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公开(公告)号:CN107104082A
公开(公告)日:2017-08-29
申请号:CN201710041233.X
申请日:2017-01-20
申请人: 三星电子株式会社
发明人: 金吉洙
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/535
CPC分类号: H01L25/0652 , H01L23/3128 , H01L23/60 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/06135 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17519 , H01L2224/24146 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15313 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L23/3114 , H01L23/535
摘要: 可以提供一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:安装板;第一半导体芯片,位于安装板上,第一半导体芯片具有第一外围区域、第二外围区域和位于第一外围区域与第二外围区域之间的中心区域,中心区域具有形成在其中的穿透电极;第二半导体芯片,位于第一外围区域上,第二半导体芯片包括位于其顶表面上的第二焊盘;第三半导体芯片,位于第二外围区域上,第三半导体芯片包括位于其顶表面上的第三焊盘;导电引线,分别从第二焊盘和第三焊盘延伸,导电引线分别电连接到穿透电极。
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公开(公告)号:CN105489566A
公开(公告)日:2016-04-13
申请号:CN201510594124.1
申请日:2015-09-17
申请人: 联发科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/538
CPC分类号: H01L23/5226 , H01L23/3171 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L25/105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2224/24137 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/25171 , H01L2224/73209 , H01L2224/73253 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1436 , H01L2924/18161 , H01L2924/18162
摘要: 本发明公开了一种半导体封装结构。其中,该半导体封装结构包括:第一半导体封装和堆叠于所述第一半导体封装上的第二半导体封装。其中,第一半导体封装,包括:第一半导体祼芯片以及第一模塑料,所述第一模塑料围绕所述第一半导体祼芯片并与所述第一半导体祼芯片接触。其中,第二半导体封装包括:第一动态随机存取存储器祼芯片,该第一动态随机存取存储器祼芯片不具有穿过所述第一动态随机存取存储器祼芯片的硅通孔内连结构。
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公开(公告)号:CN103594451B
公开(公告)日:2016-03-16
申请号:CN201310578899.0
申请日:2013-11-18
申请人: 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
IPC分类号: H01L23/525 , H01L23/31 , H01L21/60 , H01L21/50
CPC分类号: H01L24/82 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24 , H01L2224/24146 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/8203 , H01L2224/92244 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 本发明提供一种多层多芯片扇出结构,包括一承载板,所述承载板上设有多个层叠的封装子体;各封装子体内均封装有至少一个管芯;在各封装子体中,管芯被介质层的介质材料所包覆,管芯采用正面向上的形式贴装在金属垫块上;在每一封装子体的介质层上均设有RDL层;管芯正面的焊盘通过第一互连孔与该管芯所在封装子体的RDL层电连接;相邻封装子体之间设有绝缘层,相邻封装子体的RDL层之间通过层间的第二互连孔电连接。底部封装子体中的金属垫块压在承载板的表面上;中间或顶部的封装子体中的金属垫块压在封装子体间的绝缘层上;在顶部封装子体的表面布设有一层阻焊层。本发明能够较为容易地实现三维多芯片堆叠。
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公开(公告)号:CN105097744A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410461293.3
申请日:2014-09-11
申请人: 精材科技股份有限公司
发明人: 刘建宏
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/488 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0231 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05573 , H01L2224/05575 , H01L2224/12105 , H01L2224/13017 , H01L2224/13024 , H01L2224/1403 , H01L2224/14505 , H01L2224/24146 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48145 , H01L2224/48149 , H01L2224/48227 , H01L2224/48451 , H01L2224/48464 , H01L2224/73227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/92164 , H01L2224/92244 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2924/10253 , H01L2924/141 , H01L2924/143 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2224/85 , H01L2924/00
摘要: 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括:一第一装置基底,贴附于一第二装置基底的一第一表面上;一第三装置基底,贴附于第二装置基底相对于第一表面的一第二表面上;一绝缘层,覆盖第一装置基底、第二装置基底及第三装置基底,其中绝缘层内具有至少一开口;至少一凸块,设置于开口的底部下方;一重布线层,设置于绝缘层上,且经由开口电性连接至凸块。本发明可缩小后续接合的电路板的尺寸,且能够简化制程、降低成本。
