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公开(公告)号：CN105759888B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201511036072.2
申请日：2015-11-18
申请人： 德尔福技术有限公司
IPC分类号： G05F1/565
CPC分类号： G05F1/59 , F02D41/20 , H03K17/102 , H03K2217/0027 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072
摘要： 公开了一种用于基准电压移位的数据的验证电路。控制器(10)包括高侧电路(14)、低侧电路(16)、电平移位电路(28)和数据验证电路(32)。该高侧电路(14)以偏移电压基准为基准，该偏移电压基准相对于该控制器(10)的地电位基准以电压的方式偏移。该低侧电路(16)可操作来输出用于该高侧电路(14)的控制信号(24)。该控制信号(24)以该地电位基准为基准。该电平移位电路(28)被配置为向该高侧电路(14)输出移位的信号(30)，所移位的信号(30)以该偏移电压基准为基准并且基于该控制信号(24)。该数据验证电路(32)被配置为接受该移位的信号(30)，在第一时刻确定该移位信号的第一值(34)，在时间上与该第一时刻不同的第二时刻确定该移位信号(30)的第二值(38)，且基于该第一值(34)与第二值(38)相符合的确定来验证该移位信号(30)。
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公开(公告)号：CN105553236B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201510706464.9
申请日：2015-10-27
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H02M1/08
CPC分类号： G05F1/59
摘要： 本发明的目的在于，在采用恒定电流驱动方式和导通电阻驱动方式这二者的驱动电路中，不使电路面积增大。本发明的驱动电路(101)是接受控制信号并对开关元件进行驱动的驱动电路，其具有电流镜电路和电位变化电路，该电流镜电路具有：PchMOSFET(1)，其与开关元件的控制电极连接；以及PchMOSFET(3)，其与PchMOSFET(1)进行电流镜像连接，使镜像电流流过PchMOSFET(1)，该电位变化电路与PchMOSFET(3)连接，使PchMOSFET(1)的控制电位从电流镜电路的镜像动作时的电位开始进行变化。
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公开(公告)号：CN104765397B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201410007119.1
申请日：2014-01-02
申请人： 意法半导体研发(深圳)有限公司
发明人： 刘永锋
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明涉及用于内部电源的具有改善的负载瞬态性能的LDO调节器。本发明公开了一种电压调节器，包括反馈调节环路和驱动晶体管，驱动晶体管被配置向被调节的输出发起电流。瞬态恢复电路被耦合至电压调节器电路，并且包括：第一晶体管，被耦合以向驱动晶体管的控制端子发起电流，其中发起的电流是除了响应于反馈调节环路的操作而发起的电流之外的电流。响应于在被调节的输出处的电压的下降，第一晶体管被选择性地启动。瞬态恢复电路进一步包括第二晶体管，被耦合以从被调节的输出吸收电流。吸收电流在调节器电路的静态操作模式中具有第一非零量值。响应于在被调节的输出处的电压的增加，第二晶体管的操作被修改以将吸收电流增加到更大的第二非零量值。
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公开(公告)号：CN107078638A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580056649.8
申请日：2015-10-12
申请人： 高通股份有限公司
CPC分类号： H02M3/158 , G05F1/59 , H02M3/157 , H02M2001/0032 , H04W52/0274 , Y02B70/16 , Y02D70/00 , Y02D70/142
摘要： 低待机功率DC‑DC转换器在待机模式期间可以被断电。DC‑DC转换器可以在休眠周期之间定期地被唤醒，以检查输出电压是否需要被重新充电(刷新)。休眠周期的持续期可以变化以适应于改变将会影响输出电压的负载条件。
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公开(公告)号：CN106598124A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201510966655.9
申请日：2015-12-21
申请人： 联咏科技股份有限公司
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明提供一种具有经调节偏压电流放大器的稳压器，其包括电压放大器、第一输出级、交流通过滤器、电流放大器、第二输出级以及增益电路。第一输出级与第二输出级的输出端共同提供稳压器的输出电压。电压放大器的二输入端分别接收参考电压与输出电压。第一输出级的输入端耦接至电压放大器的输出端。电流放大器的二输入端分别接收参考电流与输出电压的交流成份。第二输出级的输入端耦接至电流放大器的输出端。增益电路的输入端耦接至电压放大器的输出端。增益电路的输出端耦接至第二输出级的输入端。本发明的稳压器可以在负载电流急剧变化时，产生对应电流以推动稳压器的输出级电路。
