Patent search cpc:"H01L2224/82001" Page 1

1.

发明授权
微电子器件封装及其形成方法有权

公开(公告)号：CN103620767B

公开(公告)日：2016-11-09

申请号：CN201280032156.7

申请日：2012-06-25

Applicant: 英特尔公司

Inventor： W·H·郑 , J·S·居泽尔

IPC: H01L23/48 , H01L23/12

CPC classification number: H05K3/32 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3121 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2221/68372 , H01L2224/32245 , H01L2224/82001 , H01L2224/82002 , H01L2224/92244 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/1815 , H01L2924/18162 , Y10T29/49117 , Y10T29/4913 , H01L2924/00

Abstract: 本公开内容涉及制造微电子器件封装的领域，并且更具体地，涉及具有内建无凹凸层（BBUL）设计的微电子器件封装，其中，将至少一个次级器件设置在微电子器件封装的微电子器件的厚度（即，z方向或z高度）内。

2.

发明授权
使用介电层封装器件的方法有权转让

公开(公告)号：CN101530012B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780039557.4

申请日：2007-10-05

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·A·曼格鲁姆 , K·R·布尔克

IPC: H05K3/30

CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L28/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24011 , H01L2224/24195 , H01L2224/82001 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15192 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H05K1/185 , H05K3/4644 , H05K2201/0919 , H01L2224/82

Abstract: 一种用于封装第一器件(14，46)的方法，所述第一器件具有第一主表面和第二主表面。在第一器件(14，46)的第二主表面上方以及围绕第一器件的侧面形成密封剂(18)。这保留第一器件的第一主表面被暴露。在第一器件(14)的第一主表面上方形成第一介电层(20)。形成侧面接触接口(36，16；48，56，46；48，56，70，72)，该侧面接触接口至少有一部分在第一介电层(20)上方。切割该密封剂(18)从而形成密封剂的多个侧面(62，64)。沿着该多个侧面的第一侧面(64)去除该密封剂(18)的一部分从而沿着该多个侧面的第一侧面暴露该侧面接触接口的一部分(72，46，16)。

3.

发明授权
电子装置及其制造方法失效

公开(公告)号：CN100426495C

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200410008094.3

申请日：2004-03-10

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 桥元伸晃

IPC: H01L23/48 , H01L21/60

CPC classification number: H01L24/25 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L29/0657 , H01L2224/05022 , H01L2224/0508 , H01L2224/05548 , H01L2224/05554 , H01L2224/05572 , H01L2224/16225 , H01L2224/24011 , H01L2224/24051 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24998 , H01L2224/25175 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82001 , H01L2224/82102 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10157 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155

Abstract: 一种电子装置，具有：形成配线图案(22)的基板(20)；具有形成衬垫(14)的第1面(12)及其相反侧的第2面(18)，第2面(18)相向于基板(20)装载的芯片零件(10)；形成于衬垫(14)上的比衬垫14更难以氧化的金属层(15)；设置在芯片零件(10)的附近由树脂构成的绝缘部(30)；和配线(34)，从金属层(15)上通过绝缘部(30)后到达配线图案(22)上。

4.

发明公开
安装体及其制造方法有权

公开(公告)号：CN101164151A

公开(公告)日：2008-04-16

申请号：CN200680013329.5

申请日：2006-02-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 小岛俊之 , 中谷诚一 , 山下嘉久 , 北江孝史 , 小松慎五

IPC: H01L21/60 , H01L23/12

CPC classification number: H01L24/81 , H01L21/6835 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L2224/0554 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16058 , H01L2224/16059 , H01L2224/16105 , H01L2224/16106 , H01L2224/16238 , H01L2224/17051 , H01L2224/171 , H01L2224/24011 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/24227 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/73204 , H01L2224/82001 , H01L2224/83385 , H01L2224/83886 , H01L2224/83888 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01009 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15165 , H01L2924/15311 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19043 , H01L2924/3025 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/00015 , H01L2224/81805 , H01L2924/00012 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556

Abstract: 本发明的安装体(100)包括半导体元件(10)和安装基板(30)，该半导体元件(10)具备形成有元件电极(12)的表面(10a)和与表面(10a)相对的背面(10b)，该安装基板(30)形成有具备电极端子(32)的布线图案(35)；半导体元件(10)的背面(10b)与安装基板(30)相接；半导体元件(10)的元件电极(12)和形成在安装基板(30)上的布线图案(35)的电极端子(32)通过钎料粒子聚合而成形为桥形状的钎料接合体(20)电连接。由此，半导体元件的元件电极和安装基板的电极端子能够以微细节距连接。

5.

