公开(公告)号：CN114121860A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110792483.3

申请日：2021-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暋起 ,  金德圭 ,  郑在珉 ,  河政圭 ,  韩相旭

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31

Abstract: 公开了一种半导体封装，包括：半导体芯片；第一芯片焊盘，在半导体芯片的底表面上并且与半导体芯片的第一方向上的第一侧表面相邻，该第一侧表面在平面图中在第一方向上与第一芯片焊盘分开；以及，第一引线框，耦接到第一芯片焊盘。第一引线框包括：第一部分，在第一芯片焊盘的底表面上，并且从第一芯片焊盘在第二方向上延伸，该第二方向上与第一方向相反并且远离半导体芯片的第一侧表面；以及第二部分，当在平面图中查看时，第二部分连接到第一部分的第一端部并且沿第一方向延伸，以在穿过第一芯片焊盘的一侧以后、延伸到超过半导体芯片的第一侧表面。

公开(公告)号：CN117936502A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202310750217.3

申请日：2023-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全光宰 ,  金暋起 ,  申亨澈 ,  李元一 ,  李赫宰 ,  赵恩彬

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 公开了一种包括下部结构和上部结构的半导体封装件。下部结构包括第一半导体衬底、垂直地穿过第一半导体衬底的第一贯通通路、连接到第一贯通通路的第一信号焊盘、在第一信号焊盘之间并且与第一贯通通路电隔离的第一虚设焊盘以及围绕第一信号焊盘和第一虚设焊盘的第一电介质层。上部结构包括第二半导体衬底、第二信号焊盘和第二虚设焊盘以及围绕第二信号焊盘和第二虚设焊盘的第二电介质层。第一信号焊盘与相应的第二信号焊盘接触。第一虚设焊盘与相应的第二虚设焊盘接触。第一虚设焊盘之间的第一间隔是第一信号焊盘之间的第二间隔的0.5至1.5倍。

公开(公告)号：CN117116896A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310180121.8

申请日：2023-02-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暋起 ,  白承德 ,  李赫宰

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/065

Abstract: 提供了一种包括下结构和上结构的半导体器件。下结构包括第一衬底、第一衬底上的第一焊盘、以及围绕第一焊盘的第一绝缘层。上结构包括第二衬底、第二衬底上的第二焊盘、以及围绕第二焊盘的第二绝缘层。上结构与下结构彼此接触。第一焊盘与第二焊盘彼此接触。第一绝缘层与第二绝缘层彼此接触。第一绝缘层包括与第一焊盘相邻的第一凹陷，第二绝缘层包括与第二焊盘相邻并与第一凹陷重叠的第二凹陷，并且空腔由第一凹陷和第二凹陷限定，且构成第一焊盘和第二焊盘的金属性材料的颗粒在该空腔中。

公开(公告)号：CN116895621A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202211667389.6

申请日：2022-12-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金志勋 ,  金暋起 ,  李元一 ,  李赫宰

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/498 ,  H01L25/18 ,  H01L25/065 ,  H01L21/60

Abstract: 公开了半导体器件及制造其的方法。所述半导体器件包括下结构和上结构。所述下结构包括第一半导体衬底、第一焊盘和第一电介质层。所述上结构包括第二半导体衬底、第二焊盘和第二电介质层。所述上结构和所述下结构彼此接合以使得所述第一焊盘和所述第二焊盘彼此接触并且使得所述第一电介质层和所述第二电介质层彼此接触。所述第一焊盘与所述第二焊盘之间的第一界面所处的高度不同于所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的第二界面的高度。当在所述半导体器件的俯视图中观察时，所述第一焊盘的第一面积大于所述第二焊盘的第二面积。所述第二焊盘的第二厚度与所述第一焊盘的第一厚度不同。

公开(公告)号：CN116169103A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202211480301.X

申请日：2022-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暋起 ,  白承德

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/482 ,  H01L23/488

Abstract: 半导体封装可以包括第一半导体芯片和在其顶表面上的第二半导体芯片。第一半导体芯片可以包括在第一半导体基板的顶表面上的第一接合焊盘以及在第一接合焊盘的底表面上并穿透第一半导体基板的第一穿透通路。第二半导体芯片可以包括在第二半导体基板的底表面上的第二互连图案以及在第二互连图案的底表面上并且联接到第二互连图案的第二接合焊盘。第二接合焊盘可以直接接合到第一接合焊盘。第一穿透通路的宽度可以小于第一接合焊盘的宽度，第二互连图案的宽度可以大于第二接合焊盘的宽度。

公开(公告)号：CN119069457A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202410080693.3

申请日：2024-01-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暋起 ,  姜来荣 ,  金志勳 ,  薛珍暻 ,  李赫宰

IPC: H01L23/528 ,  H01L25/04 ,  H01L25/16 ,  H01L25/18

Abstract: 提供一种半导体封装件，该半导体封装件包括具有信号区域和虚设区域的第一裸片，以及在第一裸片上的第二裸片。第一裸片包括在虚设区域上沿第一方向布置的第一虚设图案、在虚设区域上并且在第一虚设图案之间的第二虚设图案、在第一虚设图案和第二虚设图案上的第一介电层、以及延伸穿过第一介电层并且结合到第一虚设图案的第一垫。第二裸片包括虚设区域上的第二垫和虚设区域上的第三垫。在第一和第二裸片之间的接口上，第一垫与第二垫接触。第一介电层位于第二虚设图案和第三垫之间。第一虚设图案连接到第一裸片的接地电路或电源电路。

公开(公告)号：CN117637726A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202310563787.1

申请日：2023-05-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李赫宰 ,  金暋起 ,  白承德

IPC: H01L25/16 ,  H01L25/065 ,  H10B80/00

Abstract: 一种半导体装置包括第一芯片和堆叠在第一芯片上的第二芯片。第一芯片包括第一衬底、第一衬底的上表面上的第一上焊盘、包围第一上焊盘的下部的第一上绝缘层以及包围第一上焊盘的上部的牺牲层。第二芯片包括第二衬底、第二衬底的上表面上的第二上焊盘和包围第二上焊盘的第二上绝缘层，其中，第二上焊盘的厚度小于第一上焊盘的厚度。

公开(公告)号：CN117423671A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202310747573.X

申请日：2023-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金暋起 ,  白承德 ,  李赫宰

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体器件包括：基底结构，其包括第一接合焊盘和第一测试焊盘；以及半导体芯片，其包括与基底结构的第一接合焊盘接触的第二接合焊盘和与基底结构的第一测试焊盘接触的第二测试焊盘。半导体芯片的第二接合焊盘的宽度小于半导体芯片的第二测试焊盘的宽度。在基底结构的第一测试焊盘和半导体芯片的第二测试焊盘之间提供气隙。