公开(公告)号：CN105702668B

公开(公告)日：2018-06-22

申请号：CN201610119048.3

申请日：2016-03-03

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 王怀峰 ,  艾瑞克·布劳恩

IPC: H01L25/07 ,  H02M3/155 ,  H02M1/00

CPC classification number: H02M3/1588 ,  H01L27/02 ,  H01L28/00 ,  Y02B70/1466

Abstract: 本发明提出了一种用于同步开关变换器的集成半导体开关器件及一种同步开关变换器。集成半导体开关器件包括第一半导体单元和与第一半导体单元并联连接的第二半导体单元，其中第一半导体单元包括具有体二极管的MOS元件，第二半导体单元包括二极管或金属氧化物场效应晶体管，第二半导体单元根据电流的分布而不均匀地分布于第一半导体单元中。与现有技术相比，本发明的集成半导体开关器件在整体上的损耗更小，效率更高。

公开(公告)号：CN105428354B

公开(公告)日：2018-02-23

申请号：CN201510955242.0

申请日：2015-12-17

Applicant: 江南大学

Inventor： 梁海莲 ,  王鑫 ,  顾晓峰 ,  丁盛

IPC: H01L27/02

CPC classification number: H01L23/60 ,  H01L27/02

Abstract: 一种具有内嵌叉指NMOS双向SCR结构的ESD保护器件，可用于片上IC的ESD保护电路。主要由P衬底、P外延、第一N阱、P阱、第二N阱、第一N+注入区、第一P+注入区、第二N+注入区、第三N+注入区、第二P+注入区、第四N+注入区、第五N+注入区、第三P+注入区、第六N+注入区、若干多晶硅栅、若干薄栅氧化层、若干浅隔离槽构成。该器件一方面在正、反向的ESD脉冲作用下，器件内部均存在一条结构对称，电学特性完全相同的ESD电流泄放路径，可提高器件的ESD电流泄放能力，实现ESD脉冲的双向防护，另一方面由NMOS M1和M2管构成的叉指NMOS结构与寄生P阱电阻形成阻容耦合电流路径，以增强器件的ESD鲁棒性，降低SCR电流导通路径中的电流密度，增大SCR的导通电阻，提高维持电压。

公开(公告)号：CN106684080A

公开(公告)日：2017-05-17

申请号：CN201610537492.7

申请日：2016-07-08

Applicant: 恩智浦有限公司

Inventor： 吉多·沃特·威廉·夸克斯 ,  赖大伟

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/60

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L23/5286 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/87 ,  H01L27/02 ,  H01L23/60

Abstract: 一种包括硅可控整流器的静电放电保护装置。在一个例子中，该硅可控整流器包括位于半导体衬底中的第一n型区。该硅可控整流器还包括在该半导体衬底中与该第一n型区相邻而定位的第一p型区。该硅可控整流器另外包括位于该第一n型区中的n型接触区和p型接触区。该硅可控整流器还包括位于该第一p型区中的n型接触区和p型接触区。该硅可控整流器另外包括电阻率比该第一p型区更高的阻挡区。该阻挡区位于在该第一p型区中的该n型接触区和该p型接触区之间，用于降低该硅可控整流器的触发电压。

公开(公告)号：CN106611761A

公开(公告)日：2017-05-03

申请号：CN201610922836.6

申请日：2016-10-26

Applicant: 德克萨斯仪器股份有限公司

Inventor： D·卡罗瑟斯 ,  R·杰克逊 ,  R·穆霍帕迪亚 ,  B·库克

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L29/0649 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L28/00 ,  H01L29/4175 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2924/00014 ,  H01L27/02

Abstract: 本申请公开了使用前侧深沟槽刻蚀隔离电路元件。一种集成电路(400，图4)通过以下方式形成：形成穿过互连区域(404)的至少部分的隔离沟槽(430、432、434)，该沟槽深入集成电路的基板(402)中至少40微米，至少200微米的基板材料留在隔离沟槽下方。介电材料(434)在不大于320℃的基板温度下形成在隔离沟槽中以形成隔离结构(424)，该隔离结构(424)将集成电路的隔离区域(438)与基板的至少部分分隔。隔离区域包含隔离组件(406)。集成电路的隔离区域可为基板中的区域，和/或互连区域中的区域。隔离区域可为基板的第一部分，其与基板的第二部分侧向地分隔。隔离区域可为在隔离结构上方的互连区域的部分。

公开(公告)号：CN103454798B

公开(公告)日：2017-01-25

申请号：CN201310390431.9

申请日：2013-08-30

Applicant: 合肥京东方光电科技有限公司 ,  京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 周纪登

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1343

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G09G3/3648 ,  H01L27/02 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/3244

Abstract: 本发明实施例公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，能够改善ADS TFT-LCD的显示面板的画面泛绿现象，且易于实现。所述阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的纵横交错的栅线、数据线和公共电极，所述公共电极包括透明导电层和位于所述透明导电层之下的第一辅助导电层，所述公共电极的第一辅助导电层与所述栅线或所述数据线重叠。本发明应用于液晶显示器。