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公开(公告)号:CN105047651A
公开(公告)日:2015-11-11
申请号:CN201410848062.8
申请日:2014-12-31
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L25/00 , H01L23/525 , H01L23/48 , H01L21/50 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/3114 , H01L21/31111 , H01L21/31116 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76897 , H01L21/76898 , H01L23/3157 , H01L23/36 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/522 , H01L23/5384 , H01L24/03 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L24/89 , H01L24/92 , H01L25/00 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0239 , H01L2224/04105 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/09181 , H01L2224/11 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/20 , H01L2224/24146 , H01L2224/32245 , H01L2224/73217 , H01L2224/73267 , H01L2224/80896 , H01L2224/82031 , H01L2224/821 , H01L2224/8385 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/92144 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/96 , H01L2225/06544 , H01L2924/01014 , H01L2924/05442 , H01L2924/37 , H01L2224/03 , H01L2224/83 , H01L2224/80001 , H01L2924/00014 , H01L2224/82 , H01L2224/8203
摘要: 本文公开的封装件包括具有在第一衬底的第一侧上设置的第一再分布层(RDL)的第一管芯和具有在第二衬底的第一侧上设置的第二RDL的第二管芯,第一RDL接合至第二RDL。第三管芯具有在第三衬底的第一侧上设置的第三RDL。第三管芯在第二管芯上方安装,第二管芯设置在第一管芯和第三管芯之间。第一通孔延伸穿过第二衬底并且与第二衬底电隔离,每个第一通孔均接触第一RDL或第二RDL中的导电元件。第二通孔延伸穿过第三衬底并且与第三衬底电隔离,每个第二通孔均接触第三RDL中的导电元件或其中一个第一通孔。本发明还涉及3D堆叠芯片封装件。
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公开(公告)号:CN104752378A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201410825950.8
申请日:2014-12-25
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L21/768
CPC分类号: H01L25/50 , H01L21/76805 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/08 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2224/08145 , H01L2224/2405 , H01L2224/24146 , H01L2224/24147 , H01L2224/245 , H01L2224/73201 , H01L2224/73251 , H01L2224/80894 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/82101 , H01L2224/82106 , H01L2224/82931 , H01L2224/82947 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/9222 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2224/08 , H01L2224/24 , H01L2224/80 , H01L2224/82 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001
摘要: 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。在一些实施例中,半导体器件包括第一半导体芯片和接合到第一半导体芯片的第二半导体芯片,第一半导体芯片包括第一衬底和形成在第一衬底上方的第一导电部件。第二半导体芯片包括第二衬底和形成在第二衬底上方的第二导电部件。导电插塞设置成穿过第一导电部件并且连接到第二导电部件。该导电插塞包括设置在第一导电部件上方的第一部分和设置在第一导电部件之下或内的第二部分,第一部分具有第一宽度。第二部分具有第二宽度。第一宽度大于第二宽度。
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公开(公告)号:CN104733435A
公开(公告)日:2015-06-24
申请号:CN201410086767.0
申请日:2014-03-10
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/538 , H01L21/768
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/31051 , H01L21/31111 , H01L21/76805 , H01L21/76831 , H01L21/76832 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L24/24 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/91 , H01L25/50 , H01L2224/24051 , H01L2224/24146 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/82031 , H01L2224/821 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06541 , H01L2924/12036 , H01L2924/00 , H01L2224/80001 , H01L2224/82 , H01L2224/8203
