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公开(公告)号：CN119943809A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202410941984.7
申请日：2024-07-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 白承德
IPC: H01L23/528 , H01L23/48 , H01L23/31 , H01L25/18 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装包括与至少一个第一焊盘接触的至少一个第一互连导体、以及在该至少一个第一互连导体的相对侧的第一外围导体，该第一外围导体在第一水平方向上延伸。该半导体封装还包括与至少一个第二焊盘接触的至少一个第二互连导体、以及在该至少一个第二互连导体的相对侧的第二外围导体，该第二外围导体在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸。在平面图中，第一外围导体与第二外围导体重叠的第一重叠区域在第一水平方向和第二水平方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN117116896A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310180121.8
申请日：2023-02-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L25/065
Abstract: 提供了一种包括下结构和上结构的半导体器件。下结构包括第一衬底、第一衬底上的第一焊盘、以及围绕第一焊盘的第一绝缘层。上结构包括第二衬底、第二衬底上的第二焊盘、以及围绕第二焊盘的第二绝缘层。上结构与下结构彼此接触。第一焊盘与第二焊盘彼此接触。第一绝缘层与第二绝缘层彼此接触。第一绝缘层包括与第一焊盘相邻的第一凹陷，第二绝缘层包括与第二焊盘相邻并与第一凹陷重叠的第二凹陷，并且空腔由第一凹陷和第二凹陷限定，且构成第一焊盘和第二焊盘的金属性材料的颗粒在该空腔中。
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公开(公告)号：CN111081649A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910770237.0
申请日：2019-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/488
Abstract: 一种半导体封装可包括封装衬底、中间层、逻辑芯片、至少一个存储器芯片及散热器。所述中间层可位于所述封装衬底的上表面之上。所述中间层可与所述封装衬底电连接。所述逻辑芯片可位于所述中间层的上表面之上。所述逻辑芯片可与所述中间层电连接。所述存储器芯片可位于所述中间层的上表面之上。所述存储器芯片可与所述中间层及所述逻辑芯片电连接。所述散热器可与所述逻辑芯片的上表面进行热接触，以耗散所述逻辑芯片中的热量。
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公开(公告)号：CN1624919A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN200410078584.0
申请日：2004-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L21/768 , H01L21/82 , H01L23/50 , H01L25/04 , H01L25/18 , H01L27/02 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种电子模块，包括一个单片微电子基板，该基板包括至少一个集成电路管芯，例如，多个未分开的存储器管芯或不同类型的集成电路管芯的混合体。所述单片基板还包括一个重分布机构，该重分布结构设置在至少一个集成电路管芯上并且提供了与所述至少一个集成电路管芯相连的连接器接触件。例如，所述连接器接触件可以构为一个用于所述模块的边缘连接器接触件的形式。所述重分布结构可以构成为提供与所述至少一个集成电路管芯电连接的无源电子器件的形式，和/或所述重分布结构可以包括至少一个构成为与安装在所述基板上的电子器件的接触盘实现电连接的形式的导电层，其中所述无源器件可以是，例如，电感、电容和/或电阻。还论述了电子模块的制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110137144B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910066850.4
申请日：2019-01-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本公开提供了具有平坦化的钝化层的半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：半导体基板，被分成焊盘区域和单元区域并具有有源表面和与有源表面相反的非有源表面；多个金属线，在半导体基板的有源表面上；钝化层，在半导体基板的有源表面上；以及多个凸块，在单元区域中。钝化层包括第一钝化层和第二钝化层，该第一钝化层覆盖所述多个金属线并具有沿着所述多个金属线的排布轮廓的非平坦的顶表面，该第二钝化层在第一钝化层的非平坦的顶表面上并具有其上设置所述多个凸块的平坦化的顶表面。
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公开(公告)号：CN117995786A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202310875705.7
申请日：2023-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体封装，包括：衬底，包括衬底焊盘和多个过孔，该衬底在衬底的顶表面上具有第一沟槽；以及在衬底上的芯片堆叠，包括半导体芯片。第一半导体芯片的芯片焊盘接合到衬底的衬底焊盘，该第一半导体芯片是半导体芯片中的最下半导体芯片。芯片焊盘和衬底焊盘由相同的金属材料形成。当在平面图中观察时，第一沟槽与第一半导体芯片的角部重叠。
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公开(公告)号：CN116169103A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211480301.X
申请日：2022-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/482 , H01L23/488
Abstract: 半导体封装可以包括第一半导体芯片和在其顶表面上的第二半导体芯片。第一半导体芯片可以包括在第一半导体基板的顶表面上的第一接合焊盘以及在第一接合焊盘的底表面上并穿透第一半导体基板的第一穿透通路。第二半导体芯片可以包括在第二半导体基板的底表面上的第二互连图案以及在第二互连图案的底表面上并且联接到第二互连图案的第二接合焊盘。第二接合焊盘可以直接接合到第一接合焊盘。第一穿透通路的宽度可以小于第一接合焊盘的宽度，第二互连图案的宽度可以大于第二接合焊盘的宽度。
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公开(公告)号：CN112447670A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202010915149.8
申请日：2020-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528
Abstract: 一种集成电路装置包括布线结构、第一布线间绝缘层、第二布线间绝缘层、再分布图案和覆盖绝缘层。布线结构包括具有多层布线结构的布线层和通孔插塞。第一布线间绝缘层围绕基板上的布线结构。第二布线间绝缘层在第一布线间绝缘层上，并且再分布通孔插塞通过第二布线间绝缘层连接到布线结构。再分布图案在第二布线间绝缘层上包括焊盘图案和虚设图案。各个图案的厚度大于各个布线层的厚度。覆盖绝缘层覆盖一些再分布图案。虚设图案是在平行于基板的水平方向上延伸的线的形式。
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公开(公告)号：CN109994443A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201811425214.8
申请日：2018-11-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/07
Abstract: 一种半导体封装包括第一半导体芯片和连接到所述第一半导体芯片的第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括：第一芯片基板，具有彼此相对的第一上表面和第一下表面；第一硅通孔(TSV)；下部连接焊盘和第一下部钝化层，位于所述第一芯片基板的第一下表面上，所述第一下部钝化层暴露所述下部连接焊盘的一部分；上部连接焊盘和第一上部钝化层，位于所述第一芯片基板的第一上表面上，所述第一上部钝化层包括第一上部无机材料层。所述第二半导体芯片包括第二TSV。其中，所述第一下部钝化层具有第一下部无机材料层和下部有机材料层的堆叠结构。
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