发明授权
半导体器件失效

公开(公告)号：CN101388370B

公开(公告)日：2013-09-11

申请号：CN200810149668.7

申请日：2008-09-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 亨里克·埃韦 , 约阿希姆·马勒 , 曼弗雷德·门格尔 , 雷蒙德·恩格尔 , 约瑟夫·赫格劳尔 , 约亨·丹格尔迈尔

IPC: H01L23/48 , H01L21/60

CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/02282 , H01L21/02288 , H01L21/288 , H01L21/31105 , H01L21/4821 , H01L21/6835 , H01L21/76801 , H01L21/76871 , H01L21/76877 , H01L23/3107 , H01L23/49524 , H01L23/49534 , H01L23/49541 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L24/24 , H01L24/25 , H01L24/82 , H01L2221/68345 , H01L2224/24011 , H01L2224/2402 , H01L2224/24051 , H01L2224/24137 , H01L2224/24145 , H01L2224/24226 , H01L2224/24246 , H01L2224/24998 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82001 , H01L2224/82039 , H01L2224/82101 , H01L2224/82102 , H01L2225/06568 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H05K3/4661

Abstract: 本发明披露了一种半导体器件。一个实施例包括载体、附着于载体的半导体芯片、第一导线和第二导线，该第一导线具有第一厚度并沉积在半导体芯片和载体上，该第二导线具有第二厚度并沉积在半导体芯片和载体上。第一厚度小于第二厚度。

6.

发明授权
包括在基底上放置半导体芯片的制造装置的方法有权

公开(公告)号：CN101447442B

公开(公告)日：2011-11-16

申请号：CN200810176383.2

申请日：2008-11-25

Applicant: 英飞凌科技股份公司

Inventor： R·奥特伦巴 , X·施勒格尔 , R·费希尔 , T·L·谭

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L2221/68345 , H01L2221/68377 , H01L2224/24051 , H01L2224/24226 , H01L2224/76155 , H01L2224/82001 , H01L2224/82039 , H01L2224/82102 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及包括在基底上放置半导体芯片的制造装置的方法。公开了一种制造装置的方法。一个实施例提供具有从基底突出的第一元件的基底。半导体芯片具有在第一表面上的第一电极，和与第一表面相反的第二表面上的第二电极。半导体芯片被放置在基底的第一元件上，半导体芯片的第一表面朝向基底。半导体芯片的第二电极电连接到基底，且基底被至少部分移除。

7.

发明公开
使用介电层封装器件的方法有权转让

公开(公告)号：CN101530012A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200780039557.4

申请日：2007-10-05

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： M·A·曼格鲁姆 , K·R·布尔克

IPC: H05K3/30

CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L28/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24011 , H01L2224/24195 , H01L2224/82001 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/15192 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H05K1/185 , H05K3/4644 , H05K2201/0919 , H01L2224/82

Abstract: 一种用于封装第一器件(14，46)的方法，所述第一器件具有第一主表面和第二主表面。在第一器件(14，46)的第二主表面上方以及围绕第一器件的侧面形成密封剂(18)。这保留第一器件的第一主表面被暴露。在第一器件(14)的第一主表面上方形成第一介电层(20)。形成侧面接触接口(36，16；48，56，46；48，56，70，72)，该侧面接触接口至少有一部分在第一介电层(20)上方。切割该密封剂(18)从而形成密封剂的多个侧面(62，64)。沿着该多个侧面的第一侧面(64)去除该密封剂(18)的一部分从而沿着该多个侧面的第一侧面暴露该侧面接触接口的一部分(72，46，16)。