公开(公告)号：CN114566481A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111388726.3

申请日：2021-11-22

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 竹胁善朗 ,  本山启太

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/52 ,  H01L21/67 ,  H01L23/49

Abstract: 本发明涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供能够抑制将金属端子接合于金属电路图案时的钎料的位置偏移的半导体装置。半导体装置具有：绝缘基板，其在表面形成有金属电路图案；以及金属端子，其经由硬钎料而接合于金属电路图案之上，在金属电路图案之上设置有凸起，凸起与硬钎料接触。

公开(公告)号：CN116438655A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202180076195.6

申请日：2021-11-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川岛裕史 ,  田和茂朗 ,  三田泰之 ,  本山启太 ,  寺田隼人

IPC: H01L25/07

Abstract: 功率半导体模块(1)具备功率半导体元件(15)、散热器(30)和密封部件(40)。密封部件(40)具有第1侧面(41)、第2侧面(42)、第3侧面(43)以及第4侧面(44)。散热器(30)包括突出部(36)，该突出部(36)从第3侧面(43)和第4侧面(44)中的至少一个突出。散热器(30)具有第5侧面(33)和第6侧面(34)。第5侧面(33)和第6侧面(34)中的从密封部件(40)露出的部分包括倾斜侧面(33a、34a)。