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公开(公告)号：CN105553236A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510706464.9
申请日：2015-10-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: G05F1/59
Abstract: 本发明的目的在于，在采用恒定电流驱动方式和导通电阻驱动方式这二者的驱动电路中，不使电路面积增大。本发明的驱动电路(101)是接受控制信号并对开关元件进行驱动的驱动电路，其具有电流镜电路和电位变化电路，该电流镜电路具有：PchMOSFET(1)，其与开关元件的控制电极连接；以及PchMOSFET(3)，其与PchMOSFET(1)进行电流镜像连接，使镜像电流流过PchMOSFET(1)，该电位变化电路与PchMOSFET(3)连接，使PchMOSFET(1)的控制电位从电流镜电路的镜像动作时的电位开始进行变化。
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公开(公告)号：CN104348346B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410381448.2
申请日：2014-08-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/32
CPC classification number: H02H9/04 , H02H7/1227
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够在例如包含D锁存电路等在内的电平移位电路中，抑制负电涌的不良影响的技术。半导体驱动装置具有负电涌检测电路(32)、电平移位电路(31)。负电涌检测电路(32)检测在P侧SW元件(1a)与N侧SW元件(1b)的连接点(1c)处是否产生了负电涌。电平移位电路(31)在由负电涌检测电路(32)检测出负电涌的产生的情况下，保持用于P侧SW元件(1a)的驱动的驱动电压。
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公开(公告)号：CN105553236B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510706464.9
申请日：2015-10-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: G05F1/59
Abstract: 本发明的目的在于，在采用恒定电流驱动方式和导通电阻驱动方式这二者的驱动电路中，不使电路面积增大。本发明的驱动电路(101)是接受控制信号并对开关元件进行驱动的驱动电路，其具有电流镜电路和电位变化电路，该电流镜电路具有：PchMOSFET(1)，其与开关元件的控制电极连接；以及PchMOSFET(3)，其与PchMOSFET(1)进行电流镜像连接，使镜像电流流过PchMOSFET(1)，该电位变化电路与PchMOSFET(3)连接，使PchMOSFET(1)的控制电位从电流镜电路的镜像动作时的电位开始进行变化。
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公开(公告)号：CN103684402A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310371651.7
申请日：2013-08-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K17/063 , H03K2217/0063
Abstract: 本发明涉及反向电平移动电路。对高侧基准电位的变动实现稳定的反向电平移动动作。利用将高侧基准电位作为基准电位而生成的第一和第二驱动信号对晶体管（HVPMOS1、HVPMOS2）进行驱动。将晶体管（HVPMOS1、HVPMOS2）的输出信号电压变换到低侧，生成第一和第二主信号以及第一和第二屏蔽信号。屏蔽信号产生电路（6）对高侧基准电位的变动以比第一和第二屏蔽信号高的灵敏度生成第三屏蔽信号。屏蔽逻辑电路（7）对第一屏蔽信号和第二屏蔽信号进行AND运算来生成第四屏蔽信号，用第三屏蔽信号和第四屏蔽信号这两者对第一和第二主信号进行屏蔽。SR触发电路（10）根据被屏蔽的第一和第二主信号生成输出信号。
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公开(公告)号：CN103684402B
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201310371651.7
申请日：2013-08-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K19/0175
CPC classification number: H03K17/063 , H03K2217/0063
Abstract: 本发明涉及反向电平移动电路。对高侧基准电位的变动实现稳定的反向电平移动动作。利用将高侧基准电位作为基准电位而生成的第一和第二驱动信号对晶体管（HVPMOS1、HVPMOS2）进行驱动。将晶体管（HVPMOS1、HVPMOS2）的输出信号电压变换到低侧，生成第一和第二主信号以及第一和第二屏蔽信号。屏蔽信号产生电路（6）对高侧基准电位的变动以比第一和第二屏蔽信号高的灵敏度生成第三屏蔽信号。屏蔽逻辑电路（7）对第一屏蔽信号和第二屏蔽信号进行AND运算来生成第四屏蔽信号，用第三屏蔽信号和第四屏蔽信号这两者对第一和第二主信号进行屏蔽。SR触发电路（10）根据被屏蔽的第一和第二主信号生成输出信号。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101304209B
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN200810004013.0
申请日：2008-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M1/08 , H03K17/162 , H03K17/284 , H03K17/6871 , H03K19/018507
