公开(公告)号：CN110880859B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN201910815710.2

申请日：2019-08-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青木伸亲 ,  米山玲 ,  江口佳佑 ,  日高大树

IPC: H02M1/32 ,  H02H7/125

Abstract: 本发明涉及半导体模块及电力转换装置。本发明的目在于提供能够进行在启动过程中成为过电流等通电异常时的保护的转换器模块。半导体模块(101)具备：二极管桥接电路(11)；传感器(17)，其对二极管桥接电路(11)的电流值进行测量；电流限制电路(16)，其具有与二极管桥接电路(11)连接的IGBT(161)；以及保护电路(18)，其与由传感器(17)测量的二极管桥接电路(11)的电流值对应地对IGBT(161)的接通和断开进行切换。

公开(公告)号：CN110880859A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910815710.2

申请日：2019-08-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 青木伸亲 ,  米山玲 ,  江口佳佑 ,  日高大树

IPC: H02M1/32 ,  H02H7/125

Abstract: 本发明涉及半导体模块及电力转换装置。本发明的目在于提供能够进行在启动过程中成为过电流等通电异常时的保护的转换器模块。半导体模块(101)具备：二极管桥接电路(11)；传感器(17)，其对二极管桥接电路(11)的电流值进行测量；电流限制电路(16)，其具有与二极管桥接电路(11)连接的IGBT(161)；以及保护电路(18)，其与由传感器(17)测量的二极管桥接电路(11)的电流值对应地对IGBT(161)的接通和断开进行切换。

公开(公告)号：CN118248635A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202311738222.9

申请日：2023-12-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高大树

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/04

Abstract: 提供提高了耐湿性的半导体装置。半导体装置具有：半导体芯片；壳体；封装材料，其配置于壳体内，将半导体芯片封装；以及盖，其与封装材料密接，壳体具有至少1个凸起，在盖设置有至少1个第1孔，至少1个凸起各自置于至少1个第1孔的任一者中，由此盖相对于壳体而固定。

公开(公告)号：CN111863743B

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202010316374.X

申请日：2020-04-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 江口佳佑 ,  米山玲 ,  青木伸亲 ,  日高大树

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明的目的在于，提供对骤回动作进行抑制且散热性优异的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、表面电极、外部配线、多个晶体管部及多个二极管部。多个晶体管部和多个二极管部设置于半导体基板，且配置于与半导体基板的表面平行的一个方向。外部配线的接合部与表面电极接合。多个晶体管部和多个二极管部设置于半导体基板的俯视观察时的第1区域和第2区域。晶体管部和二极管部交替地配置于一个方向。第1区域处的第1晶体管宽度和第1二极管宽度比外部配线的接合部的宽度小。第2区域处的第2晶体管宽度和第2二极管宽度比外部配线的接合部的宽度大。

公开(公告)号：CN116960117A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310435212.1

申请日：2023-04-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西山建人 ,  日高大树

IPC: H01L25/07

Abstract: 本申请说明书所公开的技术是用于使所配备的IGBT的自由度提高，作为其结果，能够实现整个装置的小型化的技术。与本申请说明书所公开的技术相关的半导体装置具有在流过母线电流的电源线上串联连接的多个IGBT和与多个IGBT串联连接的MOSFET。并且，母线电流经由MOSFET的漏极端子和源极端子而流动。

公开(公告)号：CN114121837A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110959167.0

申请日：2021-08-20

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 日高大树 ,  江口佳佑 ,  青木伸亲 ,  米山玲

IPC: H01L23/34 ,  G01K7/01

Abstract: 目的在于提供能够高精度地对晶体管部的温度和二极管部的温度进行检测，实现过热保护功能的提高的半导体装置。半导体装置(100)具有：半导体芯片(50)，其具有由多个单元(3)构成的单元区域(1)，多个单元包含与晶体管部(4)及二极管部(5)各自对应的单元(3)；温度检测部(6)，其对晶体管部(4)的温度进行检测；以及温度检测部(7)，其对二极管部(5)的温度进行检测，温度检测部(6)配置于与晶体管部(4)对应的单元(3)，温度检测部(7)配置于与二极管部(5)对应的单元(3)。

公开(公告)号：CN111863743A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010316374.X

申请日：2020-04-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 江口佳佑 ,  米山玲 ,  青木伸亲 ,  日高大树

IPC: H01L23/367 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02 ,  H01L27/06

Abstract: 本发明的目的在于，提供对骤回动作进行抑制且散热性优异的半导体装置。半导体装置包含半导体基板、表面电极、外部配线、多个晶体管部及多个二极管部。多个晶体管部和多个二极管部设置于半导体基板，且配置于与半导体基板的表面平行的一个方向。外部配线的接合部与表面电极接合。多个晶体管部和多个二极管部设置于半导体基板的俯视观察时的第1区域和第2区域。晶体管部和二极管部交替地配置于一个方向。第1区域处的第1晶体管宽度和第1二极管宽度比外部配线的接合部的宽度小。第2区域处的第2晶体管宽度和第2二极管宽度比外部配线的接合部的宽度大。