公开(公告)号：CN114530435A

公开(公告)日：2022-05-24

申请号：CN202111263076.X

申请日：2021-10-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西山建人 ,  益本宽之

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/373 ,  H02M1/00 ,  H02M7/00

Abstract: 功率半导体模块(1)具有功率半导体组件(2)和传热部件(40)。功率半导体组件(2)包含电路基板(10)和壳体(20)。电路基板(10)包含绝缘基板(11)。安装传热部件(40)的第2安装面(15)相对于安装散热器(50)的第1安装面(25)凹入。第2安装面(15)的从第1安装面(25)算起的最大退后距离(L1)比传热部件(40)的原厚度(t1)小，并且比传热部件(40)的下限厚度(t2)大。

公开(公告)号：CN116960117A

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202310435212.1

申请日：2023-04-21

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西山建人 ,  日高大树

IPC: H01L25/07

Abstract: 本申请说明书所公开的技术是用于使所配备的IGBT的自由度提高，作为其结果，能够实现整个装置的小型化的技术。与本申请说明书所公开的技术相关的半导体装置具有在流过母线电流的电源线上串联连接的多个IGBT和与多个IGBT串联连接的MOSFET。并且，母线电流经由MOSFET的漏极端子和源极端子而流动。

公开(公告)号：CN119673872A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202411285088.6

申请日：2024-09-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宇田达也 ,  西山建人

IPC: H01L23/04 ,  H01L23/16

Abstract: 抑制由半导体装置的发热引起的盖的挠曲。半导体装置具有：壳体(6)，其收容半导体芯片(1)；封装材料(9)，其被注入至壳体(6)内；以及盖(10)，其嵌入至壳体(6)的开口部。盖(10)包含局部重叠的第1盖部件(11)及第2盖部件(12)。第1盖部件(11)在与第2盖部件(12)重叠的部分具有第1切口部(11a)及第1凸部(11b)。第2盖部件(12)在与第1盖部件(11)重叠的部分具有第2切口部(12a)及第2凸部(12b)。第1盖部件(11)和第2盖部件(12)以向第1切口部(11a)插入第2凸部(12b)，向第2切口部(12a)插入第1凸部(11b)的方式组合。

公开(公告)号：CN118737837A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410333782.4

申请日：2024-03-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西山建人 ,  齐藤研二

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L23/28

Abstract: 得到能够对可靠性的降低及绝缘不良进行抑制的半导体装置及其制造方法。引线框将绝缘基板的金属配线和壳体的电极连接。封装材料被填充于壳体中，对绝缘基板的上表面、半导体芯片及引线框进行封装。引线框具有：第1接合部，其与金属配线接合；第2接合部，其与电极接合；以及连接部，其将第1接合部和第2接合部连接。连接部具有：倾斜部，其在横穿引线框的延伸方向的剖面中相对于绝缘基板的上表面倾斜；第1非倾斜部，其设置于倾斜部和第1接合部之间；以及第2非倾斜部，其设置于倾斜部和第2接合部之间。在第1非倾斜部和倾斜部的边界及第2非倾斜部和倾斜部的边界处，在引线框的两侧设置有狭缝。