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公开(公告)号：CN1030020C
公开(公告)日：1995-10-11
申请号：CN90104365.6
申请日：1990-06-09
申请人： 三星电子株式会社
发明人： 闵东暄
CPC分类号： H03K17/063 , G05F1/465 , G05F1/59 , G11C5/145 , G11C5/147 , H02M3/07 , H02M3/073 , H03K17/302 , H03K17/6871 , H03K2217/0036
摘要： 半导体集成电路中的一种内电压变换器包括：一个振荡器、一个子电路、一个主电路和一个检测器，所述子电路包含一个缓冲器、一个电荷抽运电路及一个功率部分，所述主电路包含一个缓冲器、一个电荷抽运电路及一个功率部分。并联组成的多个电压变换级在操作时是可分开运行的，因而在提供备用电源的场合可减少不必要的电力消耗，同时还改进了内电源电压的稳定性。
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公开(公告)号：CN1049065A
公开(公告)日：1991-02-06
申请号：CN90104774.0
申请日：1990-07-21
申请人： 德国索姆森-布兰特有限公司
IPC分类号： G05F1/46
CPC分类号： G05F1/59 , G05F1/567 , Y10T307/593 , Y10T307/707
摘要： 一种具有若干个电流—电压变换器的电路集成电路中的电流—电压变换器的传递阻抗，特别广泛地取决于温度，为了抑制几个电流—电压变换器(Wr、W1…、Wn)的传递阻抗的漂移，其中一个变换器被指定为标准变换器(Wr)，它的传递阻抗与一个标准阻抗(R)相比较。由这个结果得出调节所有变换器的传递阻抗的判别标准。本发明可用于具有若干个电流—电查变换器的集成电路。
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公开(公告)号：CN104124873B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201410275637.1
申请日：2011-02-15
申请人： 英特赛尔美国股份有限公司
发明人： S·P·劳尔 , R·S·A·菲尔布里克
IPC分类号： H02M3/158
CPC分类号： G05F1/59 , H02M3/1584 , H02M2003/1586
摘要： 一种调节电流模式多相开关调整器的相电流共享网络，其中相电流共享网络包括多个综合纹波网络和电流共享网络。调整器通过相应的脉冲控制信号所控制的相应相电感器来产生相电流，所述多个相电流包括纹波电流。每个综合纹波网络产生模拟相应相纹波电流的相应的纹波电压，并使用纹波电压产生脉冲控制信号。电流共享网络通过组合调节值调节每个纹波电压。组合调节值包基于纹波电压中的相应一个纹波电压与参考电压之差。跨导放大器可用于将电压差转换成施加到形成纹波电压的纹波电容器的电路调整值。
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公开(公告)号：CN107741754A
公开(公告)日：2018-02-27
申请号：CN201710977876.5
申请日：2014-01-02
申请人： 意法半导体研发(深圳)有限公司
发明人： 刘永锋
IPC分类号： G05F1/56
摘要： 本发明公开了一种电压调节器，包括反馈调节环路和驱动晶体管，驱动晶体管被配置向被调节的输出发起电流。瞬态恢复电路被耦合至电压调节器电路，并且包括：第一晶体管，被耦合以向驱动晶体管的控制端子发起电流，其中发起的电流是除了响应于反馈调节环路的操作而发起的电流之外的电流。响应于在被调节的输出处的电压的下降，第一晶体管被选择性地启动。瞬态恢复电路进一步包括第二晶体管，被耦合以从被调节的输出吸收电流。吸收电流在调节器电路的静态操作模式中具有第一非零量值。响应于在被调节的输出处的电压的增加，第二晶体管的操作被修改以将吸收电流增加到更大的第二非零量值。
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公开(公告)号：CN107315441A
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201710532707.0
申请日：2017-07-03
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G05F1/59
CPC分类号： G05F1/59
摘要： 一种具有快速瞬态响应的片上低压差线性稳压器，属于电源管理技术领域。包括误差放大器、功率管MP、密勒电容CL、第一分压电阻和第二分压电阻，功率管MP的源极连接输入电压VIN，其漏极通过第一分压电阻和第二分压电阻的串联结构后接地；误差放大器的负向输入端连接基准电压Vref，其正向输入端连接第一分压电阻和第二分压电阻的串联点，其输出端连接功率管MP的栅极，密勒电容CL接在功率管MP的漏极和地之间；误差放大器采用STCB结构的误差放大器，STCB结构的误差放大器的输入级插入瞬态增强结构；优选实施例中功率管MP的栅极和漏极之间还连接有微分器同时LDO引入自适应偏置结构。本发明在提升瞬态响应速度的同时大幅度减小了环路补偿所需的密勒电容。
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