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公开(公告)号：CN107230608B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710148321.X
申请日：2017-03-13
申请人： 芝浦机械电子装置株式会社
发明人： 加茂克尚
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32532 , C23C14/0068 , C23C14/0078 , C23C14/505 , C23C14/54 , H01J37/32082 , H01J37/32513 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32651 , H01J37/32779 , H01J37/32899 , H01J37/3417
摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，包括：筒形电极，具有作为设有开口部的一端的下端与作为被封闭的另一端的上端，内部导入工艺气体，通过施加电压而使所述工艺气体等离子体化；以及作为具有开口的真空容器的腔室，上端经由绝缘构件而安装于开口的筒形电极在腔室的内部延伸存在。而且，等离子体处理装置还包括：作为搬送部的旋转平台，将利用工艺气体受到处理的工件搬送至筒形电极的开口部之下；护罩，隔着间隙覆盖在真空容器的内部延伸存在的筒形电极；以及间隔件，设置于筒形电极与护罩的间隙中且包含绝缘材料。本发明通过在筒形电极的侧壁与护罩的间隙中配置间隔件，能够防止筒形电极与护罩的接触而可稳定地进行膜处理。
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公开(公告)号：CN105206498B
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201510358856.0
申请日：2015-06-25
申请人： 应用材料公司
IPC分类号： H01J49/10
CPC分类号： H01J37/32091 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , H01J37/32532 , H01J37/32559 , H01J37/32605
摘要： 本发明公开了一种用于与处理腔室一起使用的等离子体源组件，所述等离子体源组件包括区隔板，所述区隔板具有在所述区隔板的内部电气中心内的第一组孔，以及围绕所述外周缘的较小孔。所述孔的直径可从所述电气中心向外至所述周缘逐渐减小，或者可以离散地递减并且在所述外周缘处具有最小的直径。
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公开(公告)号：CN101165855B
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN200710181968.9
申请日：2007-10-17
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/67 , H01L21/683 , C23F4/00 , H01J37/32 , H05H1/00
CPC分类号： H01L21/6831 , H01J37/32495 , H01J37/32559 , H01J2237/2007 , H01L21/67069 , H01L21/68757
摘要： 一种能减少等离子处理装置的运行成本并提高装置的运行速度的基板平台。下部电极作为基板平台而设置在该装置的腔室内，静电卡盘被结合在下部电极中。在静电卡盘的侧壁上形成作为喷敷层，膜厚度在从1000至2000μm的范围内，元素周期表第IIIB族元素的氧化膜，如氧化钇膜。
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公开(公告)号：CN101660138B
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN200910169417.X
申请日：2009-08-31
申请人： 东京毅力科创株式会社
IPC分类号： C23C16/452 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： H01J37/32559 , C23C16/452 , C23C16/45517 , C23C16/45536 , C23C16/45551 , C23C16/45563 , C23C16/45565 , C23C16/45578 , C23C16/4584 , C23C16/50 , C23C16/505 , C23C16/509 , C23C16/5093 , H01J1/00 , H01J37/3244 , H01J37/32449
摘要： 本发明提供一种活化气体注入装置、成膜装置和成膜方法。该活化气体注入装置被划分成气体活化室、气体导入室，包括：将这些空间互相连通的流路形成构件；用于将处理气体导入到气体导入室的气体导入件；在气体活化室内互相并列延伸地设置、施加用于使处理气体活化的电力的一对电极，为了将被活化的气体喷出到气体活化室内而沿着电极的长度方向设置的气体喷出口。
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公开(公告)号：CN103189967A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201180040901.8
申请日：2011-06-30
