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公开(公告)号：CN107946286B
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201710893463.9
申请日：2017-09-27
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L21/67 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种形成于封装体上的磁性体的电磁波屏蔽膜可获得良好的屏蔽特性的电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法。一种电子零件(10)，其在将元件(11)密封的封装体(12)的顶面形成有电磁波屏蔽膜(13)，且封装体(12)的顶面中的电磁波屏蔽膜(13)的膜厚为0.5μm～9μm，封装体(12)的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度(Rc)与电磁波屏蔽膜(13)的膜厚(Te)的关系为Rc≤2Te。
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公开(公告)号：CN109797368A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811357995.1
申请日：2018-11-15
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，电子零件不会从保护片上脱离，而可卸下密接在排列有电子零件的保护片上的冷却板。成膜装置从贯设有贯穿板表背的空气孔的冷却板上剥下保护片。在此成膜装置中包括成膜处理部与板解除部。成膜处理部通过溅射，而使成膜材料堆积在密接在冷却板上的保护片上的电子零件上来进行成膜。板解除部包括气压供给孔与固定部。气压供给孔面对冷却板，设置在包含零件排列区域的范围内，并使正压产生。固定部在对零件排列区域进行加压的期间内，先按压框架，在零件排列区域已从冷却板上离开后，解除按压。
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公开(公告)号：CN115874152B
公开(公告)日：2025-02-28
申请号：CN202211101105.7
申请日：2022-09-09
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其减低成膜材料附着于腔室内而维护性得到提高。实施方式的成膜装置(D)包括：腔室(1)，能够使内部为真空；成膜部(4a～4d、4f、4g)，具有包含成膜材料的靶材(61)，在所述腔室内，通过溅射而使成膜材料堆积于工件(W)上来进行成膜；隔断构件(9)，与靶材(61)空开间隔地配置，形成用于利用成膜部(4a～4d、4f、4g)进行成膜的成膜室(S)，并将腔室(1)内的成膜室(S)与外部隔断；以及抑制部(104)，设置于靶材(61)与隔断构件(9)之间，并抑制成膜材料附着于腔室(1)的内表面。
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公开(公告)号：CN108220882B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201711281075.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以简单的构成抑制电子零件的加热的成膜装置。本发明包括：搬送部，在腔室内循环搬送电子零件；成膜处理部，成膜于电子零件；托盘，由搬送部搬送，具有载置面；及载置部，载置于载置面，用来搭载电子零件，载置部包括：保持片，一面具备具有粘着性的粘着面，另一面具备不具有粘着性的非粘着面；及密接片，一面具备密接于非粘着面的具有粘着性的第1密接面，另一面具备密接于托盘的载置面的具有粘着性的第2密接面，粘着面具有用来贴附电子零件的贴附区域，第1密接面至少跨及与贴附区域对应的非粘着面的区域的整体而密接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107230608B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201710148321.X
申请日：2017-03-13
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 加茂克尚
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C14/0068 , C23C14/0078 , C23C14/505 , C23C14/54 , H01J37/32082 , H01J37/32513 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32651 , H01J37/32779 , H01J37/32899 , H01J37/3417
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，包括：筒形电极，具有作为设有开口部的一端的下端与作为被封闭的另一端的上端，内部导入工艺气体，通过施加电压而使所述工艺气体等离子体化；以及作为具有开口的真空容器的腔室，上端经由绝缘构件而安装于开口的筒形电极在腔室的内部延伸存在。而且，等离子体处理装置还包括：作为搬送部的旋转平台，将利用工艺气体受到处理的工件搬送至筒形电极的开口部之下；护罩，隔着间隙覆盖在真空容器的内部延伸存在的筒形电极；以及间隔件，设置于筒形电极与护罩的间隙中且包含绝缘材料。本发明通过在筒形电极的侧壁与护罩的间隙中配置间隔件，能够防止筒形电极与护罩的接触而可稳定地进行膜处理。
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公开(公告)号：CN115874152A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211101105.7
申请日：2022-09-09
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种成膜装置，其减低成膜材料附着于腔室内而维护性得到提高。实施方式的成膜装置(D)包括：腔室(1)，能够使内部为真空；成膜部(4a～4d、4f、4g)，具有包含成膜材料的靶材(61)，在所述腔室内，通过溅射而使成膜材料堆积于工件(W)上来进行成膜；隔断构件(9)，与靶材(61)空开间隔地配置，形成用于利用成膜部(4a～4d、4f、4g)进行成膜的成膜室(S)，并将腔室(1)内的成膜室(S)与外部隔断；以及抑制部(104)，设置于靶材(61)与隔断构件(9)之间，并抑制成膜材料附着于腔室(1)的内表面。
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公开(公告)号：CN108220882A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711281075.1
申请日：2017-12-06
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Abstract: 本发明提供一种可以简单的构成抑制电子零件的加热的成膜装置。本发明包括：搬送部，在腔室内循环搬送电子零件；成膜处理部，成膜于电子零件；托盘，由搬送部搬送，具有载置面；及载置部，载置于载置面，用来搭载电子零件，载置部包括：保持片，一面具备具有粘着性的粘着面，另一面具备不具有粘着性的非粘着面；及密接片，一面具备密接于非粘着面的具有粘着性的第1密接面，另一面具备密接于托盘的载置面的具有粘着性的第2密接面，粘着面具有用来贴附电子零件的贴附区域，第1密接面至少跨及与贴附区域对应的非粘着面的区域的整体而密接。
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公开(公告)号：CN107946286A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201710893463.9
申请日：2017-09-27
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
IPC: H01L23/552 , H01L21/67 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供一种形成于封装体上的磁性体的电磁波屏蔽膜可获得良好的屏蔽特性的电子零件、电子零件的制造装置及电子零件的制造方法。一种电子零件(10)，其在将元件(11)密封的封装体(12)的顶面形成有电磁波屏蔽膜(13)，且封装体(12)的顶面中的电磁波屏蔽膜(13)的膜厚为0.5μm～9μm，封装体(12)的顶面的粗糙度曲线要素的平均高度(Rc)与电磁波屏蔽膜(13)的膜厚(Te)的关系为Rc≤2Te。
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公开(公告)号：CN107230608A
公开(公告)日：2017-10-03
申请号：CN201710148321.X
申请日：2017-03-13
Applicant: 芝浦机械电子装置株式会社
Inventor： 加茂克尚
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32532 , C23C14/0068 , C23C14/0078 , C23C14/505 , C23C14/54 , H01J37/32082 , H01J37/32513 , H01J37/32541 , H01J37/32559 , H01J37/32651 , H01J37/32779 , H01J37/32899 , H01J37/3417 , H01J37/32633
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理装置，包括：筒形电极，具有作为设有开口部的一端的下端与作为被封闭的另一端的上端，内部导入工艺气体，通过施加电压而使所述工艺气体等离子体化；以及作为具有开口的真空容器的腔室，上端经由绝缘构件而安装于开口的筒形电极在腔室的内部延伸存在。而且，等离子体处理装置还包括：作为搬送部的旋转平台，将利用工艺气体受到处理的工件搬送至筒形电极的开口部之下；护罩，隔着间隙覆盖在真空容器的内部延伸存在的筒形电极；以及间隔件，设置于筒形电极与护罩的间隙中且包含绝缘材料。本发明通过在筒形电极的侧壁与护罩的间隙中配置间隔件，能够防止筒形电极与护罩的接触而可稳定地进行膜处理。
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