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公开(公告)号：CN107424975A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710260396.7
申请日：2017-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L21/48
CPC classification number: H01L25/18 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/5384 , H01L23/5385 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/105 , H01L2224/16141 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/4911 , H01L2224/73204 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06572 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2224/81 , H01L23/49811
Abstract: 在一个实施方式中，半导体模块包括模块基板和安装在模块基板的第一表面上并且电连接到模块基板的第一表面的第一基板。第一基板具有半导体模块的一个或更多第一电连接器，并且第一基板将第一电连接器电连接到模块基板。
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公开(公告)号：CN103165505B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201210530236.7
申请日：2012-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/60 , H01L23/498
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/561 , H01L23/02 , H01L23/04 , H01L23/053 , H01L23/055 , H01L23/057 , H01L23/08 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/24 , H01L23/3128 , H01L23/34 , H01L23/4926 , H01L23/49575 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/24011 , H01L2224/24146 , H01L2224/32145 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/82031 , H01L2224/82101 , H01L2224/96 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2225/06586 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2224/82 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了制造扇出晶片级封装的方法以及由该方法形成的封装。该扇出晶片级封装包括：至少两个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或外部端子，在绝缘层上。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。再分布线图案可以电连接到该至少两个半导体芯片。外部端子可以电连接到再分布线图案。扇出晶片级封装可以包括：至少三个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或在绝缘层上的外部端子。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。
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公开(公告)号：CN102468281A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201110356167.8
申请日：2011-11-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/481 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L27/108 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2924/351 , Y10T428/12708 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：第一半导体芯片；第一连接结构，设置在第一半导体芯片的第一侧上；第二半导体芯片，设置在第一半导体芯片的第二侧上；以及第二连接结构，设置在第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，其中，第二连接结构的数量少于第一连接结构的数量。
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公开(公告)号：CN102456663A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110309782.3
申请日：2011-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/563 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73257 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1304 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一半导体芯片，其包括穿透其至少一部分的第一穿透电极和第二穿透电极，第一穿透电极具有第一突出高度，第二穿透电极具有高于第一突出高度的第二突出高度；第二半导体芯片，其与第一穿透电极电连接；以及第三半导体芯片，其与第二穿透电极电连接。
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公开(公告)号：CN110707060A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910276289.2
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/31
Abstract: 一种半导体芯片包括：半导体基板、贯通电极、中间焊盘、上焊盘和重布线。半导体基板包括作为有源表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面。贯通电极穿透半导体基板并且在半导体基板的中心部分中设置成沿第一方向的至少一列。中间焊盘在第二表面的边缘部分中设置成沿第一方向的至少一列。上焊盘设置在第二表面上并连接到贯通电极。重布线设置在第二表面上并将中间焊盘连接到上焊盘。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102456663B
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201110309782.3
申请日：2011-10-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/563 , H01L21/76898 , H01L23/3128 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68372 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/0557 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13009 , H01L2224/13025 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73257 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06544 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1304 , H01L2924/14 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19104 , H01L2924/00 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一半导体芯片，其包括穿透其至少一部分的第一穿透电极和第二穿透电极，第一穿透电极具有第一突出高度，第二穿透电极具有高于第一突出高度的第二突出高度；第二半导体芯片，其与第一穿透电极电连接；以及第三半导体芯片，其与第二穿透电极电连接。
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公开(公告)号：CN103165505A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210530236.7
申请日：2012-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/60 , H01L23/498
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/561 , H01L23/02 , H01L23/04 , H01L23/053 , H01L23/055 , H01L23/057 , H01L23/08 , H01L23/12 , H01L23/13 , H01L23/24 , H01L23/3128 , H01L23/34 , H01L23/4926 , H01L23/49575 , H01L23/5389 , H01L24/13 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/24011 , H01L2224/24146 , H01L2224/32145 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/82031 , H01L2224/82101 , H01L2224/96 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2225/06586 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2224/82 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供了制造扇出晶片级封装的方法以及由该方法形成的封装。该扇出晶片级封装包括：至少两个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或外部端子，在绝缘层上。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。再分布线图案可以电连接到该至少两个半导体芯片。外部端子可以电连接到再分布线图案。扇出晶片级封装可以包括：至少三个半导体芯片；绝缘层，覆盖第一半导体芯片的部分；模制层，覆盖第二半导体芯片的部分；再分布线图案，在绝缘层中；和/或在绝缘层上的外部端子。第一半导体芯片可以相对于第二半导体芯片堆叠。
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公开(公告)号：CN110707060B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201910276289.2
申请日：2019-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L25/18 , H01L23/31 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体芯片包括：半导体基板、贯通电极、中间焊盘、上焊盘和重布线。半导体基板包括作为有源表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面。贯通电极穿透半导体基板并且在半导体基板的中心部分中设置成沿第一方向的至少一列。中间焊盘在第二表面的边缘部分中设置成沿第一方向的至少一列。上焊盘设置在第二表面上并连接到贯通电极。重布线设置在第二表面上并将中间焊盘连接到上焊盘。
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公开(公告)号：CN102446863B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201110306691.4
申请日：2011-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/98 , H01L21/56 , H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/31
CPC classification number: H01L23/49811 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/291 , H01L23/3121 , H01L23/481 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/02372 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/13025 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81005 , H01L2224/83005 , H01L2224/83104 , H01L2224/94 , H01L2224/95001 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01044 , H01L2924/01047 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/1811 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
Abstract: 本发明提供一种半导体封装件及其制造方法。一种形成具有大容量和减小或最小化的体积的半导体封装件的方法包括以下步骤：利用粘结层将半导体基底附接在支撑基底上，其中，半导体基底包括多个第一半导体芯片和芯片切割区域；在多个第一半导体芯片中的第一个和第二个之间形成具有第一切口宽度的第一切割凹槽，从而将半导体基底分成多个第一半导体芯片；将分别与第一半导体芯片对应的多个第二半导体芯片附接到多个第一半导体芯片；形成模塑层以填充第一切割凹槽；在模塑层中形成具有比第一切口宽度小的第二切口宽度的第二切割凹槽，以将模塑层分成覆盖多个第一半导体芯片中的一个和多个第二半导体芯片中的相应的一个的各个模塑层。
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