公开(公告)号：CN101790790B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200880104492.1

申请日：2008-08-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·胡代特 ,  S·达塔 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  P·G·托尔钦斯基

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7782 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66431

Abstract: 本公开提供了一种用于实现在硅(“Si”)衬底上的高空穴迁移率p沟道锗(“Ge”)晶体管结构的装置和方法。一种示例性装置可以包括：包括GaAs成核层、第一GaAs缓冲层和第二GaAs缓冲层的缓冲层。所述示例性装置还可以包括在所述第二GaAs缓冲层上且带隙大于1.1eV的底部阻挡层、在所述底部阻挡层上且相对于所述底部阻挡层具有大于0.3eV的价带偏移的Ge有源沟道层、以及在所述Ge有源沟道层上的AlAs顶部阻挡层，其中，所述AlAs顶部阻挡层的带隙大于1.1eV。当然，在不偏离本实施例的情况下，可以有许多替代、变化和变型。

公开(公告)号：CN105762146B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201610227774.7

申请日：2010-12-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·皮拉里塞 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  B·舒-金 ,  W·拉赫马迪 ,  M·K·胡代特 ,  N·慕克吉 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  R·S·周

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7784 ,  H01L29/151 ,  H01L29/155 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了用于向在半导体异质结构中形成的器件提供低电阻自对准接触的技术。例如，可以采用所述技术形成与在III‑V族和SiGe/Ge材料系中制造的量子阱晶体管的栅极、源极区和漏极区的接触。与在源极/漏极接触和栅极之间导致了相对较大的空间的常规接触工艺流程不同，由文中描述的技术提供的作为产物的源极和漏极接触是自对准的，因为每一接触均与栅极电极对准，并通过间隔体材料与之隔离。

公开(公告)号：CN101790790A

公开(公告)日：2010-07-28

申请号：CN200880104492.1

申请日：2008-08-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： M·K·胡代特 ,  S·达塔 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  P·G·托尔钦斯基

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7782 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/267 ,  H01L29/66431

Abstract: 本公开提供了一种用于实现在硅(“Si”)衬底上的高空穴迁移率p沟道锗(“Ge”)晶体管结构的装置和方法。一种示例性装置可以包括：包括GaAs成核层、第一GaAs缓冲层和第二GaAs缓冲层的缓冲层。所述示例性装置还可以包括在所述第二GaAs缓冲层上且带隙大于1.1eV的底部阻挡层、在所述底部阻挡层上且相对于所述底部阻挡层具有大于0.3eV的价带偏移的Ge有源沟道层、以及在所述Ge有源沟道层上的AlAs顶部阻挡层，其中，所述AlAs顶部阻挡层的带隙大于1.1eV。当然，在不偏离本实施例的情况下，可以有许多替代、变化和变型。

公开(公告)号：CN102668089B

公开(公告)日：2016-04-20

申请号：CN201080058274.6

申请日：2010-12-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·皮拉里塞 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  B·舒-金 ,  W·拉赫马迪 ,  M·K·胡代特 ,  N·慕克吉 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  R·S·周

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7784 ,  H01L29/151 ,  H01L29/155 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了用于向在半导体异质结构中形成的器件提供低电阻自对准接触的技术。例如，可以采用所述技术形成与在III-V族和SiGe/Ge材料系中制造的量子阱晶体管的栅极、源极区和漏极区的接触。与在源极/漏极接触和栅极之间导致了相对较大的空间的常规接触工艺流程不同，由文中描述的技术提供的作为产物的源极和漏极接触是自对准的，因为每一接触均与栅极电极对准，并通过间隔体材料与之隔离。

公开(公告)号：CN102668089A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201080058274.6

申请日：2010-12-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·皮拉里塞 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  B·舒-金 ,  W·拉赫马迪 ,  M·K·胡代特 ,  N·慕克吉 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  R·S·周

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/7784 ,  H01L29/151 ,  H01L29/155 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/78

Abstract: 公开了用于向在半导体异质结构中形成的器件提供低电阻自对准接触的技术。例如，可以采用所述技术形成与在III-V族和SiGe/Ge材料系中制造的量子阱晶体管的栅极、源极区和漏极区的接触。与在源极/漏极接触和栅极之间导致了相对较大的空间的常规接触工艺流程不同，由文中描述的技术提供的作为产物的源极和漏极接触是自对准的，因为每一接触均与栅极电极对准，并通过间隔体材料与之隔离。

公开(公告)号：CN105762146A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201610227774.7

申请日：2010-12-02

Applicant: 英特尔公司

Inventor： R·皮拉里塞 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  B·舒-金 ,  W·拉赫马迪 ,  M·K·胡代特 ,  N·慕克吉 ,  M·拉多萨夫列维奇 ,  R·S·周

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7784 ,  H01L29/151 ,  H01L29/155 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/78 ,  H01L27/02

Abstract: 公开了用于向在半导体异质结构中形成的器件提供低电阻自对准接触的技术。例如，可以采用所述技术形成与在III?V族和SiGe/Ge材料系中制造的量子阱晶体管的栅极、源极区和漏极区的接触。与在源极/漏极接触和栅极之间导致了相对较大的空间的常规接触工艺流程不同，由文中描述的技术提供的作为产物的源极和漏极接触是自对准的，因为每一接触均与栅极电极对准，并通过间隔体材料与之隔离。

公开(公告)号：CN101317252A

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200680043597.1

申请日：2006-12-15

Applicant: 英特尔公司

Inventor： S·达塔 ,  J·K·布拉斯克 ,  B·吉恩 ,  J·T·卡瓦列罗斯 ,  M·K·胡代特

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/10

CPC classification number: H01L29/66636 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/165 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7848 ,  Y10S438/933 ,  Y10S438/938

Abstract: 本发明描述了增强型晶体管，其中在源极和漏极区中使用了Ⅲ族－N化合物，从而将拉伸应变施加到沟道上。源极和漏极区可以是凸起的或嵌入的，并且与p沟道晶体管的凹陷或凸起的压缩区域一起形成。