公开(公告)号：CN105493266B

公开(公告)日：2019-06-11

申请号：CN201480044617.1

申请日：2014-07-24

申请人： 美光科技公司

发明人： 史瑞坎特·杰亚提 ,  法蒂玛·雅逊·席赛克-艾吉 ,  帕万·库马尔·雷迪·埃拉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/28 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L27/11556

CPC分类号： H01L27/11582 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/40114 ,  H01L29/40117 ,  H01L29/511 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7883 ,  H01L29/7889 ,  H01L29/7926

摘要： 半导体结构可包含：交替电介质材料和控制栅极的堆叠；电荷存储结构，其侧向邻近于所述控制栅极；电荷阻挡材料，其在所述电荷存储结构中的每一者与所述邻近控制栅极之间；以及沟道材料，其延伸通过交替电介质材料和控制栅极的所述堆叠。所述堆叠中的所述电介质材料中的每一者具有至少两个不同密度和/或不同移除速率的部分。还揭示制造此类半导体结构的方法。

公开(公告)号：CN108728824A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201810344382.8

申请日：2018-04-17

申请人： ASM ,  IP控股有限公司

发明人： T·J·V·布兰夸尔特

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  C23C16/34 ,  C23C16/513

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/345 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/402 ,  C23C16/513

摘要： 一种方法是通过等离子体辅助循环沉积来形成氮化物或氧化物膜，其一个循环包含：将第一反应物、第二反应物及前体馈送到放置有衬底的反应空间中，其中所述第二反应物以第一流量比流动，其中流量比定义为所述第二反应物的流动速率与所述反应空间中流动的气体的总流动速率的比率；以及停止馈送所述前体，而以从所述第一流量比逐渐降低至第二流量比的流量比连续地馈送所述第一反应物和所述第二反应物，同时对所述反应空间施加RF功率以使所述衬底暴露于等离子体。所述第二反应物是由含氢化合物或含氧化合物构成。

公开(公告)号：CN108369896A

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201680072606.3

申请日：2016-12-09

申请人： 应用材料公司

发明人： 田中启一 ,  A·肖特 ,  M·斯里拉姆 ,  S·冈迪科塔

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L21/027 ,  H01L21/324 ,  G03F7/20

CPC分类号： H01L21/02164 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76224

摘要： 用于填充半导体特征的间隙的方法包括将基板表面暴露于前驱物和反应物并暴露于退火环境以降低沉积的膜的湿法蚀刻速率比率，并且填充间隙。

公开(公告)号：CN105296963B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201510437048.3

申请日：2015-07-23

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 岛本聪 ,  广濑义朗 ,  山本隆治

IPC分类号： C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/30 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/67017

摘要： 一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，提高成膜处理的生产率，具有下述工序：通过将非同时地进行对衬底供给第一原料的工序、对衬底供给第二原料的工序和对衬底供给包含第二元素的反应物的工序作为一个循环，并进行规定次数的上述循环，由此在衬底上形成包含第一元素、第二元素及碳的膜，上述第一原料具有第一元素彼此形成的化学键，上述第二原料不具有第一元素彼此形成的化学键、而具有第一元素和碳形成的化学键。

公开(公告)号：CN108122739A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201711181019.0

申请日：2017-11-23

申请人： ASM ,  IP控股有限公司

发明人： T·J·V·布兰夸特

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C01B21/06 ,  C01C3/14 ,  C23C16/04 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/5096 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/042 ,  H01L21/18 ,  H01L29/66545 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02172 ,  H01L21/02274

摘要： 本申请公开了一种拓扑限制的等离子体增强循环沉积的方法。在一个实施例中，一种用于将由间隔地布置于模板上的垂直间隔物构成的图案转移到所述模板的方法包括：通过等离子体增强循环沉积将作为间隔伞层的层基本上仅沉积于由氧化硅或金属氧化物制成的每一垂直间隔物的顶部表面上，其中基本上无层沉积于所述垂直间隔物的侧壁上和所述模板的暴露表面上，随后通过各向异性蚀刻使用具有所述间隔伞层的所述垂直间隔物，将由所述垂直间隔物构成的所述图案转移到所述模板。

