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公开(公告)号：CN103187376B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201210583995.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L23/4951 , H01L23/49531 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0657 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/48247 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2225/06506 , H01L2225/06527 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/19107 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 一种半导体封装件包括第一侧面、与第一侧面相对的第二侧面、以及与第一侧面和第二侧面垂直的第三侧面。该半导体封装件包括：第一引脚，设置成接近或靠近第一侧面；第二引脚，设置成接近或靠近第二侧面；半导体芯片堆叠件，设置在第一引脚和第二引脚之间且包括多个半导体芯片；再分布结构，设置在半导体堆叠件上。半导体堆叠件中的至少一个半导体芯片包括设置成接近或靠近第三侧面的多个第一芯片焊盘，再分布结构包括：第一再分布焊盘，设置成接近或靠近第一侧面且电连接到第一引脚；第二再分布焊盘，设置成接近或靠近第二侧面且电连接到第二引脚；第三再分布焊盘，设置成接近或靠近第三侧面且电连接到第一芯片焊盘中的第一个和第一再分布焊盘。
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公开(公告)号：CN106571350B
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN201610849528.5
申请日：2016-09-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金吉洙
IPC: H01L23/467 , H01L25/18
Abstract: 公开了一种数据存储装置和包括该数据存储装置的电子装置。数据存储装置可以包括封装基底和设置在封装基底的顶表面上方的上半导体芯片。至少一个下凸块设置在封装基底的底表面上。下半导体芯片设置在封装基底的底表面上并且与至少一个下凸块分隔开。下半导体芯片比至少一个下凸块薄。
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公开(公告)号：CN103187376A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201210583995.X
申请日：2012-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488
CPC classification number: H01L23/4951 , H01L23/49531 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/0657 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48147 , H01L2224/48227 , H01L2224/4824 , H01L2224/48247 , H01L2224/4911 , H01L2224/49175 , H01L2225/06506 , H01L2225/06527 , H01L2225/06562 , H01L2924/00014 , H01L2924/19107 , H01L2224/45099 , H01L2924/00 , H01L2224/85399 , H01L2224/05599
Abstract: 一种半导体封装件包括第一侧面、与第一侧面相对的第二侧面、以及与第一侧面和第二侧面垂直的第三侧面。该半导体封装件包括：第一引脚，设置成接近或靠近第一侧面；第二引脚，设置成接近或靠近第二侧面；半导体芯片堆叠件，设置在第一引脚和第二引脚之间且包括多个半导体芯片；再分布结构，设置在半导体堆叠件上。半导体堆叠件中的至少一个半导体芯片包括设置成接近或靠近第三侧面的多个第一芯片焊盘，再分布结构包括：第一再分布焊盘，设置成接近或靠近第一侧面且电连接到第一引脚；第二再分布焊盘，设置成接近或靠近第二侧面且电连接到第二引脚；第三再分布焊盘，设置成接近或靠近第三侧面且电连接到第一芯片焊盘中的第一个和第一再分布焊盘。
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公开(公告)号：CN103035620A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210377876.9
申请日：2012-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/552 , H05K9/00
CPC classification number: H01L23/552 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L23/3135 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12044 , H01L2924/1815 , H01L2924/00 , H01L2224/0401
Abstract: 本发明提供了一种屏蔽了EMI的半导体封装件、一种屏蔽了EMI的基板模块和一种EMI屏蔽件。所述屏蔽了EMI的半导体封装件包括：半导体封装件；EMI屏蔽层，形成在半导体封装件的至少一部分表面上。EMI屏蔽层包括：基体层；金属层，位于基体层上；以及第一种子颗粒，位于基体层和金属层之间的界面中。与传统的在器件级执行的屏蔽工艺不同，可以在安装基板级执行屏蔽工艺，因此可以在短时间内以低成本高生产率制造半导体封装件和基板模块。
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公开(公告)号：CN110364513B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201910212737.2
申请日：2019-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/31
