公开(公告)号：CN105551924B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201510695465.8

申请日：2015-10-23

申请人： 德莎欧洲股份公司

发明人： M.黑内尔

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32568 ,  B05D3/144 ,  B29C59/14 ,  C09J5/02 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32541 ,  H01J2237/3322 ,  H01J2237/336 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2418 ,  H05H2001/2431

摘要： 本发明公开用于表面的等离子体处理的装置和用等离子体处理表面的方法。用于表面(2)的等离子体处理的装置具有：第一电极(4)和第二电极(7)以及在第一电极(4)和第二电极(7)之间的交变电压源(6)、以及至少在第一电极(4)和第二电极(7)之间形成的电场、布置在第一电极(4)的前面且待处理的表面(2)可位于其中的有效区域(9)，且第二电极(7)布置得比第一电极(4)更接近于有效区域(9)，特征在于，设置在第一电极(4)处的具有至少一个出口(5)的用于至少一个工艺气体物流的至少一个工艺气体通道(3)，并且所述至少一个出口(5)指向有效区域(9)的方向，并且所述至少一个工艺气体物流撞击在电场上且所述电场将所述至少一个工艺气体物流转化为等离子体物流且所述等离子体物流撞击在有效区域(9)上。

公开(公告)号：CN109564871A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780047713.5

申请日：2017-07-28

申请人： 日本新工芯技株式会社

发明人： 碇敦 ,  藤井智

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/32559 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32605 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735 ,  H05H1/46

摘要： 其特征在于，具备硅的环体(32)、以及与硅相比耐等离子体性更优异的盖体(34)，所述盖体(34)经由接合部与所述环体(32)表面的至少一部分接合，所述接合部具有能承受至少150℃的耐热性，在700℃以下熔解，并含有氧化硼。

公开(公告)号：CN104715996B

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201410163430.5

申请日：2014-04-22

申请人： 北京北方华创微电子装备有限公司

发明人： 张璐 ,  张彦召 ,  陈鹏

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32715 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568

摘要： 本发明提供一种下电极装置以及等离子体加工设备，其包括用于承载被加工工件的承载件；该承载件采用导电材料制作，并且在承载件上表面的不同区域之间存在高度差。本发明提供的下电极装置，其通过使承载件上表面的不同区域之间存在高度差，即，使承载件上表面的不同位置与地之间的距离不同，可以调节各个区域的电场强度，以补偿在各个区域之间存在的电场强度的差异，从而可以使等离子体相对于承载件上表面的各个区域的分布趋于均匀，进而可以提高工艺的均匀性，改善工艺结果。

公开(公告)号：CN107706080A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201711113780.0

申请日：2017-11-13

申请人： 珠海倍力高科科技有限公司

发明人： 郑志伟 ,  廖文晗 ,  陈磊 ,  李志华

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/32541

摘要： 本发明公开了一种多棱角整板电极，包括整板电极本体，所述整板电极本体的顶面与底面分别设置有凸起的棱角，所述棱角等间距的设置有多组，相邻的两个所述棱角的间距为10mm或15mm，所述棱角的最高点距整板电极本体的表层的距离为2mm。本发明通过在整板电极本体的侧部设置棱角，利用尖端放电的原理，在等离子清洗中，避免了棱角尖端部位附着清洗副产物，从而保证生产过程中清洗速度和均匀性的稳定，延长电极的使用周期。

公开(公告)号：CN105229199B

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201480025540.3

申请日：2014-05-01

申请人： 路特斯应用技术有限责任公司 ,  凸版印刷有限公司

发明人： 艾瑞克·R·迪基

IPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/52

CPC分类号： C23C16/45536 ,  C23C16/45548 ,  C23C16/45555 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32027 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32403 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/3277

摘要： 用于在柔性基片(102)上沉积薄膜的系统(100)，包括由分隔带(110)分隔开的多个处理区(104，106，108)，等离子体发生器(130)用于在通道近侧产生等离子体区(132)，基片沿通道移动；当系统运行时，用于引导基片在处理区之间来回移动的基片传输装置(128)将基片运输到并暴露在等离子体区。

公开(公告)号：CN104427736B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410415737.X

