公开(公告)号：CN113937073A

公开(公告)日：2022-01-14

申请号：CN202110383497.X

申请日：2021-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金南勋 ,  赵汊济 ,  权五局 ,  金孝恩 ,  延承勋

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/48

Abstract: 一种半导体封装件包括：第一半导体芯片，所述第一半导体芯片包括半导体基板和位于所述半导体基板的顶表面上的再分布图案，所述再分布图案具有暴露所述再分布图案的内侧壁的孔；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片的顶表面上；和凸块结构，所述凸块结构设置在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间。所述凸块结构设置在所述孔中，并且与所述再分布图案的所述内侧壁接触。

公开(公告)号：CN117594545A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310393323.0

申请日：2023-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朱昶垠 ,  权五局 ,  金善载

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/18 ,  H10B80/00 ,  H01L21/56

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件可以包括：第一再分布基板；第二再分布基板，其位于第一再分布基板上；芯片堆叠件，其位于第一再分布基板与第二再分布基板之间；第一模制层，其位于芯片堆叠件上；以及贯通电极，其延伸到第一模制层中并且将第一再分布基板电连接到第二再分布基板。芯片堆叠件可以包括：第一半导体芯片，其位于第一再分布基板上，第一半导体芯片包括在其中延伸的贯通通路；芯片结构，其包括第二半导体芯片和第二模制层，第二半导体芯片位于第一半导体芯片上并且电连接到贯通通路；以及第三半导体芯片，其位于芯片结构与第二再分布基板之间，并且第一半导体芯片的侧表面可以与芯片结构的侧表面共面。