公开(公告)号：CN114256190A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110862200.8

申请日：2021-07-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 都来亨 ,  李种昊 ,  廉根大

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/02 ,  H01L23/10 ,  H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器封装件，包括电路板、位于电路板上的图像传感器芯片、位于图像传感器芯片上的堆叠凸块结构、将电路板连接到堆叠凸块结构的接合线、位于图像传感器芯片上并且覆盖堆叠凸块结构和接合线两者的阻挡元件、位于电路板上与阻挡元件接触并且覆盖图像传感器芯片和接合线两者的模制元件。

公开(公告)号：CN107424975B

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN201710260396.7

申请日：2017-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕官 ,  廉根大 ,  李种昊 ,  宋昊建

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 在一个实施方式中，半导体模块包括模块基板和安装在模块基板的第一表面上并且电连接到模块基板的第一表面的第一基板。第一基板具有半导体模块的一个或更多第一电连接器，并且第一基板将第一电连接器电连接到模块基板。

公开(公告)号：CN119275215A

公开(公告)日：2025-01-07

申请号：CN202410893950.5

申请日：2024-07-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕官 ,  廉根大 ,  黄昡

IPC: H01L23/552 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L23/488

Abstract: 一种半导体封装件包括：衬底；衬底上的第一半导体芯片；第一半导体芯片上的散热结构；第一半导体芯片与散热结构之间的粘合剂层；散热结构上的第二半导体芯片；在衬底上并且覆盖第一半导体芯片的至少一部分、散热结构的至少一部分和第二半导体芯片的至少一部分的模制膜；以及模制膜的上表面和侧壁上的屏蔽层，其中，屏蔽层包括延伸至第一孔中并且接触第一半导体芯片的上表面的第一部分，第一孔可穿透模制膜、散热结构和粘合剂层。

公开(公告)号：CN107424975A

公开(公告)日：2017-12-01

申请号：CN201710260396.7

申请日：2017-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李镕官 ,  廉根大 ,  李种昊 ,  宋昊建

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L25/18 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/16141 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/81 ,  H01L23/49811

Abstract: 在一个实施方式中，半导体模块包括模块基板和安装在模块基板的第一表面上并且电连接到模块基板的第一表面的第一基板。第一基板具有半导体模块的一个或更多第一电连接器，并且第一基板将第一电连接器电连接到模块基板。

公开(公告)号：CN102163579B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201110038739.8

申请日：2011-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李喜哲 ,  郑命杞 ,  廉根大

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/09517 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33517 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  Y10S438/948 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了能够减小焊盘与阻焊剂之间高度差的焊盘栅格阵列封装。该焊盘栅格阵列(LGA)封装包括：基板，包括形成在基板的第一表面上的多个焊盘；半导体芯片，安装在基板的第二表面上；连接部分，连接半导体芯片和基板；以及支撑层，形成在第一焊盘的部分表面上。

公开(公告)号：CN102163579A

公开(公告)日：2011-08-24

申请号：CN201110038739.8

申请日：2011-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李喜哲 ,  郑命杞 ,  廉根大

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/498

CPC classification number: H01L23/3121 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/09517 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/33517 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  Y10S438/948 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开了能够减小焊盘与阻焊剂之间高度差的焊盘栅格阵列封装。该焊盘栅格阵列(LGA)封装包括：基板，包括形成在基板的第一表面上的多个焊盘；半导体芯片，安装在基板的第二表面上；连接部分，连接半导体芯片和基板；以及支撑层，形成在第一焊盘的部分表面上。