公开(公告)号：CN111029405B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN201910742197.9

申请日：2019-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全永斗 ,  朴韩蔚 ,  朴世镇 ,  郑鲁永

IPC: H10D30/62 ,  H10D62/13

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：衬底；有源区，从所述衬底向上突出；多个有源鳍，从所述有源区向上突出并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，所述多个有源鳍设置在与所述衬底的所述上表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上；以及隔离结构，设置在所述衬底上，所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述多个有源鳍中的每一个的侧壁的下部，其中，所述有源区的与所述多个有源鳍中的第一有源鳍相邻的第一侧壁具有阶梯形状，所述第一有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的第一边缘上。

公开(公告)号：CN111029405A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201910742197.9

申请日：2019-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全永斗 ,  朴韩蔚 ,  朴世镇 ,  郑鲁永

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括：衬底；有源区，从所述衬底向上突出；多个有源鳍，从所述有源区向上突出并在与所述衬底的上表面平行的第一方向上延伸，所述多个有源鳍设置在与所述衬底的所述上表面平行并与所述第一方向交叉的第二方向上；以及隔离结构，设置在所述衬底上，所述隔离结构覆盖所述有源区的侧壁和所述多个有源鳍中的每一个的侧壁的下部，其中，所述有源区的与所述多个有源鳍中的第一有源鳍相邻的第一侧壁具有阶梯形状，所述第一有源鳍在所述第二方向上设置在所述有源区的第一边缘上。