公开(公告)号：CN114566481A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111388726.3

申请日：2021-11-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹胁善朗 ,  本山启太

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/52 ,  H01L21/67 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够抑制将金属端子接合于金属电路图案时的钎料的位置偏移的半导体装置。半导体装置具有：绝缘基板，其在表面形成有金属电路图案；以及金属端子，其经由硬钎料而接合于金属电路图案之上，在金属电路图案之上设置有凸起，凸起与硬钎料接触。

公开(公告)号：CN110828410A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910712422.4

申请日：2019-08-02

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹胁善朗 ,  内田祥久 ,  田中阳

IPC: H01L23/49 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及电力用半导体装置及其制造方法、以及电力变换装置。目的在于提供能够提高电力用半导体装置的可靠性的技术。电力用半导体装置具备：基板(1)，在基板(1)依次配置有绝缘层(1a)以及电路图案(1b)；电力用半导体元件(2)，其与电路图案(1b)电连接；以及电极端子(3)，其具有薄壁部分(3b)，该薄壁部分(3b)包含通过光纤激光而焊接至电路图案(1b)的焊接部分(3a)。电路图案(1b)的厚度大于或等于0.2mm而小于或等于0.5mm，电极端子(3)的薄壁部分(3b)大于或等于电路图案(1b)的厚度的1倍而小于或等于2倍。

公开(公告)号：CN119008576A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410575502.0

申请日：2024-05-10

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 福永悠 ,  竹胁善朗 ,  清水康贵

IPC: H01L23/498 ,  H01L29/417 ,  H02M1/00

Abstract: 提供实现高寿命预测精度的半导体装置及逆变器装置。半导体装置具有半导体芯片(1)、第1发射极电极(3)、第2发射极电极(4)、第3发射极电极(5)、第1发射极配线(6)、第2发射极配线(7)及多个第3发射极配线(8)。第1发射极配线将第1发射极电极(3)和半导体芯片(1)的发射极图案(9)连接。第2发射极配线将第2发射极电极(4)和半导体芯片(1)的发射极图案(9)连接。多个第3发射极配线将第3发射极电极(5)和半导体芯片(1)的发射极图案(9)连接。第2发射极配线的直径大于第1发射极配线的直径及多个第3发射极配线的每一者的直径。第1发射极配线设置于远离多个第3发射极配线的位置处。

公开(公告)号：CN119725277A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411326148.4

申请日：2024-09-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 内田祥久 ,  荒木慎太郎 ,  川濑达也 ,  后藤光 ,  竹胁善朗

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/49 ,  H01L23/34 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60

Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于提高半导体装置的散热性而不会大型化。半导体装置(101)具有：基材；半导体芯片(3)，其搭载于基材的上表面；主电极及信号电极(31)，它们分别形成于半导体芯片(3)之上的不同区域；主端子(5)，其与主电极接合；以及信号端子(6)，其经由金属导线(7)与信号电极(31)连接，信号端子(6)的接合有金属导线(7)的区域在与基材分隔开的状态下悬在基材之上。