公开(公告)号：CN103681591B

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201310429744.0

申请日：2013-09-13

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 菊池卓 ,  菊池隆文

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01L25/07 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种半导体器件，提高将平面尺寸不同的多个半导体芯片层叠的半导体器件的各半导体芯片的设计自由度。在布线基板(2)上搭载有逻辑芯片(LC)、再布线芯片(RDC)以及平面尺寸比逻辑芯片大的存储芯片(MC1)。逻辑芯片(LC)和存储芯片经由再布线芯片电连接。再布线芯片具有形成于与布线基板相对的表面(3a)的多个表面电极(3ap)和形成于表面(3a)的相反侧的背面(3b)的多个背面电极(3bp)。另外，再布线芯片具有多个贯通电极(3tsv)以及形成于表面(3a)或背面(3b)并将多个贯通电极(3tsv)与多个表面电极(3ap)或多个背面电极(3bp)电连接的多条引出布线(RDL)。

公开(公告)号：CN104867895B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410344902.7

申请日：2014-07-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 ,  匡训冲 ,  萧清泰 ,  黄信华 ,  赵兰璘

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02181 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/0516 ,  H01L2224/05546 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05559 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80012 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80014 ,  H01L2224/8084 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/8192 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/80001

摘要： 在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。

公开(公告)号：CN107408541A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680012959.4

申请日：2016-02-19

申请人： 苹果公司

发明人： 翟军 ,  胡坤忠 ,  K-Y·赖 ,  庞蒙志 ,  钟重华 ,  S·Y·杨

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/96 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08167 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2224/27 ,  H01L2924/014

摘要： 描述了封装以及形成方法。在实施方案中，系统级封装(SiP)包括第一(130)再分配层(RDL)和第二(180)再分配层、以及附接到该第一RDL的正面和背面的多个裸片(110,150)。该第一RDL和第二RDL与从第一RDL的背面延伸到第二RDL的正面的多个导电柱(140)耦接在一起。

公开(公告)号：CN107180802A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710140025.5

申请日：2017-03-09

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈建勋 ,  沈武 ,  吴俊毅 ,  李建勋

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/52 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/13 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L25/043 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/071 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15151 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/81 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528

摘要： 本发明涉及一种半导体装置和一种制造半导体装置的方法，其中该半导体装置包含：第一裸片，其包含信号垫区和电源垫区；重布线层RDL，其在所述第一裸片上方；多个第一连接件，其在所述RDL上方且在与所述第一裸片相对的所述RDL的一侧；多个第二连接件，其在所述RDL上方且在与所述第一裸片相对的所述侧；第二裸片，其包含信号垫区和电源垫区；其中所述第二裸片与所述第一裸片面对面且通过所述第一连接件和所述RDL电连接到所述第一裸片，其中所述第二裸片的中心相对于所述第一裸片的中心侧向偏移，以便将所述第一裸片的所述信号垫区对应于所述第二裸片的所述信号垫区。本发明还揭示一种用于制造所述半导体装置的相关联方法。

公开(公告)号：CN107017271A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611051121.4

申请日：2016-11-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金东贤 ,  权杜原

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L25/0657 ,  B60H1/00764 ,  B60H1/00828 ,  B60H1/321 ,  B60H2001/3248 ,  B60H2001/3258 ,  B60K11/06 ,  F01P7/048 ,  F01P11/20 ,  F01P2050/24 ,  H01L24/02 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14643 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/16014 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2224/32012 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种半导体器件包括芯片层叠结构，该芯片层叠结构包括第一半导体芯片和堆叠在第一半导体芯片上的第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一基板、在第一基板的前表面上的第一电路层、和设置在第一电路层上并包括电连接到第一电路层的第一金属垫的第一连接层。第二半导体芯片包括第二基板、在第二基板的前表面上的第二电路层、和设置在第二电路层上并包括电连接到第二电路层的第二金属垫的第二连接层。第一连接层面对第二连接层。第一金属垫和第二金属垫彼此接触以将第一和第二半导体芯片彼此联接。

公开(公告)号：CN107017171A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201610959626.4

申请日：2016-11-03

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 叶松峯 ,  余振华 ,  陈明发

IPC分类号： H01L21/50

CPC分类号： H01L25/0652 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/315 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/80 ,  H01L24/83 ,  H01L24/96 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/80006 ,  H01L2224/8203 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/92124 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06582 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10338 ,  H01L2924/10339 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/143 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1816 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2224/80 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83486

摘要： 用于形成半导体封装件的方法的实施例包括：附接第一管芯至第一载体；在第一管芯周围沉积第一隔离材料；以及在沉积第一隔离材料后，接合第二管芯至第一管芯。接合第二管芯至第一管芯包括形成介电质‑介电质的接合。该方法还包括去除第一载体并且在第一管芯的与第二管芯相对的一侧上形成扇出式再分布层(RDL)。扇出式RDL电连接至第一管芯和第二管芯。本发明的实施例还提供了半导体封装件。

公开(公告)号：CN104332452B

公开(公告)日：2017-04-19

申请号：CN201410414557.X

申请日：2014-08-20

申请人： 深圳市汇顶科技股份有限公司

发明人： 吴宝全 ,  龙卫

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/485 ,  H01L25/00 ,  G06K9/00

