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公开(公告)号：CN110707060A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910276289.2
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体芯片包括：半导体基板、贯通电极、中间焊盘、上焊盘和重布线。半导体基板包括作为有源表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面。贯通电极穿透半导体基板并且在半导体基板的中心部分中设置成沿第一方向的至少一列。中间焊盘在第二表面的边缘部分中设置成沿第一方向的至少一列。上焊盘设置在第二表面上并连接到贯通电极。重布线设置在第二表面上并将中间焊盘连接到上焊盘。
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公开(公告)号：CN114823652A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111305903.7
申请日：2021-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L23/48 , H01L25/065 , H01L23/50
Abstract: 公开的是一种半导体封装件，所述半导体封装件包括下半导体芯片和垂直堆叠在所述下半导体芯片的顶表面上的上半导体芯片。所述上半导体芯片包括第一上半导体芯片和第二上半导体芯片。所述第一上半导体芯片位于所述下半导体芯片与所述第二上半导体芯片之间。每一个所述第一上半导体芯片的厚度是所述下半导体芯片的厚度的0.4倍至0.95倍。所述第二上半导体芯片的厚度与所述第一上半导体芯片的厚度相同或大于所述第一上半导体芯片的厚度。所述第一上半导体芯片和所述第二上半导体芯片的总数是4n，其中n是等于或大于三的自然数。
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公开(公告)号：CN110707060B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201910276289.2
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/31 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体芯片包括：半导体基板、贯通电极、中间焊盘、上焊盘和重布线。半导体基板包括作为有源表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面。贯通电极穿透半导体基板并且在半导体基板的中心部分中设置成沿第一方向的至少一列。中间焊盘在第二表面的边缘部分中设置成沿第一方向的至少一列。上焊盘设置在第二表面上并连接到贯通电极。重布线设置在第二表面上并将中间焊盘连接到上焊盘。
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公开(公告)号：CN109786308B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201811306198.0
申请日：2018-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本公开提供了一种从器件基板剥离载体基板的方法和设备。在从器件基板剥离载体基板的方法中，可以将紫外光穿过所述载体基板照射到所述粘合带，以减弱所述粘合带的粘附力，其中所述载体基板可以利用粘合带与具有连接柱的所述器件基板的第一表面附接。可以遮蔽所述载体基板的外围部分，以将所述紫外光集中在所述粘合带上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117637657A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311072612.7
申请日：2023-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 张根豪
IPC: H01L23/488 , H01L23/48 , H01L23/498 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装包括：基板，包括多个通路；在基板上的芯片堆叠；以及在基板上和在芯片堆叠的至少一部分上的模层。芯片堆叠包括：第一半导体芯片；堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片；在第二半导体芯片中的最上面一个上的第三半导体芯片；以及在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间的非导电层。第一半导体芯片的第一芯片焊盘接合到基板的基板焊盘。第二半导体芯片中的最上面一个的第二芯片焊盘接合到第三半导体芯片的第三芯片焊盘。每个第二半导体芯片电连接到第二半导体芯片中的另一个或第一半导体芯片。
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公开(公告)号：CN106449525A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610662850.7
申请日：2016-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/00
CPC classification number: H01L23/562 , H01L21/486 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/147 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/94 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/0557 , H01L2224/12105 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/27002 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/73259 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/83192 , H01L2224/92224 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/06582 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/83 , H01L2224/27 , H01L2924/00
Abstract: 提供了半导体封装件，所述半导体封装件包括封装构件和应力控制层。封装构件包括包封层和至少一个芯片。包封层包封所述至少一个芯片。应力控制层设置在封装构件的表面上。应力控制层具有达到应力控制层防止封装构件具有翘曲的程度的内应力。
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公开(公告)号：CN112864109A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011306908.7
申请日：2020-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L25/18
Abstract: 一种半导体封装件，包括：基底芯片；第一半导体芯片，其设置在基底芯片上；第二半导体芯片，其设置在第一半导体芯片上；第一绝缘层，其设置在基底芯片和第一半导体芯片之间；第二绝缘层，其设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间；第一连接凸块，其穿透第一绝缘层并将基底芯片和第一半导体芯片彼此连接；以及第二连接凸块，其穿透第二绝缘层并将第一半导体芯片和第二半导体芯片彼此连接。基底芯片的宽度大于第一半导体芯片和第二半导体芯片中的每一个的宽度。第一绝缘层和第二绝缘层包括彼此不同的材料。
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公开(公告)号：CN111146191A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201910851819.1
申请日：2019-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/538 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 一种半导体封装件包括：基础晶圆，其包括第一衬底和延伸穿过第一衬底的至少一个第一贯通过孔电极；以及第一半导体芯片，其设置在基础晶圆上。第一半导体芯片包括第二衬底；以及延伸穿过第二衬底的至少一个第二贯通过孔电极。所述至少一个第二贯通过孔电极设置在所述至少一个第一贯通过孔电极上，以电连接到所述至少一个第一贯通过孔电极。所述至少一个第一贯通过孔电极在第一方向上的第一直径大于所述至少一个第二贯通过孔电极在第一方向上的第二直径。
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公开(公告)号：CN109786308A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811306198.0
申请日：2018-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本公开提供了一种从器件基板剥离载体基板的方法和设备。在从器件基板剥离载体基板的方法中，可以将紫外光穿过所述载体基板照射到所述粘合带，以减弱所述粘合带的粘附力，其中所述载体基板可以利用粘合带与具有连接柱的所述器件基板的第一表面附接。可以遮蔽所述载体基板的外围部分，以将所述紫外光集中在所述粘合带上。
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