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公开(公告)号：CN118819403A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202410468345.3
申请日：2024-04-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F3/06
Abstract: 公开了包括保护区域的存储装置及其数据写入方法。一种响应于主机装置的请求而将数据写入存储装置的重放保护存储器块(RPMB)区域中的方法包括：从主机装置接收包括消息认证码、数据和位图索引的写入请求，以及基于消息认证码和位图索引来验证写入请求。验证写入请求的步骤可包括基于从主机装置接收的数据和位图索引来计算消息认证码，将在存储装置中计算的消息认证码与写入请求的消息认证码进行比较，以及将写入请求的位图索引与存储在存储装置中的位图索引进行比较，以检查是否已经进行重放攻击。
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公开(公告)号：CN110190109A
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201910039205.3
申请日：2019-01-16
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学研究与商业基金会
IPC: H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：栅电极，在衬底上沿第一方向延伸；第一有源图案，在衬底上沿与第一方向交叉的第二方向延伸以穿透栅电极，第一有源图案包括锗；外延图案，位于栅电极的侧壁上；第一半导体氧化物层，位于第一有源图案与栅电极之间，并且通过第一半导体材料的氧化而形成；以及第二半导体氧化物层，位于栅电极与外延图案之间，并且通过第二半导体材料的氧化而形成。第一半导体材料的锗的浓度可以小于第一有源图案的锗的浓度，并且第一半导体材料的锗的浓度可以与第二半导体材料的锗的浓度不同。
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公开(公告)号：CN109547400A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811070400.4
申请日：2018-09-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了通信方法、完整性验证方法和客户端的服务器注册方法。一种支持客户端与服务器之间的完整性验证的基于加密安全协议的通信方法，包括：所述服务器从所述客户端接收第一消息，所述第一消息包括对所述客户端的第一完整性验证的请求，以便开始传输层安全(TLS)连接的握手；所述服务器向所述客户端发送第二消息，所述第二消息包括对用于所述第一完整性验证的第一验证信息的请求；所述服务器从所述客户端接收所述第一验证信息，并通过使用所述第一验证信息进行来执行所述第一完整性验证；以及基于所述第一完整性验证的结果在客户端与服务器之间完成握手并执行数据通信。
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公开(公告)号：CN101499451B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910001802.3
申请日：2009-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , G06K19/077 , H05K1/02
CPC classification number: H05K3/3452 , H01L23/49816 , H01L23/49838 , H01L24/48 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/15311 , H05K1/111 , H05K2201/09381 , H05K2201/0989 , H05K2201/099 , Y02P70/611 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种使用高容量半导体芯片的封装来提供高的可靠性的印刷电路板、半导体封装件以及使用该半导体封装件的卡装置和系统。该半导体封装件包括：基板，具有第一表面和第二表面；半导体芯片，安装在基板的第一表面上；至少一个焊盘，设置在基板的第二表面上，至少一个焊盘的周边包括多条第一组弧；掩模层，覆盖基板的第二表面，并包括暴露至少一个焊盘的至少一个开口；至少一个外部端子，设置在至少一个焊盘上，其中，至少一个焊盘的一部分被掩模层覆盖，至少一个焊盘的另一部分的侧壁被至少一个开口暴露，至少一个开口的周边包括多条第二组弧，多条第一组弧中的最外面的弧的半径等于多条第二组弧中的最外面的弧的半径。
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公开(公告)号：CN1577802A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN03159761.0
申请日：2003-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L21/823456 , H01L21/823437 , H01L27/10876 , H01L27/10891 , H01L27/10894 , H01L27/10897
Abstract: 本发明的实施例涉及集成电路器件和形成器件的方法。在本发明的一些实施例中，在单个衬底上形成两种类型的晶体管，具有凹入栅极的晶体管和具有平面栅极电极的晶体管。在其它实施例中，在同一个衬底的多个区域中形成具有凹入栅极的晶体管。此外，在多于一个区中的晶体管的栅极可以同时形成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119323020A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410919154.4
申请日：2024-07-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F21/44
Abstract: 提供了存储系统及其操作方法。所述存储系统包括：主机，被配置为：针对第一命令生成散列值，将所述散列值和随机值合并，并且针对合并后的数据和第一命令提供签名；以及存储装置，被配置为：将与第一命令对应的所述随机值存储在第一缓冲器中，将所述随机值提供给主机，从主机接收第一命令和签名，将签名存储在第二缓冲器中，验证签名，并且响应于验证完成，从第一缓冲器删除所述随机值并且执行第一命令。
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公开(公告)号：CN119105975A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411329581.3
申请日：2024-09-23
Applicant: 三星(中国)半导体有限公司 , 三星电子株式会社
IPC: G06F12/123 , G06F12/126 , G06F12/0806
Abstract: 本公开提供了一种高速缓存管理方法、高速缓存管理装置及电子设备，包括：接收数据访问请求；响应于数据访问请求所针对的第一数据存储在高速缓存中，增加第一数据的活跃度，并且基于增加后的第一数据的活跃度调整第一数据的优先级；响应于第一数据未存储在高速缓存中，且高速缓存已满，删除高速缓存中优先级最低的数据中的第二数据，将第一数据加载到高速缓存中，并且设置第一数据的优先级和活跃度。该方法能够通过对缓存中数据的活跃度和优先级进行管理，从而将访问频率高的数据和新的数据保存在缓存中，提高缓存命中率和数据访问效率。
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公开(公告)号：CN113946523A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110767025.4
申请日：2021-07-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种将数据写入到受保护区域的设备和方法。一种响应于来自主机的请求将数据写入到受保护区域的方法包括：从所述主机接收包括第一主机消息认证码和第一随机数的第一写入请求；基于写入计数、所述第一随机数和所述第一主机消息认证码，验证所述第一写入请求；基于所述第一写入请求的验证结果更新所述写入计数；基于更新后的所述写入计数和所述第一随机数，生成第一设备消息认证码；以及向所述主机提供包括所述第一设备消息认证码和所述验证结果的第一响应。
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公开(公告)号：CN109980012A
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201811462559.0
申请日：2018-11-30
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；衬底上的栅电极；栅电极的侧壁上的栅极间隔物；穿透栅电极和栅极间隔物的有源图案；以及外延图案，与有源图案和栅极间隔物接触。栅电极在第一方向上延伸。栅极间隔物包括半导体材料层。有源图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN108737104A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201810300118.4
申请日：2018-04-04
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04L9/3242 , H04L9/0643 , H04L9/14 , H04L63/0823 , H04L67/12 , H04L2463/061 , H04W4/70 , H04L9/3236 , H04L9/08 , H04L9/3297
Abstract: 一种电子装置，包括：处理器，其被构造为接收在终端装置产生的认证消息，基于数据和认证消息获得认证密钥，以及基于认证密钥验证认证消息；以及存储器，其被构造为存储数据、认证消息和认证密钥。这里，利用与基于数据和认证消息获得的认证密钥相对应的对应认证密钥在终端装置产生认证消息。
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