CPC分类号： H01L25/0657 ,  G06K9/0002 ,  G06K9/0053 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/071 ,  H01L25/105 ,  H01L25/112 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24147 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了一种芯片封装模组，包括：第一芯片，所述第一芯片的邻近前表面一侧具有第一焊盘；至少一个第二芯片，至少一个所述第二芯片设在所述第一芯片的后侧，每个所述第二芯片具有第二焊盘，其中所述第一芯片的所述第一焊盘通过重布线层与所述第二芯片的所述第二焊盘进行连接。根据本发明的芯片封装模组，通过将第二芯片设置在第一芯片的后侧，且将第一焊盘通过重布线层与第二焊盘相连，通过多芯片表面进行重布线技术，巧妙地把指纹识别芯片的正面焊盘引线绕到背面进行互联，从而使得芯片正表面的感应区可以和人体进行充分接触。此外，多芯片重布线技术也能极大缩小芯片之间的互联距离，提高芯片之间通讯效率。

公开(公告)号：CN106129030A

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201610284636.2

申请日：2016-04-29

申请人： 联发科技股份有限公司

发明人： 萧景文 ,  林子闳 ,  彭逸轩 ,  谢东宪 ,  张圣明

IPC分类号： H01L23/488

CPC分类号： H01L23/3675 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/06 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16055 ,  H01L2224/16057 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16265 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19103 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00 ,  H01L24/13 ,  H01L23/488 ,  H01L2224/13111

摘要： 本发明公开了一种半导体芯片封装构件，以提高散热效能。其中该半导体封装构件包含：基板，具有芯片安装面；多个焊接垫，设于该芯片安装面上；第一虚设接垫，设于该芯片安装面上；第二虚设接垫，与该第一虚设接垫间隔开，并且设于该芯片安装面上；防焊屏蔽，设于该芯片安装面上，并部分覆盖该多个焊接垫中的每个焊接垫、该第一虚设接垫与该第二虚设接垫；芯片封装，安装在该芯片安装面上，并透过设于该焊接垫上的多个锡球电连接该基板；分立元件，设于该芯片封装与该基板之间，该分立元件具有第一连接端与第二连接端；第一焊锡，将该第一连接端、该第一虚设接垫与该芯片封装连接起来；以及第二焊锡，将该第二连接端、该第二虚设接垫与该芯片封装连接起来。

公开(公告)号：CN102893711B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201180024358.2

申请日：2011-05-11

申请人： 松下电器产业株式会社

发明人： 吉冈慎悟 ,  藤原弘明 ,  高下博光 ,  武田刚 ,  今野优子

IPC分类号： H05K3/42 ,  C23C18/18 ,  G06K19/077 ,  H01L23/12 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H05K1/14 ,  H05K3/00

CPC分类号： H05K3/184 ,  C23C18/1608 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1893 ,  C25D7/0607 ,  H01L21/4832 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/24051 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/24225 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/24998 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/82001 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H05K1/185 ,  H05K3/10 ,  H05K3/284 ,  H05K3/4644 ,  H05K2201/10636 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0264 ,  H05K2203/072 ,  H05K2203/0723 ,  H05K2203/0769 ,  H05K2203/1407 ,  H05K2203/1469 ,  Y02P70/611 ,  H05K3/4661 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种配线方法，在露出多个连接端子(101a、102a)的半导体装置(1)的表面形成绝缘层(103)，在绝缘层(103)的表面形成树脂覆膜(104)，从树脂覆膜(104)的表面侧形成深度与树脂覆膜(104)的厚度相同或者超过厚度的沟(105)，使其通过连接对象的连接端子附近，并且从该附近通过部分形成到达连接对象的连接端子的连通孔(106、107)，在沟(105)以及连通孔(106、107)的表面使镀敷催化剂或镀敷催化剂前驱体沉积，通过使树脂覆膜(104)溶解或溶胀以除去树脂覆膜(104)，通过进行化学镀，仅在镀敷催化剂或者由镀敷催化剂前驱体形成的镀敷催化剂残留的部分形成镀膜，由此设置具有主体部和分支部的配线(108)，主体部位于绝缘层(103)表面，分支部从主体部分支并延伸至绝缘层(103)内部并且到达连接对象的连接端子(101a、102a)。

公开(公告)号：CN102270588B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201110147365.3

申请日：2011-06-02

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： R.A.帕盖拉 ,  F.卡森 ,  尹胜煜

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/552 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/4871 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L23/06 ,  H01L23/10 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/95 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L25/115 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0217 ,  H01L2224/02373 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13027 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/20 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/221 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/95001 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06551 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及在半导体管芯周围形成EMI屏蔽层的半导体器件和方法。半导体器件具有安装在临时载体上形成的界面层上的多个第一半导体管芯。密封剂沉积在第一管芯和载体上。平坦的屏蔽层在密封剂上形成。穿过屏蔽层和密封剂下至界面层而形成沟道。导电层沉积在沟道中且电连接到屏蔽层。界面层和载体被去除。互连结构在导电材料、密封剂和第一管芯上形成。导电材料通过互连结构而电连接到接地点。导电材料被分割以分离第一管芯。第二半导体管芯可以安装在第一管芯上，使得屏蔽层覆盖第二管芯且导电材料环绕第二管芯或第一和第二管芯。