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公开(公告)号：CN118073309A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311537750.8
申请日：2023-11-17
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 清水康贵
Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够通过抑制印刷基板的开裂而实现半导体装置的可靠性提高的技术。半导体装置具有：半导体元件(4)；壳体(3)，其具有开口(3a)，将半导体元件(4)收容；信号端子(6)，其设置于壳体(3)的内壁；印刷基板(7)，其通过信号端子(6)而在壳体(3)内配置于半导体元件(4)的上方；以及盖(11)，其将壳体(3)的开口(3a)封闭。半导体元件(4)与信号端子(6)通过导线(9)而电连接。导线(9)向上方弯曲，导线(9)的顶点部(9a)与印刷基板(7)的背面接触。
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公开(公告)号：CN115206890A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210341471.3
申请日：2022-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 清水康贵
IPC: H01L23/043 , H01L23/49 , H01L21/48
Abstract: 目的在于得到能够抑制树脂毛刺的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：基板；树脂壳体，其在俯视观察时将所述基板的正上方的区域包围；半导体芯片，其设置于所述区域；以及电极，其具有从所述树脂壳体的上表面引出的第1部分和设置于比所述树脂壳体的所述上表面更靠下方处且插入至所述树脂壳体的第2部分，所述电极与所述半导体芯片电连接，在所述电极从所述第1部分跨至所述第2部分而形成第1切口，在所述树脂壳体的所述上表面以使所述第1切口中的在所述第2部分形成的部分露出的方式形成第1槽。
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公开(公告)号：CN109461710B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN201811011322.0
申请日：2018-08-31
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/40
Abstract: 目的在于提供能够提高产品的安装性的技术。半导体装置在经由一个安装孔(14b、14d)而将螺钉(12)紧固至散热器(1)的状态下，在将主体部(3a)下端与壳体(10)下端的垂直方向的距离设为M，将膨起部(3b)的膨起量设为W，将凸起部(11b)的凸起高度设为T，将从壳体(10)外周端至散热板(3)外周端为止的水平方向的距离设为L时，假想线(B－B’)和假想线(C－C’)所成的角度A满足0＜A＜arctan((M+W－T)/L)，假想线(B－B’)是将2个安装孔(14b、14c)连结的假想线，假想线(C－C’)是将以下两点连结的假想线，即：位于一个安装孔(14b)的周边部处的一个凸起部(11b)的最低点(C)；膨起部(3b)与散热器(1)的触点(C’)。
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公开(公告)号：CN119008576A
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202410575502.0
申请日：2024-05-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L29/417 , H02M1/00
Abstract: 提供实现高寿命预测精度的半导体装置及逆变器装置。半导体装置具有半导体芯片(1)、第1发射极电极(3)、第2发射极电极(4)、第3发射极电极(5)、第1发射极配线(6)、第2发射极配线(7)及多个第3发射极配线(8)。第1发射极配线将第1发射极电极(3)和半导体芯片(1)的发射极图案(9)连接。第2发射极配线将第2发射极电极(4)和半导体芯片(1)的发射极图案(9)连接。多个第3发射极配线将第3发射极电极(5)和半导体芯片(1)的发射极图案(9)连接。第2发射极配线的直径大于第1发射极配线的直径及多个第3发射极配线的每一者的直径。第1发射极配线设置于远离多个第3发射极配线的位置处。
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公开(公告)号：CN111293086B
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN201911205049.X
申请日：2019-11-29
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 清水康贵
Abstract: 提供与以往相比能够降低半导体装置的成本的半导体装置等。本发明还涉及半导体装置的制造方法。半导体装置(100)具有将作为电子电路的结构要素的半导体元件(S1)所存在的区域(Rg1)包围的壳体(Cs1)。在与区域(Rg1)接触的壳体(Cs1)的内侧固定有树脂部件(50)。在树脂部件(50)设置有作为电子电路的一部分的导电膜(E2)。以导电膜(E2)与区域(Rg1)接触的方式，将该导电膜(E2)设置于树脂部件(50)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108630620A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810219808.7
申请日：2018-03-16
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L23/142 , H01L23/043 , H01L23/3121
Abstract: 目的在于提供一种能够针对半导体装置抑制封装树脂的剥离、大幅改善产品寿命的技术。半导体装置具有：绝缘基板(1)；金属块(2)，其配置于绝缘基板(1)的上表面；半导体元件(3)，其搭载于金属块(2)的上表面；壳体(10)，其将半导体元件(3)、金属块(2)以及绝缘基板(1)包围；以及封装树脂(9)，其对半导体元件(3)以及金属块(2)进行封装。在金属块(2)的与封装树脂(9)接触的面设置有槽部(2a)，槽部(2a)的开口的宽度(W1)比槽部(2a)的底面的宽度(W2)窄。
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公开(公告)号：CN114823636B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN202210041032.0
申请日：2022-01-14
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/62
Abstract: 提供通过设为电感低的电极构造，从而即使在开关元件的高速通断动作时也能够抑制浪涌电压并且能够实现小型化的半导体模块。具有：半导体元件；基板，其搭载半导体元件；散热板，其搭载基板；树脂壳体，其收容基板及半导体元件；以及第1及第2主电流电极，它们供半导体元件的主电流流过，第1及第2主电流电极各自的一端与基板之上的电路图案接合，各自的另一端以凸出至树脂壳体的外部的方式贯通树脂壳体的侧壁而装入，第1及第2主电流电极各自具有至少一部分彼此隔开间隔而平行地重叠的重叠部分，并且各自具有在凸出至树脂壳体的外部的外部凸出部与凸出至树脂壳体的内部的内部凸出部之间设置的倾斜部。
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公开(公告)号：CN115206890B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202210341471.3
申请日：2022-04-02
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 清水康贵
IPC: H01L23/043 , H01L23/49 , H01L21/48
Abstract: 目的在于得到能够抑制树脂毛刺的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：基板；树脂壳体，其在俯视观察时将所述基板的正上方的区域包围；半导体芯片，其设置于所述区域；以及电极，其具有从所述树脂壳体的上表面引出的第1部分和设置于比所述树脂壳体的所述上表面更靠下方处且插入至所述树脂壳体的第2部分，所述电极与所述半导体芯片电连接，在所述电极从所述第1部分跨至所述第2部分而形成第1切口，在所述树脂壳体的所述上表面以使所述第1切口中的在所述第2部分形成的部分露出的方式形成第1槽。
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公开(公告)号：CN113257801B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202110162589.5
申请日：2021-02-05
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供能够在设置了缓冲电路后确认缓冲电路的耐压的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)；电路图案(6、7、8)，其设置于绝缘基板(1)之上；缓冲电路用基板(14)，其在绝缘基板(1)之上与电路图案(6、7、8)分离地设置；电阻(15)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的一者；电容器(16)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的另一者；以及半导体元件(9)，其与电阻(15)及电容器(16)电连接。
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公开(公告)号：CN110896070B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN201910844141.4
申请日：2019-09-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/16 , H01L23/498 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够检测组装后的缓冲用基板的耐压性的技术。半导体装置具备：缓冲用基板(6)，其以与P电极(2)以及N电极(3)分离的状态固定于基座(1)之上；缓冲电路(5)，其配置于缓冲用基板(6)之上，与P电极(2)以及N电极(3)电连接；以及半导体元件(8)，其与缓冲电路(5)电连接。基座(1)包含使P电极(2)、N电极(3)以及缓冲用基板(6)彼此绝缘的绝缘部件。
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