摘要: 本发明提供了一种互连装置及形成该互连装置的方法。两个集成电路接合在一起。形成穿过其中一个衬底的第一开口。沿着第一开口的侧壁形成多层介电膜。一个或多个蚀刻工艺沿着第一开口的侧壁形成一个或多个间隔件型结构。形成从第一开口延伸至集成电路中的焊盘的第二开口。形成介电内衬,且用导电材料填充开口以形成导电插塞。
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公开(公告)号:CN103441117A
公开(公告)日:2013-12-11
申请号:CN201310338338.3
申请日:2010-01-26
申请人: 松下电器产业株式会社
IPC分类号: H01L23/498
CPC分类号: H05K1/11 , G11B5/486 , H01L21/565 , H01L22/12 , H01L23/3121 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/24051 , H01L2224/24137 , H01L2224/24146 , H01L2224/24226 , H01L2224/245 , H01L2224/25175 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73267 , H01L2224/82009 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2224/82931 , H01L2224/82947 , H01L2224/8385 , H01L2224/85 , H01L2224/92244 , H01L2225/06524 , H01L2225/06551 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/00015 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01057 , H01L2924/01058 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H05K1/111 , H05K1/117 , H05K1/181 , H05K3/184 , H05K2201/0376 , H05K2201/09472 , Y02P70/611 , Y10T428/1171 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要: 本发明又是一种立体结构物,其在表面设有布线,其特征在于:在立体结构物的表面,形成跨及立体结构物的彼此交叉的相邻面间延伸的布线用凹槽,将布线用导体的至少一部分埋入所述布线用凹槽中。
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公开(公告)号:CN102956588A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201210327420.1
申请日:2012-08-09
申请人: 马克西姆综合产品公司
IPC分类号: H01L23/48 , H01L21/768
CPC分类号: H01L24/83 , H01L21/6836 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/544 , H01L24/00 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L2221/68327 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2223/54426 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05572 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/13006 , H01L2224/13009 , H01L2224/13022 , H01L2224/13111 , H01L2224/17181 , H01L2224/24105 , H01L2224/24146 , H01L2224/245 , H01L2224/29036 , H01L2224/2919 , H01L2224/82031 , H01L2224/82101 , H01L2224/83192 , H01L2224/83862 , H01L2224/9202 , H01L2224/92144 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/00012 , H01L2224/11 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2224/05552
摘要: 本发明涉及一种具有在其中形成的穿衬底通孔的半导体器件。在一个或多个实施方式中,所述半导体器件包括利用构图的粘结材料接合在一起的顶部晶片和底部晶片。所述顶部晶片和所述底部晶片包括在其中形成的一个或多个集成电路。所述集成电路连接至配置在所述顶部和所述底部晶片的表面上的一个或多个导电层。形成贯穿所述顶部晶片和所述构图的粘结材料的过孔,使得可以在形成在所述顶部晶片中的所述集成电路与形成在所述底部晶片中的所述集成电路之间形成电互连。所述过孔包括在所述顶部与所述底部晶片之间提供电互连的导电材料。
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公开(公告)号:CN102891136A
公开(公告)日:2013-01-23
申请号:CN201210249511.8
申请日:2012-07-18
申请人: 三星电子株式会社
IPC分类号: H01L25/00 , H01L25/16 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/60
CPC分类号: H01L21/76802 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L23/3185 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/24146 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2224/92144 , H01L2225/06524 , H01L2225/06562 , H01L2225/06568 , H01L2924/01012 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要: 本申请涉及半导体封装及其形成方法和包括该半导体封装的系统。一种半导体封装可以包括:基板,包括基板连接端子;至少一个半导体芯片,堆叠在基板上并具有芯片连接端子;第一绝缘层,至少覆盖基板的一部分和至少一个半导体芯片的一部分;和/或互连,穿透第一绝缘层以将基板连接端子连接到芯片连接端子。一种半导体封装可以包括:堆叠的半导体芯片,半导体芯片的边缘部分构成台阶结构,每个半导体芯片包括芯片连接端子;至少一个绝缘层,覆盖半导体芯片的至少边缘部分;和/或互连,穿透至少一个绝缘层以连接到每个半导体芯片的芯片连接端子。
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