申请日：2014-08-21

申请人： 日新电机株式会社 ,  株式会社日本制钢所

发明人： 安东靖典 ,  入泽一彦 ,  岸田茂明 ,  千叶理树

IPC分类号： H05H1/46 ,  C23C16/505 ,  H01L21/205

CPC分类号： H01J37/32541 ,  H01J37/321 ,  H01J37/3211 ,  H01J37/32119

摘要： 本发明提供一种等离子体处理装置，可以提升在天线的长度方向上的基板处理的均匀性。天线形成将高频电极收纳在电介质盒内的构造。高频电极形成：使2片电极导体以两者作为整体来呈现矩形板状的方式，相互隔开间隙且接近并平行地配置，且利用导体将两电极导体的长度方向的其中一端彼此连接而构成返回导体构造，且高频电流相互逆向地流向两电极导体。且在电极导体的间隙侧的边形成开口部，将该开口部以多个分散并配置在高频电极的长度方向。将该天线以高频电极的主面与基板的表面成为实质上相互垂直的方向而配置在真空容器内。

公开(公告)号：CN103620745B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201280032678.7

申请日：2012-08-01

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 广濑义朗 ,  山本隆治

IPC分类号： H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0214 ,  C23C16/308 ,  C23C16/36 ,  C23C16/401 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45531 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32541 ,  H01L21/02109 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109

摘要： 通过交替地进行规定次数如下工序而在衬底上形成包含规定元素的规定组成的薄膜：通过交替地进行规定次数的、向衬底供给包含规定元素和卤素基团的第一原料气体的工序、和向衬底供给包含规定元素和氨基的第二原料气体的工序从而在衬底上形成包含规定元素、氮及碳的第一层的工序；和通过向衬底供给与所述各原料气体不同的反应气体从而对第一层进行改性、形成第二层的工序。

公开(公告)号：CN104540979B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201380042608.4

申请日：2013-09-12

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 永绳智史 ,  后藤大辅 ,  剑持卓

IPC分类号： C23C14/48 ,  H05H1/46

CPC分类号： H01J37/04 ,  C23C14/48 ,  C23C14/562 ,  H01J37/3171 ,  H01J37/32412 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/3277 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/485

摘要： 离子注入装置具备真空腔(11)、在外周部的一部分缠绕膜(2)的电极辊(13)、对电极辊施加电压的电压施加单元(21)、以及向真空腔内导入气体的气体导入单元(31)，通过电压施加单元对电极辊施加电压，并且通过气体导入单元导入气体而形成等离子体，在膜的表面进行离子注入处理，其中，与电极辊的缠绕膜的面相向地设置有电极部件(42)。

公开(公告)号：CN105789028A

公开(公告)日：2016-07-20

申请号：CN201610022377.6

申请日：2016-01-13

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 桥本良知 ,  广濑义朗 ,  松冈树 ,  原田胜吉

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/02274 ,  C23C16/345 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32009 ,  H01J37/32357 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32513 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/0228

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。可提高形成于衬底上的氮化膜的组成的控制性、膜质等。具有下述工序：对在表面形成有含氧膜的衬底供给第一原料和第一氮化剂、在含氧膜上形成初始膜的工序；对初始膜进行等离子体氮化，由此将初始膜改质为第一氮化膜的工序；和对衬底供给第二原料和第二氮化剂，在第一氮化膜上形成第二氮化膜的工序。

公开(公告)号：CN105431376A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201480042006.3

申请日：2014-07-23

申请人： 3M创新有限公司

发明人： 莫塞斯·M·大卫 ,  余大华 ,  丹尼尔·S·巴特斯 ,  杰施里·塞思 ,  迈克尔·S·贝格尔 ,  卡斯腾·弗兰克 ,  塞巴斯蒂安·F·泽亨特迈尔

IPC分类号： B82B3/00 ,  B82B1/00

CPC分类号： C23C16/0245 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0132 ,  C09J7/22 ,  C09J2201/606 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3341

摘要： 本发明公开了一种制备纳米结构和纳米结构化制品的方法，该方法通过以下方式：由从气态混合物进行的等离子体化学气相沉积来将层沉积到基底的主表面上同时基本上同时用反应性物质蚀刻该表面。该方法包括提供基底；将在形成为等离子体时能够将层沉积到基底上的第一气态物质与在形成为等离子体时能够蚀刻基底的第二气态物质混合，从而形成气态混合物；将气态混合物形成为等离子体；以及使基底的表面暴露于等离子体，其中表面被蚀刻，并且层被基本上同时沉积在经蚀刻的表面的至少一部分上，从而形成纳米结构。基底可为(共)聚合物材料、无机材料、合金、固溶体或它们的组合。沉积的层可以包括使用反应性气体进行的等离子体化学气相沉积的反应产物，该反应性气体包括选自以下的化合物：有机硅化合物、金属烷基化合物、金属异丙氧化物化合物、金属乙酰丙酮化物、金属卤化物以及它们的组合。可以制备具有高纵横比并且在至少一个维度上并且优选在三个正交维度上任选地具有无规维度的纳米结构。