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公开(公告)号：CN117457617A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202310924283.8
申请日：2023-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H10B80/00
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片；多个第二半导体芯片，其堆叠在所述第一半导体芯片上并且具有比所述第一半导体芯片的宽度窄的宽度；以及模制层，其在第一半导体芯片的上表面上。所述第一半导体芯片包括：第一前表面焊盘、被划分为第一区域和第二区域的第一后表面绝缘层、在所述第一区域中的第一后表面焊盘、在所述第二区域中的虚设焊盘、以及将所述第一前表面焊盘和所述第一后表面焊盘彼此电连接的第一贯穿电极，其中，每个所述虚设焊盘的上表面上设置有金属氧化物膜。所述多个第二半导体芯片中的每个第二半导体芯片包括第二前表面焊盘、第二后表面焊盘、以及将所述第二前表面焊盘和所述第二后表面焊盘彼此电连接的第二贯穿电极。
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公开(公告)号：CN116895621A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202211667389.6
申请日：2022-12-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/498 , H01L25/18 , H01L25/065 , H01L21/60
Abstract: 公开了半导体器件及制造其的方法。所述半导体器件包括下结构和上结构。所述下结构包括第一半导体衬底、第一焊盘和第一电介质层。所述上结构包括第二半导体衬底、第二焊盘和第二电介质层。所述上结构和所述下结构彼此接合以使得所述第一焊盘和所述第二焊盘彼此接触并且使得所述第一电介质层和所述第二电介质层彼此接触。所述第一焊盘与所述第二焊盘之间的第一界面所处的高度不同于所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的第二界面的高度。当在所述半导体器件的俯视图中观察时，所述第一焊盘的第一面积大于所述第二焊盘的第二面积。所述第二焊盘的第二厚度与所述第一焊盘的第一厚度不同。
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公开(公告)号：CN109887937B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201811351387.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供了形成再分布线的方法及用该方法制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：提供了具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面的半导体衬底，所述顶表面上形成有滤色器和微透镜；在所述半导体衬底的底表面上形成再分布线；在所述半导体衬底的底表面上形成覆盖所述再分布线的钝化层。在形成所述再分布线和所述钝化层之后，在避免对所述滤色器和所述微透镜造成热损坏的温度下，在所述再分布线与所述钝化层之间形成氧化物层。
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公开(公告)号：CN103905170B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201410171559.0
申请日：2009-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04L1/0083 , H04L1/1614 , H04L1/1635 , H04L1/1854 , H04L1/1893
Abstract: 提供一种在无线通信系统中生成自动重发请求(ARQ)反馈消息的装置和方法。在无线通信系统中生成ARQ反馈消息的方法包括：生成第一ARQ反馈信息，其包括一个或多个ARQ块的一ARQ块的信息；生成第二ARQ反馈信息，其指示第一ARQ反馈信息所指示的第一ARQ块和该第一ARQ块后面的连续ARQ块的ACK或NACK信息；生成包括第一ARQ反馈信息和第二ARQ反馈信息的ARQ反馈消息；以及向发送端发送ARQ反馈消息。
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公开(公告)号：CN117936502A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202310750217.3
申请日：2023-06-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538
Abstract: 公开了一种包括下部结构和上部结构的半导体封装件。下部结构包括第一半导体衬底、垂直地穿过第一半导体衬底的第一贯通通路、连接到第一贯通通路的第一信号焊盘、在第一信号焊盘之间并且与第一贯通通路电隔离的第一虚设焊盘以及围绕第一信号焊盘和第一虚设焊盘的第一电介质层。上部结构包括第二半导体衬底、第二信号焊盘和第二虚设焊盘以及围绕第二信号焊盘和第二虚设焊盘的第二电介质层。第一信号焊盘与相应的第二信号焊盘接触。第一虚设焊盘与相应的第二虚设焊盘接触。第一虚设焊盘之间的第一间隔是第一信号焊盘之间的第二间隔的0.5至1.5倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107689359B
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN201710397399.5
申请日：2017-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L21/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装件，其包括衬底、再布线层、多个半导体芯片堆叠结构以及第二半导体芯片。再布线层设置在衬底的上表面上。再布线层包括凹陷部。半导体芯片堆叠结构包括多个第一半导体芯片。第一半导体芯片设置在再布线层上。第一半导体芯片在水平方向上彼此隔开。第二半导体芯片设置在凹陷部中。第二半导体芯片构造为使多个半导体芯片堆叠结构中的每一个彼此电连接。
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公开(公告)号：CN110720200A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201880038291.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L12/851 , H04L12/801 , H04L29/08
Abstract: 本公开涉及用于支持比诸如长期演进(LTE)的4G(第四代)通信系统更高的数据传输速率的5G(第五代)或pre-5G通信系统。根据本公开的各种实施例，无线通信系统中的连接到分布单元(DU)和前传的中心单元(CU)中的设备可以包括：通信接口，该通信接口用于在CU与DU之间执行信令；至少一个处理器，该至少一个处理器用于基于信令确定是否控制DU的拥塞状态，并且当控制了DU的拥塞状态时，在分组数据汇聚协议(PDCP)处理之前停止向DU发送至少一个分组。
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公开(公告)号：CN109887937A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811351387.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供了形成再分布线的方法及用该方法制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：提供了具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面的半导体衬底，所述顶表面上形成有滤色器和微透镜；在所述半导体衬底的底表面上形成再分布线；在所述半导体衬底的底表面上形成覆盖所述再分布线的钝化层。在形成所述再分布线和所述钝化层之后，在避免对所述滤色器和所述微透镜造成热损坏的温度下，在所述再分布线与所述钝化层之间形成氧化物层。
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公开(公告)号：CN102132515A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN200980132491.2
申请日：2009-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L1/18
CPC classification number: H04L1/0083 , H04L1/1614 , H04L1/1635 , H04L1/1854 , H04L1/1893
Abstract: 提供一种在无线通信系统中生成自动重发请求(ARQ)反馈消息的装置和方法。在无线通信系统中生成ARQ反馈消息的方法包括：生成第一方案的第一ARQ反馈信息，第一ARQ反馈信息包括对其未执行ARQ反馈的一个或多个ARQ块的第一个出错的ARQ块的信息；生成第二方案的第二ARQ反馈信息，其指示第一ARQ反馈信息中未表示的至少一个ARQ块的错误；生成包括第一ARQ反馈信息和第二ARQ反馈信息的ARQ反馈消息；以及向发送端发送ARQ反馈消息。
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公开(公告)号：CN101816146A
公开(公告)日：2010-08-25
申请号：CN200880110075.8
申请日：2008-10-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L1/18
CPC classification number: H04L1/1614 , H04L1/165
Abstract: 本发明提供一种在通信系统中的自动重发请求(ARQ)数据块接收装置和方法。在所述ARQ方法中，ARQ反馈信息元素(IE)被发送给ARQ数据块发送装置。ARQ反馈IE包括：第一字段，指示ARQ连接的连接标识符(CID)；第二字段，指示在所述ARQ反馈IE之后的额外ARQ反馈IE的存在/不存在；第三字段，指示在所述ARQ反馈IE中所包含的确认(ACK)MAP的类型；第四字段，指示ARQ数据块的块序列号(BSN)；以及m个ACK MAP字段。
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