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公开(公告)号：CN106849018B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201611026597.2
申请日：2016-11-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02H7/122 , H02M1/08 , G01R19/165 , G01K7/01
Abstract: 得到一种半导体元件的驱动装置，该驱动装置能够与识别信号独立地进行错误保护动作，能够通过输出的识别信号而对错误模式进行识别。在对半导体元件(2a～2f)进行驱动的驱动装置(3a～3f)中，识别信号生成电路(11)生成根据输入来的错误信号的种类而不同的识别信号。保护动作信号生成电路(14)生成具有错误信号和识别信号之中较长一方的脉冲宽度的保护动作信号。将对识别信号进行输入输出的识别信号端子、和对保护动作信号进行输入输出的保护动作信号端子相互分开而设置。保护电路(18)根据保护动作信号生成电路(14)所生成的本相的保护动作信号以及从保护动作信号端子输入的他相的保护动作信号而进行错误保护动作。
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公开(公告)号：CN106849018A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611026597.2
申请日：2016-11-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02H7/122 , H02M1/08 , G01R19/165 , G01K7/01
CPC classification number: H03K17/08116 , H03K17/18 , H03K17/567 , H02H7/122 , G01K7/01 , G01R19/16504 , H02M1/08
Abstract: 得到一种半导体元件的驱动装置，该驱动装置能够与识别信号独立地进行错误保护动作，能够通过输出的识别信号而对错误模式进行识别。在对半导体元件(2a～2f)进行驱动的驱动装置(3a～3f)中，识别信号生成电路(11)生成根据输入来的错误信号的种类而不同的识别信号。保护动作信号生成电路(14)生成具有错误信号和识别信号之中较长一方的脉冲宽度的保护动作信号。将对识别信号进行输入输出的识别信号端子、和对保护动作信号进行输入输出的保护动作信号端子相互分开而设置。保护电路(18)根据保护动作信号生成电路(14)所生成的本相的保护动作信号以及从保护动作信号端子输入的他相的保护动作信号而进行错误保护动作。
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公开(公告)号：CN104348346A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410381448.2
申请日：2014-08-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/32
CPC classification number: H02H9/04 , H02H7/1227
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够在例如包含D锁存电路等在内的电平移位电路中，抑制负电涌的不良影响的技术。半导体驱动装置具有负电涌检测电路(32)、电平移位电路(31)。负电涌检测电路(32)检测在P侧SW元件(1a)与N侧SW元件(1b)的连接点(1c)处是否产生了负电涌。电平移位电路(31)在由负电涌检测电路(32)检测出负电涌的产生的情况下，保持用于P侧SW元件(1a)的驱动的驱动电压。
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公开(公告)号：CN109792244B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201780056807.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K19/0175 , H02M1/08 , H03K17/691 , H04L25/02
Abstract: 第1电路(100)根据被输入的第1信号(IN)的逻辑值的变化，生成向第1线圈(11)的第1端(P1)以及第2端(P2)的发送信号而输出。检测电路(260)检测在第1端(P3)、第2端(P4)产生的各电压信号，根据检测的结果，输出反映了第1信号(IN)的第2信号(OUT)。控制电路(210)控制施加到第1整流电路(240)的第1二极管(241)以及第2二极管(242)各自的两端的电压、以及施加到第2整流电路(250)的第3二极管(251)以及第4二极管(252)各自的两端的电压。
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公开(公告)号：CN110391806B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910314240.1
