二极管宽度比外部配线的接合部的宽度小。第2区域处的第2晶体管宽度和第2二极管宽度比外部配线的接合部的宽度大。
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公开(公告)号：CN116266696A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211591506.5
申请日：2022-12-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02H7/122 , H01L25/16 , H01L23/498 , H02H3/08 , H02M1/00
Abstract: 提供提高了过电流保护的精度的半导体功率模块。在封装件内安装有三相交流逆变器的半导体功率模块具有：第一至第三电路图案，分别搭载第二、第四及第六开关元件；第四电路图案，搭载第一、第三及第五开关元件；第二主电极，与第二、第四及第六开关元件各自的主电极配线共通地连接；第二主电极端子，与第二主电极连接；第一主电极，与第四电路图案电连接；以及第一主电极端子，与第一主电极连接，第二主电极沿封装件的一边延伸，第二主电极端子在俯视观察时设置于第二主电极的延伸方向上的端部，就第二、第四及第六开关元件各自的主电极配线而言，俯视观察时到第二主电极端子为止的水平方向上的距离越近的主电极配线则长度越长。
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公开(公告)号：CN114975340A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210133455.5
申请日：2022-02-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/367
Abstract: 得到能够低高度化并且保证绝缘性和刚性的半导体模块。在散热金属板(1)的上表面设置有凹部(2)。绝缘基板(3)设置于凹部(2)的底面，具有电路图案(6)。半导体元件(8)设置于绝缘基板(3)之上，与电路图案(6)连接。壳体(10)与散热金属板(1)的上表面的外周部接合，将绝缘基板(3)和半导体元件(8)包围。壳体电极(11)设置于壳体(10)。导线(12)将壳体电极(11)和半导体元件(8)连接。封装材料(14)设置于壳体(10)的内部，将绝缘基板(3)、半导体元件(8)和导线(12)封装。凹部(2)的侧壁具有锥部(16)。
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公开(公告)号：CN110880859B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910815710.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体模块及电力转换装置。本发明的目在于提供能够进行在启动过程中成为过电流等通电异常时的保护的转换器模块。半导体模块(101)具备：二极管桥接电路(11)；传感器(17)，其对二极管桥接电路(11)的电流值进行测量；电流限制电路(16)，其具有与二极管桥接电路(11)连接的IGBT(161)；以及保护电路(18)，其与由传感器(17)测量的二极管桥接电路(11)的电流值对应地对IGBT(161)的接通和断开进行切换。
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公开(公告)号：CN110880859A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910815710.2
申请日：2019-08-30
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及半导体模块及电力转换装置。本发明的目在于提供能够进行在启动过程中成为过电流等通电异常时的保护的转换器模块。半导体模块(101)具备：二极管桥接电路(11)；传感器(17)，其对二极管桥接电路(11)的电流值进行测量；电流限制电路(16)，其具有与二极管桥接电路(11)连接的IGBT(161)；以及保护电路(18)，其与由传感器(17)测量的二极管桥接电路(11)的电流值对应地对IGBT(161)的接通和断开进行切换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109585401A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811109994.5
申请日：2018-09-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/495
Abstract: 提供具有使内部端子部与壳体的密接性提高，使向内部端子部的导线键合性提高的端子嵌入壳体的半导体装置。本发明涉及的半导体装置设置：壳体(5)，其由树脂构成；嵌入端子(6)，其组装至壳体(5)，具有外部端子部(7)和内部端子部(8)，该外部端子部(7)的一端从壳体(5)露出，该内部端子部(8)相对于外部端子部(7)的另一端以L字形状弯曲，一个面从壳体(5)露出，与壳体(5)密接的锚固部(8b)构成该内部端子部(8)的一部分；以及键合导线(9)，其与内部端子部(8)的一个面接合。
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公开(公告)号：CN119920774A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202411498564.2
申请日：2024-10-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 青木伸亲
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H10D80/20
Abstract: 提供一种有效地对局部发热的部分进行冷却的半导体装置。半导体装置包含散热基材以及多个散热鳍片。散热基材对由半导体元件产生的热量进行散热。多个散热鳍片与散热基材的下表面接合，多个散热鳍片彼此并列地配置。半导体元件被保持于散热基材的上表面。多个散热鳍片各自包含沿一个方向延伸的带状的板材被反复弯折而形成的多个峰部。多个散热鳍片各自的剖面形状由于多个峰部各自具有左右不对称的形状而畸变。多个峰部具有彼此的间隔在多个散热鳍片各自的延伸方向上稀疏的疏区域和彼此的间隔在延伸方向上比该疏区域密的密区域。
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公开(公告)号：CN114121837A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202110959167.0
申请日：2021-08-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 目的在于提供能够高精度地对晶体管部的温度和二极管部的温度进行检测，实现过热保护功能的提高的半导体装置。半导体装置(100)具有：半导体芯片(50)，其具有由多个单元(3)构成的单元区域(1)，多个单元包含与晶体管部(4)及二极管部(5)各自对应的单元(3)；温度检测部(6)，其对晶体管部(4)的温度进行检测；以及温度检测部(7)，其对二极管部(5)的温度进行检测，温度检测部(6)配置于与晶体管部(4)对应的单元(3)，温度检测部(7)配置于与二极管部(5)对应的单元(3)。
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公开(公告)号：CN111863743A
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN202010316374.X
申请日：2020-04-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L29/06 , H01L27/02 , H01L27/06
Abstract: 本发明的目的在于，提供对骤回动作进行抑制且散热性优异的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、表面电极、外部配线、多个晶体管部及多个二极管部。多个晶体管部和多个二极管部设置于半导体基板，且配置于与半导体基板的表面平行的一个方向。外部配线的接合部与表面电极接合。多个晶体管部和多个二极管部设置于半导体基板的俯视观察时的第1区域和第2区域。晶体管部和二极管部交替地配置于一个方向。第1区域处的第1晶体管宽度和第1二极管宽度比外部配线的接合部的宽度小。第2区域处的第2晶体管宽度和第2二极管宽度比外部配线的接合部的宽度大。
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