公开(公告)号：CN115206928B

公开(公告)日：2025-02-07

申请号：CN202210299597.9

申请日：2022-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫﨑贵将 ,  江口佳佑

IPC: H01L23/50 ,  H01L25/07

Abstract: 提供能够同时实现装置的长寿命化及小型化的具有多个半导体芯片的半导体装置。在RC‑IGBT芯片(1～3)之间，作为在X方向上具有相邻关系的一对RC‑IGBT芯片，是RC‑IGBT芯片(1)及(2)和RC‑IGBT芯片(2)及(3)。RC‑IGBT芯片(1)及(2)满足在Y方向上以打点区域(61)和打点区域(62)彼此不重复的方式分离配置的第1配置条件和在Y方向上以除了打点区域(61)及打点区域(62)之外的发射极电极的一部分重复的方式一部分重复配置的第2配置条件。RC‑IGBT芯片(2)及(3)也满足上述第1及第2配置条件。

公开(公告)号：CN115939113A

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN202211174505.0

申请日：2022-09-26

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫﨑贵将 ,  江口佳佑

IPC: H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/34 ,  H01L23/49

Abstract: 得到能够提高控制性而不使可靠性下降的半导体装置。在绝缘基板(3)之上多个功率半导体元件(1a～1f)配置为一列。多个控制半导体元件(2a～2f)以与多个功率半导体元件(1a～1f)分别相对的方式在绝缘基板(3)之上配置为一列，对多个功率半导体元件(1a～1f)分别进行驱动。配置为一列的多个控制半导体元件(2a～2f)中的两端的控制半导体元件(2a、2f)与两端以外的控制半导体元件(2b～2e)相比配置于更靠近所对应的功率半导体元件处。

公开(公告)号：CN115206928A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202210299597.9

申请日：2022-03-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 宫﨑贵将 ,  江口佳佑

IPC: H01L23/50 ,  H01L25/07

Abstract: 提供能够同时实现装置的长寿命化及小型化的具有多个半导体芯片的半导体装置。在RC‑IGBT芯片(1～3)之间，作为在X方向上具有相邻关系的一对RC‑IGBT芯片，是RC‑IGBT芯片(1)及(2)和RC‑IGBT芯片(2)及(3)。RC‑IGBT芯片(1)及(2)满足在Y方向上以打点区域(61)和打点区域(62)彼此不重复的方式分离配置的第1配置条件和在Y方向上以除了打点区域(61)及打点区域(62)之外的发射极电极的一部分重复的方式一部分重复配置的第2配置条件。RC‑IGBT芯片(2)及(3)也满足上述第1及第2配置条件。