申请日：2019-04-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明目的在于针对半导体元件的驱动装置，抑制大型化，并且如果半导体元件的异常消除则迅速重新开始向半导体元件输入驱动信号。半导体元件的驱动装置(1)具备：多个检测电路(21)，对半导体元件的不同种类的异常进行检测；逻辑电路(22)，在至少一个检测电路检测出异常的情况下生成错误信号(Verr)；警报信号生成电路(24、25)，接收错误信号，生成由针对每个检测出异常的检测电路而具有不同的脉宽的1个或多个脉冲构成的警报信号(VFo)；以及保护动作判断电路(23)，基于错误信号以及警报信号，对半导体元件的保护功能是否正在动作进行判断，在判断为保护功能正在动作的情况下，切断向半导体元件的驱动信号的输入。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109792244A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201780056807.9
申请日：2017-05-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K19/0175 , H02M1/08 , H03K17/691 , H04L25/02
Abstract: 第1电路(100)根据被输入的第1信号(IN)的逻辑值的变化，生成向第1线圈(11)的第1端(P1)以及第2端(P2)的发送信号而输出。检测电路(260)检测在第1端(P3)、第2端(P4)产生的各电压信号，根据检测的结果，输出反映了第1信号(IN)的第2信号(OUT)。控制电路(210)控制施加到第1整流电路(240)的第1二极管(241)以及第2二极管(242)各自的两端的电压、以及施加到第2整流电路(250)的第3二极管(251)以及第4二极管(252)各自的两端的电压。
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公开(公告)号：CN103684402B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310371651.7
申请日：2013-08-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K17/063 , H03K2217/0063
Abstract: 本发明涉及反向电平移动电路。对高侧基准电位的变动实现稳定的反向电平移动动作。利用将高侧基准电位作为基准电位而生成的第一和第二驱动信号对晶体管（HVPMOS1、HVPMOS2）进行驱动。将晶体管（HVPMOS1、HVPMOS2）的输出信号电压变换到低侧，生成第一和第二主信号以及第一和第二屏蔽信号。屏蔽信号产生电路（6）对高侧基准电位的变动以比第一和第二屏蔽信号高的灵敏度生成第三屏蔽信号。屏蔽逻辑电路（7）对第一屏蔽信号和第二屏蔽信号进行AND运算来生成第四屏蔽信号，用第三屏蔽信号和第四屏蔽信号这两者对第一和第二主信号进行屏蔽。SR触发电路（10）根据被屏蔽的第一和第二主信号生成输出信号。
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公开(公告)号：CN119519682A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411130267.2
申请日：2024-08-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/567 , H03K17/08 , H02M1/08
Abstract: Vce检测电路(120)在半导体开关元件(10a)的截止时检测正电极以及负电极之间的电极间电压(Vce)的上升。驱动电路(150)构成为在半导体开关元件(10a)的截止动作中，使用通过Vce检测电路(120)得到的检测结果，对将栅极驱动能力从第1驱动能力降低至第2驱动能力的定时进行控制。
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公开(公告)号：CN110581638B
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN201910492343.7
申请日：2019-06-06
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 今西元纪
Abstract: 本发明涉及半导体装置及电力转换系统。第一驱动电路(110)与第一电源节点(Nh1)及第一GND节点(Ng1)连接。驱动电路(120)连接至各自与第一电源节点(Nh1)及第一GND节点(Ng1)电隔离的第二电源节点(Nh2)及第二GND节点(Ng2)。PN结部(130)由与第一GND节点(Ng1)电连接的P型部位、以及与第二电源节点(Nh2)电连接的N型部位形成。磁耦合元件(140)具有第一导体线圈(141)及第二导体线圈(142)。第一导体线圈(141)与驱动电路(110)的输出节点(N1a、N1b)电连接。第二导体线圈(142)与驱动电路(120)的输入节点(N2a、N2b)电连接。
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公开(公告)号：CN105553236B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510706464.9
申请日：2015-10-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: G05F1/59
Abstract: 本发明的目的在于，在采用恒定电流驱动方式和导通电阻驱动方式这二者的驱动电路中，不使电路面积增大。本发明的驱动电路(101)是接受控制信号并对开关元件进行驱动的驱动电路，其具有电流镜电路和电位变化电路，该电流镜电路具有：PchMOSFET(1)，其与开关元件的控制电极连接；以及PchMOSFET(3)，其与PchMOSFET(1)进行电流镜像连接，使镜像电流流过PchMOSFET(1)，该电位变化电路与PchMOSFET(3)连接，使PchMOSFET(1)的控制电位从电流镜电路的镜像动作时的电位开始进行变化。
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