公开(公告)号：CN116266696A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211591506.5

申请日：2022-12-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 久我莲 ,  青木伸亲

IPC: H02H7/122 ,  H01L25/16 ,  H01L23/498 ,  H02H3/08 ,  H02M1/00

Abstract: 提供提高了过电流保护的精度的半导体功率模块。在封装件内安装有三相交流逆变器的半导体功率模块具有：第一至第三电路图案，分别搭载第二、第四及第六开关元件；第四电路图案，搭载第一、第三及第五开关元件；第二主电极，与第二、第四及第六开关元件各自的主电极配线共通地连接；第二主电极端子，与第二主电极连接；第一主电极，与第四电路图案电连接；以及第一主电极端子，与第一主电极连接，第二主电极沿封装件的一边延伸，第二主电极端子在俯视观察时设置于第二主电极的延伸方向上的端部，就第二、第四及第六开关元件各自的主电极配线而言，俯视观察时到第二主电极端子为止的水平方向上的距离越近的主电极配线则长度越长。

公开(公告)号：CN119381374A

公开(公告)日：2025-01-28

申请号：CN202410980836.6

申请日：2024-07-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 久我莲 ,  后藤亮

IPC: H01L23/492 ,  H01L25/07 ,  H02M7/00 ,  H02M3/00

Abstract: 涉及半导体装置及电力变换装置。本发明说明书所公开的技术是用于在电极形状具有凹凸的情况下也会有效地使电阻降低的技术。本发明说明书所公开的技术涉及的半导体装置具有：半导体芯片；壳体，其将半导体芯片收容在内部；主电极，其经由导线与半导体芯片电连接，并且一部分从壳体向外部露出；以及导电材料，其涂敷于从壳体露出的主电极的表面，主电极的表面是与汇流条连接的面。