Abstract: 本发明目的是防止功率器件的误动作。本发明的半导体装置是对串联连接于高电位主电源电位与低电位主电源电位之间的2个功率器件中高电位侧功率器件进行驱动控制，其中具备：脉冲产生电路，与具有第1状态和第2状态的输入信号向第1、第2状态的电平转变对应地分别产生第1、第2脉冲信号，该第1状态表示高电位侧功率器件的导通，该第2状态表示高电位侧功率器件的非导通；电平移动电路，将第1、第2脉冲信号向高电位侧电平移动，分别得到第1、第2电平移动完毕脉冲信号；SR型触发器，从置位输入端输入第1电平移动完毕脉冲信号，从复位输入端输入第2电平移动完毕脉冲信号；延迟电路，使SR型触发器的输出至少延迟第1、第2脉冲信号的脉冲宽度部分。
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公开(公告)号：CN101304209A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810004013.0
申请日：2008-01-16
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/08
CPC classification number: H02M1/08 , H03K17/162 , H03K17/284 , H03K17/6871 , H03K19/018507
Abstract: 本发明目的是防止功率器件的误动作。本发明的半导体装置是对串联连接于高电位主电源电位与低电位主电源电位之间的2个功率器件中高电位侧功率器件进行驱动控制，其中具备：脉冲产生电路，与具有第1状态和第2状态的输入信号向第1、第2状态的电平转变对应地分别产生第1、第2脉冲信号，该第1状态表示高电位侧功率器件的导通，该第2状态表示高电位侧功率器件的非导通；电平移动电路，将第1、第2脉冲信号向高电位侧电平移动，分别得到第1、第2电平移动完毕脉冲信号；SR型触发器，从置位输入端输入第1电平移动完毕脉冲信号，从复位输入端输入第2电平移动完毕脉冲信号；延迟电路，使SR型触发器的输出至少延迟第1、第2脉冲信号的脉冲宽度部分。
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公开(公告)号：CN106849018B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201611026597.2
申请日：2016-11-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02H7/122 , H02M1/08 , G01R19/165 , G01K7/01
Abstract: 得到一种半导体元件的驱动装置，该驱动装置能够与识别信号独立地进行错误保护动作，能够通过输出的识别信号而对错误模式进行识别。在对半导体元件(2a～2f)进行驱动的驱动装置(3a～3f)中，识别信号生成电路(11)生成根据输入来的错误信号的种类而不同的识别信号。保护动作信号生成电路(14)生成具有错误信号和识别信号之中较长一方的脉冲宽度的保护动作信号。将对识别信号进行输入输出的识别信号端子、和对保护动作信号进行输入输出的保护动作信号端子相互分开而设置。保护电路(18)根据保护动作信号生成电路(14)所生成的本相的保护动作信号以及从保护动作信号端子输入的他相的保护动作信号而进行错误保护动作。
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公开(公告)号：CN106849018A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611026597.2
申请日：2016-11-04
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02H7/122 , H02M1/08 , G01R19/165 , G01K7/01
CPC classification number: H03K17/08116 , H03K17/18 , H03K17/567 , H02H7/122 , G01K7/01 , G01R19/16504 , H02M1/08
Abstract: 得到一种半导体元件的驱动装置，该驱动装置能够与识别信号独立地进行错误保护动作，能够通过输出的识别信号而对错误模式进行识别。在对半导体元件(2a～2f)进行驱动的驱动装置(3a～3f)中，识别信号生成电路(11)生成根据输入来的错误信号的种类而不同的识别信号。保护动作信号生成电路(14)生成具有错误信号和识别信号之中较长一方的脉冲宽度的保护动作信号。将对识别信号进行输入输出的识别信号端子、和对保护动作信号进行输入输出的保护动作信号端子相互分开而设置。保护电路(18)根据保护动作信号生成电路(14)所生成的本相的保护动作信号以及从保护动作信号端子输入的他相的保护动作信号而进行错误保护动作。
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公开(公告)号：CN104348346A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410381448.2
申请日：2014-08-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M1/32
CPC classification number: H02H9/04 , H02H7/1227
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够在例如包含D锁存电路等在内的电平移位电路中，抑制负电涌的不良影响的技术。半导体驱动装置具有负电涌检测电路(32)、电平移位电路(31)。负电涌检测电路(32)检测在P侧SW元件(1a)与N侧SW元件(1b)的连接点(1c)处是否产生了负电涌。电平移位电路(31)在由负电涌检测电路(32)检测出负电涌的产生的情况下，保持用于P侧SW元件(1a)的驱动的驱动电压。
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