公开(公告)号：CN106486348B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201610719050.4

申请日：2016-08-24

申请人： 罗门哈斯电子材料有限责任公司 ,  陶氏环球技术有限责任公司

发明人： J·K·朴 ,  P·D·胡斯泰特

IPC分类号： H01L21/033 ,  H01L21/311 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76816 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76828

摘要： 形成接触孔的方法包含∶(a)在待图案化的层上设置包含多个柱图案的衬底；(b)在所述柱图案和所述待图案化的层上形成硬掩模层；(c)在所述硬掩模层上涂布图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含含有反应性表面附接基团的聚合物和溶剂；以及任选地烘烤所述衬底；其中所述聚合物变得键结于所述硬掩模层以在所述硬掩模层上形成聚合物层；以及(d)用包含溶剂的冲洗试剂处理所述衬底以去除残余的未结合的所述聚合物，从而形成安置于多个周围柱图案之间的第一孔。所述方法从涂布所述图案处理组合物到用所述溶剂处理所述衬底，避免使所述聚合物曝露于活化辐射。还提供了图案处理组合物和通过所述方法形成的电子装置。本发明尤其适用于制造提供高分辨率接触孔图案的半导体装置。

公开(公告)号：CN104380194B

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201380031543.3

申请日：2013-04-15

申请人： 布鲁尔科技公司

发明人： 王玉宝 ,  M·A·霍基 ,  D·J·古尔瑞罗 ,  V·克里西那莫西 ,  R·C·考克斯

IPC分类号： G03F1/38 ,  H01L21/027

CPC分类号： B81C1/0038 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/26 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  Y10T428/24612 ,  Y10T428/24802

摘要： 提供了用于导向自组装图案化技术的组合物，其在工艺中无需独立的减反射涂层和刷中性层。还提供导向自组装的方法，其中可将自组装材料，例如导向自组装嵌段共聚物,直接施涂到硅硬掩模中性层，然后自组装以形成所需的图案。本文还批露了导向自组装图案化的结构。

公开(公告)号：CN108701587A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780013847.5

申请日：2017-01-26

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 尼哈尔·莫汉蒂 ,  利奥尔·胡利 ,  杰弗里·史密斯 ,  理查德·法雷尔

IPC分类号： H01L21/027 ,  G03F7/16 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02359 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02307 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0332

摘要： 本文的技术提供了用于沉积旋涂金属材料的方法以创建在沉积物中没有空隙的金属硬掩模(MHM)结构。这包括有效旋涂沉积TiOx、ZrOx、SnOx、HFOx、TaOx等。这样的材料可有助于提供材料蚀刻耐性的差异以进行差异化。通过使旋涂金属硬掩模(MHM)能够与多线层一起使用，可以有效地使用基于狭缝的或自对准阻挡的策略。本文的技术包括确定填充给定浮雕图案中的特定开口的填充材料，改变开口内的表面的表面能值使得液体形式的填充材料与侧壁或底表面之间的界面的接触角值能够实现无间隙或无空隙的填充。

公开(公告)号：CN104835738B

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201410045930.9

申请日：2014-02-08

申请人： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 韩秋华

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66795 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31055 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138

摘要： 本发明提供一种形成FinFET器件的鳍片的方法，包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成图案化的锗硅层；在图案化的锗硅层的顶部和侧壁上外延生长硅层；在半导体衬底上形成覆盖图案化的锗硅层的牺牲材料层；回蚀刻牺牲材料层，同时去除图案化的锗硅层顶部的硅层，直至牺牲材料层的顶部与图案化的锗硅层的顶部平齐为止；去除锗硅层；去除牺牲材料层以形成鳍片。根据本发明，通过外延的方式定义鳍片的特征尺寸，不会出现通过图形化的方式定义鳍片的特征尺寸时面临的鳍片的线宽粗糙度和线边缘粗糙度的精度控制问题，提升FinFET器件的性能。

公开(公告)号：CN108231551A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710851861.4

申请日：2017-09-19

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘朕与 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC分类号： H01L21/027

CPC分类号： H01L21/02216 ,  C08G77/16 ,  C08G77/26 ,  C08G77/52 ,  C08G77/70 ,  C08G77/80 ,  C09D183/08 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/0275