公开(公告)号：CN103378713B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310143441.2

申请日：2013-04-23

Applicant: 株式会社电装

Inventor： 稻村洋

IPC: H02M1/00

CPC classification number: H01L27/02 ,  H01L27/0203 ,  H01L27/0207 ,  H02M7/003 ,  H05K1/0254 ,  H05K3/3447 ,  H05K2201/09409 ,  H05K2201/097 ,  H05K2201/09709 ,  H05K2201/10053 ,  H05K2201/10522

Abstract: 本发明公开一种电力转换设备，包括：半导体模块和形成有控制电路的电路板。每个半导体模块包括电连接至电路板的信号端子。每个半导体模块的信号端子成一直线地布置以形成沿着第一方向的端子列。半导体模块由上臂半导体模块和每个都连接至上臂半导体模块中相应的一个的下臂半导体模块组成。作为上臂半导体模块的端子列的上臂端子列与作为下臂半导体模块的端子列的下臂端子列沿着第二方向以交错的方式布置，第二方向垂直于第一方向并且垂直于半导体模块的信号端子伸出的第三方向，第一、第二和第三方向彼此垂直。

公开(公告)号：CN106098800A

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201610471343.5

申请日：2016-06-23

Applicant: 中国电子科技集团公司第二十四研究所

Inventor： 廖望 ,  高炜祺 ,  雷郎成 ,  刘虹宏 ,  赵思源 ,  苏晨 ,  刘文喆

IPC: H01L29/92 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L29/92 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明提供一种电容结构及电容阵列，该电容结构包括上极板和下极板，其中上极板包括主上极板和次上极板，主上极板与公共端连接，次上极板接地，且主上极板与下极板构成主电容，次上极板与下极板构成次电容。本发明通过在电容结构中设置有主上极板和次上极板，并使对应的主电容参与电荷重分配，次电容不参与电荷重分配，通过修改主上极板的面积可以改变主电容的电容值，从而使电容结构具有不同的分数倍电容值，并且在使用电容结构时通过使各个电容结构中主上极板与次上极板的面积之和相等，可以解决使用多个电容值大小不同的电容结构时存在的电容失配的问题。

公开(公告)号：CN106024781A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610584181.6

申请日：2016-07-22

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 盖翠丽 ,  王龙彦 ,  王玲 ,  李全虎 ,  林奕呈

IPC: H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/0266 ,  G02F1/136204 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/77 ,  H01L27/02 ,  H01L27/0288 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/40 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/788

Abstract: 本发明提供静电放电器件、其制造方法及有源阵列基板、显示面板、显示装置。该静电放电器件包括晶体管，晶体管的源极和漏极之一作为静电放电器件的输入端，另一者作为输出端，晶体管具有：作为第一浮空栅极的第一导电层；覆盖第一导电层的第一绝缘层；位于第一绝缘层上的有源层；覆盖有源层的第二绝缘层；作为第二浮空栅极的第二导电层，位于第二绝缘层上；覆盖第二导电层的第三绝缘层；及位于第三绝缘层上且分别位于有源层两侧的彼此隔离的第三导电层和第四导电层，第三导电层作为源极和漏极的一者，第四导电层作为源极和漏极的另一者。

公开(公告)号：CN105762146A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610227774.7

申请日：2010-12-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·皮拉里塞 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  B·舒-金 ,  W·拉赫马迪 ,  M·K·胡代特 ,  N·慕克吉 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  R·S·周

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7784 ,  H01L29/151 ,  H01L29/155 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

Abstract: 公开了用于向在半导体异质结构中形成的器件提供低电阻自对准接触的技术。例如，可以采用所述技术形成与在III?V族和SiGe/Ge材料系中制造的量子阱晶体管的栅极、源极区和漏极区的接触。与在源极/漏极接触和栅极之间导致了相对较大的空间的常规接触工艺流程不同，由文中描述的技术提供的作为产物的源极和漏极接触是自对准的，因为每一接触均与栅极电极对准，并通过间隔体材料与之隔离。

公开(公告)号：CN105702668A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201610119048.3

申请日：2016-03-03

Applicant: 成都芯源系统有限公司

Inventor： 王怀峰 ,  艾瑞克·布劳恩

IPC: H01L25/07 ,  H02M3/155 ,  H02M1/00

CPC classification number: H02M3/1588 ,  H01L27/02 ,  H01L28/00 ,  Y02B70/1466 ,  H01L25/07 ,  H02M1/00 ,  H02M3/155

Abstract: 本发明提出了一种用于同步开关变换器的集成半导体开关器件及一种同步开关变换器。集成半导体开关器件包括第一半导体单元和与第一半导体单元并联连接的第二半导体单元，其中第一半导体单元包括具有体二极管的MOS元件，第二半导体单元包括二极管或金属氧化物场效应晶体管，第二半导体单元根据电流的分布而不均匀地分布于第一半导体单元中。与现有技术相比，本发明的集成半导体开关器件在整体上的损耗更小，效率更高。