Abstract: 半导体封装可以包括封装基板、位于封装基板上的第一半导体芯片以及位于第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：芯片基板，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；多个第一芯片焊盘，位于封装基板和芯片基板的第一表面之间，并且将第一半导体芯片电连接到封装基板；多个第二芯片焊盘，设置于芯片基板的第二表面上，并且位于第二半导体芯片与芯片基板的第二表面之间；多个再分布线，位于芯片基板的第二表面上，再分布线电连接至第二半导体芯片；多个接合线，将再分布线电连接至封装基板。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110581121A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910499196.6
申请日：2019-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金吉洙
IPC: H01L25/065
Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体封装；所述第一半导体封装上的第二半导体封装；以及所述第一半导体封装与所述第二半导体封装之间的多个连接端子。第一半导体封装可以包括：封装衬底；半导体芯片，位于所述封装衬底上并且具有彼此面对的第一表面和第二表面，所述第一表面邻近所述第二半导体封装；多个连接焊盘，位于所述半导体芯片的第一表面与所述连接端子之间；以及模制层，位于所述封装衬底上并且覆盖所述半导体芯片的侧表面，所述模制层与所述连接端子间隔开。
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公开(公告)号：CN110364513A
公开(公告)日：2019-10-22
申请号：CN201910212737.2
申请日：2019-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/31
Abstract: 半导体封装可以包括封装基板、位于封装基板上的第一半导体芯片以及位于第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括：芯片基板，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面；多个第一芯片焊盘，位于封装基板和芯片基板的第一表面之间，并且将第一半导体芯片电连接到封装基板；多个第二芯片焊盘，设置于芯片基板的第二表面上，并且位于第二半导体芯片与芯片基板的第二表面之间；多个再分布线，位于芯片基板的第二表面上，再分布线电连接至第二半导体芯片；多个接合线，将再分布线电连接至封装基板。
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公开(公告)号：CN104795386B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201510023464.9
申请日：2015-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种包括阶梯式堆叠的芯片的半导体封装件，该半导体封装件包括：封装衬底；并排安装在封装衬底上的第一芯片堆叠件和第二芯片堆叠件，其中，第一芯片堆叠件和第二芯片堆叠件各自包括堆叠在封装衬底上的多个半导体芯片，其中，所述多个半导体芯片中的每一个包括设置在其对应的边缘区上的多个接合焊盘，其中，所述多个接合焊盘中的至少一些是功能性接合焊盘，并且其中，功能性接合焊盘占据的区实质上小于整个所述对应的边缘区。
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公开(公告)号：CN107104082A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710041233.X
申请日：2017-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金吉洙
IPC: H01L23/31 , H01L23/535
CPC classification number: H01L25/0652 , H01L23/3128 , H01L23/60 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05569 , H01L2224/0557 , H01L2224/06135 , H01L2224/13025 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17519 , H01L2224/24146 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/49109 , H01L2224/73215 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2225/06506 , H01L2225/0651 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06589 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1438 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/15313 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L23/3114 , H01L23/535
Abstract: 可以提供一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：安装板；第一半导体芯片，位于安装板上，第一半导体芯片具有第一外围区域、第二外围区域和位于第一外围区域与第二外围区域之间的中心区域，中心区域具有形成在其中的穿透电极；第二半导体芯片，位于第一外围区域上，第二半导体芯片包括位于其顶表面上的第二焊盘；第三半导体芯片，位于第二外围区域上，第三半导体芯片包括位于其顶表面上的第三焊盘；导电引线，分别从第二焊盘和第三焊盘延伸，导电引线分别电连接到穿透电极。
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公开(公告)号：CN110581121B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN201910499196.6
申请日：2019-06-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 金吉洙
IPC: H01L23/31 , H01L23/48 , H01L23/488 , H10D80/30
Abstract: 一种半导体封装包括：第一半导体封装；所述第一半导体封装上的第二半导体封装；以及所述第一半导体封装与所述第二半导体封装之间的多个连接端子。第一半导体封装可以包括：封装衬底；半导体芯片，位于所述封装衬底上并且具有彼此面对的第一表面和第二表面，所述第一表面邻近所述第二半导体封装；多个连接焊盘，位于所述半导体芯片的第一表面与所述连接端子之间；以及模制层，位于所述封装衬底上并且覆盖所述半导体芯片的侧表面，所述模制层与所述连接端子间隔开。
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