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公开(公告)号：CN109887937A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201811351387.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供了形成再分布线的方法及用该方法制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：提供了具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面的半导体衬底，所述顶表面上形成有滤色器和微透镜；在所述半导体衬底的底表面上形成再分布线；在所述半导体衬底的底表面上形成覆盖所述再分布线的钝化层。在形成所述再分布线和所述钝化层之后，在避免对所述滤色器和所述微透镜造成热损坏的温度下，在所述再分布线与所述钝化层之间形成氧化物层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109887937B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201811351387.X
申请日：2018-11-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 本申请提供了形成再分布线的方法及用该方法制造半导体器件的方法。所述制造半导体器件的方法包括：提供了具有顶表面和与所述顶表面相对的底表面的半导体衬底，所述顶表面上形成有滤色器和微透镜；在所述半导体衬底的底表面上形成再分布线；在所述半导体衬底的底表面上形成覆盖所述再分布线的钝化层。在形成所述再分布线和所述钝化层之后，在避免对所述滤色器和所述微透镜造成热损坏的温度下，在所述再分布线与所述钝化层之间形成氧化物层。
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公开(公告)号：CN113937073A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202110383497.X
申请日：2021-04-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L23/48
Abstract: 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括半导体基板和位于所述半导体基板的顶表面上的再分布图案，所述再分布图案具有暴露所述再分布图案的内侧壁的孔；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片的顶表面上；和凸块结构，所述凸块结构设置在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间。所述凸块结构设置在所述孔中，并且与所述再分布图案的所述内侧壁接触。
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公开(公告)号：CN110828447A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201910730049.5
申请日：2019-08-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/18 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01L23/482
Abstract: 本公开提供了半导体封装件及其制造方法。一种半导体封装件，包括：第一半导体芯片；第二半导体芯片，其位于第一半导体芯片上；第一半导体结构和第二半导体结构，其位于第一半导体芯片上并且在第二半导体芯片上彼此间隔开；以及含树脂构件，其插入在第二半导体芯片和第一半导体结构之间，并插入在第二半导体芯片和第二半导体结构之间。半导体封装件可以在晶片级制造。
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公开(公告)号：CN112133692A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202010500010.7
申请日：2020-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66 , H01L21/56 , H01L21/50 , H01L25/00
Abstract: 一种芯片堆叠的半导体封装件包括：第一芯片，其包括第一检测焊盘和第二检测焊盘；第二芯片，其设置在第一芯片上，第二芯片包括面对第一检测焊盘的第三检测焊盘和面对第二检测焊盘的第四检测焊盘；以及第一介质和第二介质，第一介质设置在第一检测焊盘与第三检测焊盘之间以通过第一介质将第一检测焊盘连接到第三检测焊盘，第二介质与第一介质不同，第二介质设置在第二检测焊盘与第四检测焊盘之间以通过第二介质将第二检测焊盘连接到第四检测焊盘。
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