IPC分类号： H01L21/3065 , C04B41/87 , C04B41/91 , H01L21/683
CPC分类号： C04B41/87 , H01J37/32477 , H01J37/3255 , H01J37/32559 , H01L21/68757
摘要： 本发明提供一种即使暴露于电浆也难以产生微粒且可再利用的耐电浆构件，该耐电浆构件具有预定的表面形状，在电浆蚀刻腔室内使用。该耐电浆构件具备：第1SiC层12，其通过CVD法所形成且被暴露于电浆蚀刻处理而表面腐蚀；及第2SiC层13，其于所述第1SiC层12的腐蚀的表面上通过CVD法层迭且被机械加工成表面具有所述预定的表面形状。
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公开(公告)号：CN101120430B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200680005059.3
申请日：2006-09-07
申请人： 松下电器产业株式会社
发明人： 岩井哲博
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/32559 , H01J2237/334
摘要： 在一种通过设置板状工件作为目标进行等离子体处理的等离子体处理设备中，紧靠工件的下表面的电极构件(46)通过焊接冷却板(44)和具有多个通孔(45a)的板状抽吸构件(45)而构成，通过喷涂氧化铝获得的喷涂膜(65)形成于抽吸构件(45)的上表面上，此外，通孔(45a)形成的孔部分(45d)的边缘用喷涂膜(65)覆盖。从而，可以减少由于溅射的电极构件的消耗以延长寿命，因此降低部件消耗成本并防止设备的内部被散布的物质污染。
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公开(公告)号：CN100434196C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN01822452.0
申请日：2001-11-21
申请人： 兰姆研究公司
CPC分类号： H01J37/32467 , H01J37/32477 , H01J37/32559
摘要： 等离子室的抗腐蚀组件包括液晶聚合物。在优选实施方案中，液晶聚合物(LCP)位于具有阳极化或未阳极化表面的铝组件上。液晶聚合物也可位于氧化铝组件。液晶聚合物可通过如等离子喷涂的方法沉积。液晶聚合物也可以预制薄板或其它适合覆盖反应室暴露表面的形状配备。此外，通过从一块固态液晶聚合物加工出组件或由聚合物材料成型组件，反应器组件可完全由液晶聚合物制成。液晶聚合物可包含增强填料如玻璃或矿物填料。
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公开(公告)号：CN100396812C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN02825748.0
申请日：2002-11-14
申请人： 日矿金属株式会社
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： H01J37/3435 , C23C14/3407 , H01J37/3255 , H01J37/32559 , H01J37/3414 , H01J37/3426 , Y10T428/12465
摘要： 本发明提供一种将板厚度变化较小的磁性物质靶连接到背衬板的方法，其特征在于具有以下步骤：事先连接磁性物质靶和铝板，并保持平坦性，将连接到铝板的磁性物质靶连接到背衬板上，并保持平坦性，研磨除去铝板，从而可以保持磁性物质靶的平坦性，直到磁性物质靶通过一个相对简单的操作连接到背衬板上。
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公开(公告)号：CN101053068A
公开(公告)日：2007-10-10
申请号：CN200580037637.7
申请日：2005-10-26
申请人： 兰姆研究公司
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： B08B7/0035 , B05D1/62 , H01J37/32559 , H01L21/31116
摘要： 提供了在等离子体处理室的硅或碳化硅电极上形成保护性聚合物涂层的方法。相对于对等离子体和气体反应剂组分的暴露，聚合物涂层对下面的电极表面提供保护。所述方法可以在清洗室的处理期间，或在室中蚀刻半导体基材的处理期间进行。
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公开(公告)号：CN1950921A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580013677.8
申请日：2005-03-14
申请人： OC欧瑞康巴尔斯公司
CPC分类号： H01J37/32541 , C23C16/0272 , C23C16/45565 , C23C16/5096 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32559
摘要： 在第一真空涂覆站(102)中用一个层面涂覆介电基片(100)，层面的材料具有电阻率(ρ)，对于该电阻率有10－5Ωcm≤ρ≤10－1Ωcm，并且因此得出的面电阻处在以下的范围内：0＜RS≤104Ω□。然后所涂覆的基片(104)在一个站(105)中经受反应性高频等离子处理步骤。
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