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公开(公告)号：CN104249070B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410139146.4
申请日：2014-03-31
申请人： 株式会社日立国际电气
CPC分类号： H01L21/02049 , C23C16/4405 , H01L21/02126
摘要： 用于在处理室中的基材上形成含碳膜后清洁处理室内部的方法，包括执行预定次数的循环。该循环包括供应改性气体到处理室中以改性沉积在处理室中的元件表面上的包括含碳膜的沉积物和供应蚀刻气体到处理室中以通过热化学反应除去改性的沉积物。
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公开(公告)号：CN105296963A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510437048.3
申请日：2015-07-23
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/0272 , C23C16/30 , C23C16/45531 , H01L21/02129 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/022 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/02304 , H01L21/02321 , H01L21/0234 , H01L21/67017
摘要： 一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，提高成膜处理的生产率，具有下述工序：通过将非同时地进行对衬底供给第一原料的工序、对衬底供给第二原料的工序和对衬底供给包含第二元素的反应物的工序作为一个循环，并进行规定次数的上述循环，由此在衬底上形成包含第一元素、第二元素及碳的膜，上述第一原料具有第一元素彼此形成的化学键，上述第二原料不具有第一元素彼此形成的化学键、而具有第一元素和碳形成的化学键。
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公开(公告)号：CN102034702A
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN201010500176.5
申请日：2010-09-30
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3105
CPC分类号： H01L21/31608 , C23C16/32 , C23C16/34 , C23C16/401 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , C23C16/45578 , H01L21/0214 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02189 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3145 , H01L21/3185
摘要： 本发明提供半导体装置的制造方法及衬底处理装置。制造方法包括：将衬底搬入处理容器的工序；对衬底进行处理的工序，即交替重复进行以下工序：通过向处理容器内供给含有规定元素的第1原料气体和含有规定元素的第2原料气体进行排气，在衬底上形成含有规定元素的层的工序，和通过向处理容器内供给与第1原料气体及第2原料气体不同的反应气体进行排气，将含有规定元素的层改性为氧化层、氮化层或氮氧化层的工序，由此在衬底上形成规定膜厚的氧化膜、氮化膜或氮氧化膜；将经处理的衬底从处理容器搬出的工序。第1原料气体的反应性高于第2原料气体，在形成含有规定元素的层的工序中第1原料气体的供给量少于第2原料气体。
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公开(公告)号：CN105734531B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201610115780.3
申请日：2012-12-10
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： C23C16/36 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/36 , C23C16/45523 , H01L21/02167 , H01L21/02172 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/31
摘要： 本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置，形成具有低介电常数、高耐蚀刻性、高耐泄漏性的特性的薄膜。包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素、氧、碳及氮的薄膜的工序，该循环包括如下工序：向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序，向所述衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的、且在1分子中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序，向所述衬底供给氮化气体作为第二反应气体的工序，和向所述衬底供给氧化气体作为第三反应气体的工序。
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公开(公告)号：CN105493248B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201380079276.7
申请日：2013-09-30
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/401 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02208 , H01L21/02211 , H01L21/02318
摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理系统及记录介质。所述半导体器件的制造方法具有下述工序：将包括对衬底供给包含规定元素、碳及卤素且具有由规定元素和碳形成的化学键的原料气体的工序、对衬底供给氧化气体的工序、和对衬底供给催化剂气体的工序的循环进行规定次数，由此在衬底上形成包含规定元素、氧及碳的薄膜的工序；在比形成薄膜的工序中的衬底的温度高的第一温度下对薄膜进行热处理，由此从薄膜中除去第一杂质的工序；和在第一温度以上的第二温度下对薄膜进行热处理，由此从以第一温度进行了热处理后的薄膜中除去与第一杂质不同的第二杂质的工序。
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公开(公告)号：CN103325676B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201310103396.8
申请日：2013-03-20
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0228 , B08B7/00 , H01L21/02126 , H01L21/02211 , H01L21/02263
摘要： 本发明提供半导体装置的制造方法、衬底处理方法、及衬底处理装置。抑制在低温区域产生异物且形成品质优良的薄膜。该半导体装置的制造方法包括下述工序：形成薄膜的工序，通过进行规定次数包含下述工序的循环而在衬底上形成至少含有上述规定元素及碳的薄膜，所述工序为对处理容器内的衬底供给含有规定元素和卤元素的原料气体的工序和对处理容器内的衬底供给胺类气体的工序；和对副产物进行改性的工序，通过向薄膜形成后的处理容器内供给氮化气体而对附着于处理容器内的副产物进行改性。
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公开(公告)号：CN105493248A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201380079276.7
申请日：2013-09-30
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/30 , C23C16/401 , C23C16/45534 , C23C16/45536 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02208 , H01L21/02211 , H01L21/02318
摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理系统及记录介质。所述半导体器件的制造方法具有下述工序：将包括对衬底供给包含规定元素、碳及卤素且具有由规定元素和碳形成的化学键的原料气体的工序、对衬底供给氧化气体的工序、和对衬底供给催化剂气体的工序的循环进行规定次数，由此在衬底上形成包含规定元素、氧及碳的薄膜的工序；在比形成薄膜的工序中的衬底的温度高的第一温度下对薄膜进行热处理，由此从薄膜中除去第一杂质的工序；和在第一温度以上的第二温度下对薄膜进行热处理，由此从以第一温度进行了热处理后的薄膜中除去与第一杂质不同的第二杂质的工序。
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公开(公告)号：CN103165438B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210549327.5
申请日：2012-12-10
申请人： 株式会社日立国际电气
IPC分类号： H01L21/3115
CPC分类号： H01L21/02126 , C23C16/36 , C23C16/45523 , H01L21/02167 , H01L21/02172 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02183 , H01L21/02186 , H01L21/02189 , H01L21/02211 , H01L21/0228 , H01L21/31
摘要： 本申请涉及半导体器件的制造方法、衬底处理方法及衬底处理装置，形成具有低介电常数、高耐蚀刻性、高耐泄漏性的特性的薄膜。包括通过进行规定次数如下循环而在衬底上形成包含规定元素的薄膜的工序，该循环包括：通过交替地进行规定次数向衬底供给包含规定元素和卤素的原料气体的工序、和向衬底供给由碳、氮及氢这3种元素构成的组成式中碳原子的数量比氮原子的数量多的第一反应气体的工序而形成包含规定元素、氮及碳的第一层的工序；通过向衬底供给与原料气体及第一反应气体不同的第二反应气体，对第一层进行改性而形成第二层的工序。
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公开(公告)号：CN104576329A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410397419.5
申请日：2014-08-13
申请人： 株式会社日立国际电气
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/36 , C23C16/45527 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01L21/02167 , H01L21/02211
摘要： 本发明涉及半导体装置的制备方法及衬底处理装置。在形成含有规定元素、碳和氮的膜时，提高膜中的组成的控制性。本发明的半导体装置的制备方法具有通过进行规定次数的循环从而在衬底上形成含有规定元素、碳和氮的膜的工序，所述循环含有以下工序：向衬底供给含有规定元素和卤元素的第1处理气体的工序，向衬底供给由碳、氮和氢3种元素构成的第2处理气体的工序，和向衬底供给含有碳的第3处理气体的工序。
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公开(公告)号：CN104249070A
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201410139146.4
申请日：2014-03-31
申请人： 株式会社日立国际电气
CPC分类号： H01L21/02049 , C23C16/4405 , H01L21/02126
摘要： 用于在处理室中的基材上形成含碳膜后清洁处理室内部的方法，包括执行预定次数的循环。该循环包括供应改性气体到处理室中以改性沉积在处理室中的元件表面上的包括含碳膜的沉积物和供应蚀刻气体到处理室中以通过热化学反应除去改性的沉积物。
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