公开(公告)号：CN102739218A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201110420075.1

申请日：2011-12-15

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 齐藤研二

IPC: H03K17/567

CPC classification number: H03K17/168

Abstract: 本发明涉及开关装置和开关模块，其目的在于提供一种能够实现浪涌电压的降低和产生的噪声的降低的开关装置、开关模块。本发明的开关装置的特征在于具备：开关元件（1）；发射极电极（100）；用于将发射极电极（100）连接到外部的主布线的主布线用发射极端子（4）；在发射极电极（100）和主布线用发射极端子（4）之间的主电流路径中插入的多个控制用发射极端子（5）、控制用发射极端子（6）、控制用发射极端子（7）；介插在邻接的控制用发射极端子之间的主电流路径中的电感（8）、电感（9）。

公开(公告)号：CN116403976A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211730326.0

申请日：2022-12-30

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 齐藤研二

IPC: H01L23/32 ,  H01L23/367

Abstract: 提供能够抑制散热材料的泵出，由此能够抑制散热性的下降的半导体装置。半导体装置具有绝缘基板、半导体芯片、基座板、第1散热材料和壳体，半导体芯片和将半导体芯片封装的封装材料被收容于壳体，绝缘基板具有绝缘层和在绝缘层的上表面之上设置的导体图案，半导体芯片通过接合材料而接合于导体图案之上，绝缘基板的下表面与基座板的上表面经由第1散热材料而接触，绝缘基板与基座板没有被彼此固定。

公开(公告)号：CN118737837A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410333782.4

申请日：2024-03-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西山建人 ,  齐藤研二

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/495 ,  H01L23/28

Abstract: 得到能够对可靠性的降低及绝缘不良进行抑制的半导体装置及其制造方法。引线框将绝缘基板的金属配线和壳体的电极连接。封装材料被填充于壳体中，对绝缘基板的上表面、半导体芯片及引线框进行封装。引线框具有：第1接合部，其与金属配线接合；第2接合部，其与电极接合；以及连接部，其将第1接合部和第2接合部连接。连接部具有：倾斜部，其在横穿引线框的延伸方向的剖面中相对于绝缘基板的上表面倾斜；第1非倾斜部，其设置于倾斜部和第1接合部之间；以及第2非倾斜部，其设置于倾斜部和第2接合部之间。在第1非倾斜部和倾斜部的边界及第2非倾斜部和倾斜部的边界处，在引线框的两侧设置有狭缝。