公开(公告)号：CN103001611B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201210191856.2

申请日：2012-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 十河尚宏 ,  富冈真吾 ,  砂奥伸一

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/567

CPC classification number: H03K17/0828 ,  H03K2217/0027 ,  H03K2217/0081

Abstract: 本发明涉及功率模块，提供一种即使在控制电源电压降低的情况下也能够防止半导体器件的热破坏的功率模块。功率模块（100）具备：驱动半导体器件（10）的IGBT（11）的驱动电路（20）；在IGBT（11）的集电极电流达到跳闸水平时进行IGBT（11）的保护工作的保护电路（30）；检测对驱动电路（20）供给的控制电源电压（VD）的控制电源电压检测电路（40）。保护电路（30）当控制电源电压（VD）变得比规定值低时，将感测电阻从电阻（R1）切换成电阻（R1、R2）的串联电路，由此降低跳闸水平。

公开(公告)号：CN103001611A

公开(公告)日：2013-03-27

申请号：CN201210191856.2

申请日：2012-06-12

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 十河尚宏 ,  富冈真吾 ,  砂奥伸一

IPC: H03K17/08 ,  H03K17/567

CPC classification number: H03K17/0828 ,  H03K2217/0027 ,  H03K2217/0081

Abstract: 本发明涉及功率模块，提供一种即使在控制电源电压降低的情况下也能够防止半导体器件的热破坏的功率模块。功率模块（100）具备：驱动半导体器件（10）的IGBT（11）的驱动电路（20）；在IGBT（11）的集电极电流达到跳闸水平时进行IGBT（11）的保护工作的保护电路（30）；检测对驱动电路（20）供给的控制电源电压（VD）的控制电源电压检测电路（40）。保护电路（30）当控制电源电压（VD）变得比规定值低时，将感测电阻从电阻（R1）切换成电阻（R1、R2）的串联电路，由此降低跳闸水平。

公开(公告)号：CN113257801B

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202110162589.5

申请日：2021-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤亮 ,  大月高实 ,  清水康贵 ,  富冈真吾

IPC: H01L25/16 ,  H02M1/34 ,  G01R31/12

Abstract: 本发明的目的在于提供能够在设置了缓冲电路后确认缓冲电路的耐压的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)；电路图案(6、7、8)，其设置于绝缘基板(1)之上；缓冲电路用基板(14)，其在绝缘基板(1)之上与电路图案(6、7、8)分离地设置；电阻(15)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的一者；电容器(16)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的另一者；以及半导体元件(9)，其与电阻(15)及电容器(16)电连接。

公开(公告)号：CN113257801A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202110162589.5

申请日：2021-02-05

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 后藤亮 ,  大月高实 ,  清水康贵 ,  富冈真吾

IPC: H01L25/16 ,  H02M1/34 ,  G01R31/12

Abstract: 本发明的目的在于提供能够在设置了缓冲电路后确认缓冲电路的耐压的半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明涉及的半导体装置具有：绝缘基板(1)；电路图案(6、7、8)，其设置于绝缘基板(1)之上；缓冲电路用基板(14)，其在绝缘基板(1)之上与电路图案(6、7、8)分离地设置；电阻(15)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的一者；电容器(16)，其设置于电路图案(6、7、8)及缓冲电路用基板(14)中的另一者；以及半导体元件(9)，其与电阻(15)及电容器(16)电连接。