摘要： 提供一种半导体装置及其制作方法，包含形成硅基树脂于基板上。在多种实施例中，硅基树脂包含硝基苯甲基。在一些实施例中，进行烘烤制程以交联硅基树脂。之后图案化交联的硅基树脂，并采用图案化的交联的硅基树脂作为蚀刻掩模，并蚀刻下方层。在多种例子中，以射线源照射交联的硅基树脂，使交联的硅基树脂解交联。在一些实施例中，采用有机溶液移除解交联的硅基树脂。

公开(公告)号：CN105051872B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201480017656.2

申请日：2014-03-11

申请人： 三井化学株式会社

发明人： 茅场靖刚 ,  小野升子 ,  田中博文 ,  铃木常司 ,  三尾茂 ,  高村一夫

IPC分类号： H01L21/312 ,  C08G73/02 ,  C08K5/09 ,  C08L79/02 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L23/293 ,  C08G73/0206 ,  C08K5/0091 ,  C08L79/02 ,  C09J179/04 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/56 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明提供一种复合体的制造方法，所述方法具有：组合物准备工序，准备含有具有阳离子性官能团且重均分子量为2000～1000000的聚合物的、pH为2.0～11.0的组合物；复合构件准备工序，准备具有构件A和构件B且满足上述构件B的表面的等电点＜上述组合物的pH＜上述构件A的表面的等电点的关系的复合构件，上述构件B的表面的等电点比上述构件A的表面的等电点低2.0以上且上述构件B的表面的等电点为1.0～7.5；以及赋予工序，对上述复合构件的上述构件A的上述表面和上述构件B的上述表面赋予上述组合物。

公开(公告)号：CN108022868A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201711042198.X

申请日：2017-10-31

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金载烈 ,  徐钟锡 ,  金性洙

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  G03F7/40 ,  G03F7/38

CPC分类号： H01L21/67103 ,  G03F1/68 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/68714

摘要： 本发明构思的实施方式涉及一种用于支撑基板的装置和用于处理基板的方法。基板支撑装置包括：基板支撑构件，所述基板支撑构件包括具有支撑基板的上表面的支撑板；以及加热构件，所述加热构件设置在支撑板中以加热基板，其中，支撑板的区域具有缓冲区域，所述缓冲区域中形成有缓冲空间，用于限制从加热构件向上表面提供的热量的传热递率。缓冲空间使中心区域和周边区域绝缘，从而使中心区域和周边区域之间的温度差最大化。

公开(公告)号：CN105190848B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201480015888.4

申请日：2014-05-01

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 土井利浩 ,  桜井英章 ,  曽山信幸

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319

CPC分类号： H01L41/1876 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1254 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L29/516 ,  H01L29/517 ,  H01L37/025 ,  H01L41/0815 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319

摘要： 在基板主体(11)上通过溶胶‑凝胶法而形成的PZT系的铁电膜(12)中的残余应力为﹣14MPa～﹣31MPa，且铁电膜(12)结晶取向于(100)面。

公开(公告)号：CN107810261A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201680030221.0

申请日：2016-04-01

申请人： 弗萨姆材料美国有限责任公司

发明人： 稻冈诚二 ,  W·J·小卡斯特尔 ,  R·N·弗蒂斯 ,  K·E·希尔多欧 ,  陈天牛 ,  M·R·布朗

IPC分类号： C11D3/16 ,  C11D3/36 ,  C11D11/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105

CPC分类号： C09D4/00 ,  B08B3/10 ,  B81C1/00849 ,  C11D3/162 ,  C11D3/36 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02041 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3105

摘要： 本发明公开了处理组合物和通过使用处理组合物处理衬底表面的方法，和其上具有所述处理组合物的半导体或MEMS衬底。

公开(公告)号：CN107706088A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201710830574.5

申请日：2017-09-08

申请人： 吉林建筑大学

发明人： 周路 ,  杨小天 ,  迟耀丹 ,  王欢 ,  初学峰 ,  闫兴振 ,  杨帆 ,  高晓红 ,  王超 ,  郭亮

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02112 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282

摘要： 本发明一种半导体材料表面湿法钝化方法，属于半导体材料技术领域。该领域已知技术难以采用湿法钝化手段有效降低材料表面态的同时，维持钝化效果的长期稳定性。本发明提出采用正二十烷硫醇做为硫化物钝化液，在特定的条件下与半导体材料反应，能有效去除半导体材料表面的氧沾污，同时在半导体表面自组装上长碳链硫醇分子层，实现表面稳定的钝化保护。本方法化学污染小，操作简单，成本低廉，钝化效果明显，可用于半导体器件制备过程中的表面处理。