-
公开(公告)号：CN111130084B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN201911051584.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 恩智浦有限公司
Inventor： 赛马克·德尔沙特伯 , 吉多·沃特·威廉·夸克斯 , 彼得·克里斯蒂亚安斯
IPC: H02H9/04
Abstract: 本文公开了一种方法、电路和系统的实施例。在一个实施例中，公开了一种放电保护电路。所述放电保护电路包括开关，所述开关具有在所述开关的栅极与漏极之间的电容耦合件，其中所述电容耦合件促进电容耦合电流。所述放电保护电路另外包括栅极网络，所述栅极网络至少包括所述开关的所述栅极、栅极控制元件和连接到所述栅极和所述栅极控制元件的电阻器。此外，所述放电保护电路包括静电放电轨，所述静电放电轨连接到二极管，所述二极管耦合到所述栅极和所述电阻器，其中所述电容耦合件促进静电放电电流的至少一部分经由所述栅极网络下沉。
-
公开(公告)号：CN114188317A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202010966141.4
申请日：2020-09-15
Applicant: 恩智浦有限公司
Inventor： 吉多·沃特·威廉·夸克斯 , 朱冬勇
IPC: H01L27/02
Abstract: 如本文所公开的，一种集成电路衬底包括耦合到信号端的第一区，并且包括经由二极管电路耦合到集成电路的供电电压端的保护区。所述第一区和所述保护区都具有第一导电类型。所述二极管电路的阴极连接到所述保护区，并且所述二极管电路的阳极连接到所述供电电压端。所述第一区和所述保护区至少由所述衬底的第二区分隔开，所述第二区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。
-
公开(公告)号：CN118472893A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202311361726.3
申请日：2023-10-19
Applicant: 恩智浦有限公司
Inventor： 吉多·沃特·威廉·夸克斯
Abstract: 提供一种静电放电(ESD)保护电路。所述ESD电路包括第一晶体管、第二晶体管和硅控整流器(SCR)电路。所述第一晶体管包括耦合在第一节点处的第一电流电极，和耦合在第一电压供应节点处的第二电流电极和控制电极。所述第二晶体管包括第一电流电极、第二电流电极和控制电极。所述第二晶体管的所述控制电极耦合在所述第一晶体管的体电极处。所述SCR电路包括耦合在所述第一节点处的阳极电极、耦合在所述第一电压供应节点处的阴极电极，和耦合在所述第二晶体管的所述第一电流电极处的触发输入。
-
公开(公告)号：CN106684080A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201610537492.7
申请日：2016-07-08
Applicant: 恩智浦有限公司
Inventor： 吉多·沃特·威廉·夸克斯 , 赖大伟
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L23/5286 , H01L29/0684 , H01L29/0692 , H01L29/87 , H01L27/02 , H01L23/60
Abstract: 一种包括硅可控整流器的静电放电保护装置。在一个例子中，该硅可控整流器包括位于半导体衬底中的第一n型区。该硅可控整流器还包括在该半导体衬底中与该第一n型区相邻而定位的第一p型区。该硅可控整流器另外包括位于该第一n型区中的n型接触区和p型接触区。该硅可控整流器还包括位于该第一p型区中的n型接触区和p型接触区。该硅可控整流器另外包括电阻率比该第一p型区更高的阻挡区。该阻挡区位于在该第一p型区中的该n型接触区和该p型接触区之间，用于降低该硅可控整流器的触发电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106684080B
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN201610537492.7
申请日：2016-07-08
Applicant: 恩智浦有限公司
Inventor： 吉多·沃特·威廉·夸克斯 , 赖大伟
Abstract: 一种包括硅可控整流器的静电放电保护装置。在一个例子中，该硅可控整流器包括位于半导体衬底中的第一n型区。该硅可控整流器还包括在该半导体衬底中与该第一n型区相邻而定位的第一p型区。该硅可控整流器另外包括位于该第一n型区中的n型接触区和p型接触区。该硅可控整流器还包括位于该第一p型区中的n型接触区和p型接触区。该硅可控整流器另外包括电阻率比该第一p型区更高的阻挡区。该阻挡区位于在该第一p型区中的该n型接触区和该p型接触区之间，用于降低该硅可控整流器的触发电压。
-
公开(公告)号：CN111130084A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911051584.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 恩智浦有限公司
Inventor： 赛马克·德尔沙特伯 , 吉多·沃特·威廉·夸克斯 , 彼得·克里斯蒂亚安斯
IPC: H02H9/04
Abstract: 本文公开了一种方法、电路和系统的实施例。在一个实施例中，公开了一种放电保护电路。所述放电保护电路包括开关，所述开关具有在所述开关的栅极与漏极之间的电容耦合件，其中所述电容耦合件促进电容耦合电流。所述放电保护电路另外包括栅极网络，所述栅极网络至少包括所述开关的所述栅极、栅极控制元件和连接到所述栅极和所述栅极控制元件的电阻器。此外，所述放电保护电路包括静电放电轨，所述静电放电轨连接到二极管，所述二极管耦合到所述栅极和所述电阻器，其中所述电容耦合件促进静电放电电流的至少一部分经由所述栅极网络下沉。
-
-
公开(公告)号：CN106257670B
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN201610397872.5
申请日：2016-06-07
Applicant: 恩智浦有限公司
Inventor： 赖大伟 , 吉多·沃特·威廉·夸克斯 , 吉耶兹·简·德拉德
Abstract: 本发明公开一种静电放电电源轨箝位电路和一种包括该静电放电电源轨箝位电路的集成电路。该电源轨箝位电路包括第一电源轨、第二电源轨和第一节点。该电路另外包括n沟道场效应晶体管，该n沟道场效应晶体管具有位于半导体衬底的隔离p阱中的源极和漏极。该漏极连接到该第一电源轨。该源极和隔离p阱连接到该第一节点。该电路还包括连接在该第一节点与该第二电源轨之间的电容器。该电路另外包括连接在该第一电源轨与该第一节点之间的电阻器。该电路还包括用于控制该场效应晶体管的栅极的反相器，其中该反相器具有连接到该第一节点的输入端。该电路另外包括连接在该第一节点与该第二电源轨之间的可控硅整流器。
-
公开(公告)号：CN106257670A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201610397872.5
申请日：2016-06-07
Applicant: 恩智浦有限公司
Inventor： 赖大伟 , 吉多·沃特·威廉·夸克斯 , 吉耶兹·简·德拉德
CPC classification number: H02H9/046 , H01L27/0255 , H01L27/0262 , H01L27/0266 , H01L27/0285 , H01L27/06 , H01L27/02
Abstract: 本发明公开一种静电放电电源轨箝位电路和一种包括该静电放电电源轨箝位电路的集成电路。该电源轨箝位电路包括第一电源轨、第二电源轨和第一节点。该电路另外包括n沟道场效应晶体管，该n沟道场效应晶体管具有位于半导体衬底的隔离p阱中的源极和漏极。该漏极连接到该第一电源轨。该源极和隔离p阱连接到该第一节点。该电路还包括连接在该第一节点与该第二电源轨之间的电容器。该电路另外包括连接在该第一电源轨与该第一节点之间的电阻器。该电路还包括用于控制该场效应晶体管的栅极的反相器，其中该反相器具有连接到该第一节点的输入端。该电路另外包括连接在该第一节点与该第二电源轨之间的可控硅整流器。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.048 seconds)
