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公开(公告)号：CN107393921B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN201710346560.6
申请日：2017-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成有源图案，该衬底包括在第一方向上彼此相邻的第一逻辑单元区域和第二逻辑单元区域；以及在衬底上形成暴露有源图案的上部的器件隔离层。形成有源图案包括：形成在第一方向上彼此平行地延伸并跨过第一逻辑单元区域和第二逻辑单元区域的第一线掩模图案；在第一线掩模图案上形成上分隔掩模图案，上分隔掩模图案包括交叠第一线掩模图案中的至少两个的第一开口；从该至少两个第一线掩模图案形成第一硬掩模图案；以及蚀刻衬底以形成限定有源图案的沟槽。
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公开(公告)号：CN111029405A
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201910742197.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：衬底；有源区，从所述衬底向上突出；多个有源鳍，从所述有源区向上突出并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，所述多个有源鳍设置在与所述衬底的所述上表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上；以及隔离结构，设置在所述衬底上，所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述多个有源鳍中的每一个的侧壁的下部，其中，所述有源区的与所述多个有源鳍中的第一有源鳍相邻的第一侧壁具有阶梯形状，所述第一有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的第一边缘上。
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公开(公告)号：CN107393921A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710346560.6
申请日：2017-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/04
CPC classification number: H01L27/092 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L27/088 , H01L27/0886 , H01L27/0924 , H01L29/66674 , H01L29/66795 , H01L29/7801 , H01L29/785 , H01L27/04
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成有源图案，该衬底包括在第一方向上彼此相邻的第一逻辑单元区域和第二逻辑单元区域；以及在衬底上形成暴露有源图案的上部的器件隔离层。形成有源图案包括：形成在第一方向上彼此平行地延伸并跨过第一逻辑单元区域和第二逻辑单元区域的第一线掩模图案；在第一线掩模图案上形成上分隔掩模图案，上分隔掩模图案包括交叠第一线掩模图案中的至少两个的第一开口；从该至少两个第一线掩模图案形成第一硬掩模图案；以及蚀刻衬底以形成限定有源图案的沟槽。
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公开(公告)号：CN116344582A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202310300354.7
申请日：2017-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/06 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L27/088
Abstract: 公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上形成有源图案，该衬底包括在第一方向上彼此相邻的第一逻辑单元区域和第二逻辑单元区域；以及在衬底上形成暴露有源图案的上部的器件隔离层。形成有源图案包括：形成在第一方向上彼此平行地延伸并跨过第一逻辑单元区域和第二逻辑单元区域的第一线掩模图案；在第一线掩模图案上形成上分隔掩模图案，上分隔掩模图案包括交叠第一线掩模图案中的至少两个的第一开口；从该至少两个第一线掩模图案形成第一硬掩模图案；以及蚀刻衬底以形成限定有源图案的沟槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110720200B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201880038291.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04W28/02 , H04W28/086
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公开(公告)号：CN110603803B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN201780090531.6
申请日：2017-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及政府(科学和信息通信技术部(ICT))于2017年资助的“跨部门千兆韩国项目”(No.GK17N0100，毫米波5G移动通信系统发展)的支持下进行的研究。本公开涉及用于5G通信系统的融合的通信技术及其系统，其中5G通信系统用于支持比具有物联网(IoT)技术的4G系统更高的数据传输速率。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务(例如，智能家居、智能建筑、智慧城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售业务、安全和与安全相关的服务等)。
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公开(公告)号：CN110603803A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201780090531.6
申请日：2017-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L29/08
Abstract: 本公开涉及政府(科学和信息通信技术部(ICT))于2017年资助的“跨部门千兆韩国项目”(No.GK17N0100，毫米波5G移动通信系统发展)的支持下进行的研究。本公开涉及用于5G通信系统的融合的通信技术及其系统，其中5G通信系统用于支持比具有物联网(IoT)技术的4G系统更高的数据传输速率。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务(例如，智能家居、智能建筑、智慧城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售业务、安全和与安全相关的服务等)。
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公开(公告)号：CN111029405B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201910742197.9
申请日：2019-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：衬底；有源区，从所述衬底向上突出；多个有源鳍，从所述有源区向上突出并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，所述多个有源鳍设置在与所述衬底的所述上表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上；以及隔离结构，设置在所述衬底上，所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述多个有源鳍中的每一个的侧壁的下部，其中，所述有源区的与所述多个有源鳍中的第一有源鳍相邻的第一侧壁具有阶梯形状，所述第一有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的第一边缘上。
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公开(公告)号：CN110720200A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201880038291.X
申请日：2018-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04L12/851 , H04L12/801 , H04L29/08
Abstract: 本公开涉及用于支持比诸如长期演进(LTE)的4G(第四代)通信系统更高的数据传输速率的5G(第五代)或pre-5G通信系统。根据本公开的各种实施例，无线通信系统中的连接到分布单元(DU)和前传的中心单元(CU)中的设备可以包括：通信接口，该通信接口用于在CU与DU之间执行信令；至少一个处理器，该至少一个处理器用于基于信令确定是否控制DU的拥塞状态，并且当控制了DU的拥塞状态时，在分组数据汇聚协议(PDCP)处理之前停止向DU发送至少一个分组。
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