公开(公告)号：CN104425313B

公开(公告)日：2017-12-05

申请号：CN201410139097.4

申请日：2014-03-31

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 野田孝晓 ,  岛本聪 ,  野原慎吾 ,  广濑义朗 ,  前田喜世彦

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02126 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45553 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32559 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234

摘要： 制造半导体设备的方法，包括：通过执行预定次数的循环，在基材上形成含有硅、氧和碳的薄膜或含有硅、氧、碳和氮的薄膜，所述循环包括：将作为硅源和碳源的前体气体或作为硅源而非碳源的前体气体和第一催化气体供应给所述基材；将氧化气体和第二催化气体供应给所述基材；以及将含有选自碳和氮中至少一种的改性气体供应给所述基材。

公开(公告)号：CN103975424B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201180075347.7

申请日：2011-12-06

申请人： 英特尔公司

发明人： S·普拉丹 ,  J·卢斯

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L29/7851 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02323 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

摘要： 本说明涉及在非平面晶体管中形成第一级夹层电介质材料层，其可以借助旋涂技术，之后借助氧化和退火来形成。第一级夹层电介质材料层可以基本上没有空隙，并可以对非平面晶体管的源极/漏极区施加拉伸应变。

公开(公告)号：CN105957834A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610440115.1

申请日：2016-06-17

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  合肥鑫晟光电科技有限公司

发明人： 邹志翔 ,  杨成绍 ,  宋博韬 ,  黄寅虎

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1248 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/133357 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/02 ,  G02F2202/10 ,  G02F2202/103 ,  G02F2202/104 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02334 ,  H01L21/0234 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/1259 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3274 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78669 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678 ,  H01L29/7869 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  H01L27/1214

摘要： 一种薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置，该薄膜晶体管阵列基板的制备方法包括：在衬底基板上形成有机膜层；对所述有机膜层进行表面处理以去除有机物残渣；在对所述有机膜层进行表面处理后的所述衬底基板上形成钝化层。在该薄膜晶体管阵列基板的制备过程中可通过去除形成有机膜层时引入的有机物残渣来改善薄膜晶体管阵列基板的表面环境，从而改善产品的鼓包问题、改善封框胶与薄膜晶体管阵列基板之间的粘结力减弱的问题、改善膜层结合困难的问题，使产品的PCT检测通过,并显著提升产品良率和信赖性。

公开(公告)号：CN105702575A

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201410685729.7

申请日：2014-11-25

申请人： 中国科学院微电子研究所

发明人： 王桂磊 ,  刘金彪 ,  李俊峰

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3115

CPC分类号： H01L21/0217 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02312 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/265

摘要： 本发明提供了一种半导体制造方法，用于制备张应力氮化硅，其包括：步骤c1，通入氨气和氮气并预稳定；步骤c2，通入硅烷；步骤c3，射频点火；步骤c4，沉积氮化硅；步骤c5，氮离子注入处理氮化硅。本发明采用氮离子注入轰击的方式来增强SiN薄膜中N的含量从而提高薄膜密度，提高了张应力氮化硅的抗酸性，使其能适用于集成在双应变衬层后栅工艺中，有效提高了器件的性能和可靠性。

公开(公告)号：CN105679661A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610010259.3

申请日：2016-01-07

申请人： 厦门大学

发明人： 陈松岩 ,  许怡红 ,  李成 ,  黄巍

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/28185 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/28194

摘要： 一种减小氧化铪栅介质漏电流的方法，涉及氧化铪。1)首先对p-Si(100)衬底进行RCA标准清洗，去除有机污染物、氧化物和金属杂质等物质；2)将p-Si(100)衬底放入电子束真空镀膜系统中，沉积一层HfO2薄膜，得到HfO2/Si结构；3)将步骤2)得到的样品放入感应耦合等离子体刻蚀机中，采用氧等离子体对其进行处理；4)将步骤3)处理后的样品正面固定在掩膜板上，放入磁控溅射机中沉积金属作为上电极，在样品Si衬底的背面溅射金属作为背电极，即得MOS结构器件。既能降低热预算又可降低栅漏电流，即在沉积的HfO2材料上采用氧等离子体对其进行再氧化处理，从而达到减小氧空位密度，降低栅漏电流作用。