公开(公告)号：CN105493248B

公开(公告)日：2018-04-10

申请号：CN201380079276.7

申请日：2013-09-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 野田孝晓 ,  野原慎吾 ,  岛本聪 ,  芦原洋司 ,  花岛建夫 ,  广濑义朗 ,  镰仓司

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02318

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理系统及记录介质。所述半导体器件的制造方法具有下述工序：将包括对衬底供给包含规定元素、碳及卤素且具有由规定元素和碳形成的化学键的原料气体的工序、对衬底供给氧化气体的工序、和对衬底供给催化剂气体的工序的循环进行规定次数，由此在衬底上形成包含规定元素、氧及碳的薄膜的工序；在比形成薄膜的工序中的衬底的温度高的第一温度下对薄膜进行热处理，由此从薄膜中除去第一杂质的工序；和在第一温度以上的第二温度下对薄膜进行热处理，由此从以第一温度进行了热处理后的薄膜中除去与第一杂质不同的第二杂质的工序。

公开(公告)号：CN105493248A

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201380079276.7

申请日：2013-09-30

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 野田孝晓 ,  野原慎吾 ,  岛本聪 ,  芦原洋司 ,  花岛建夫 ,  广濑义朗 ,  镰仓司

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/30 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02318

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、衬底处理系统及记录介质。所述半导体器件的制造方法具有下述工序：将包括对衬底供给包含规定元素、碳及卤素且具有由规定元素和碳形成的化学键的原料气体的工序、对衬底供给氧化气体的工序、和对衬底供给催化剂气体的工序的循环进行规定次数，由此在衬底上形成包含规定元素、氧及碳的薄膜的工序；在比形成薄膜的工序中的衬底的温度高的第一温度下对薄膜进行热处理，由此从薄膜中除去第一杂质的工序；和在第一温度以上的第二温度下对薄膜进行热处理，由此从以第一温度进行了热处理后的薄膜中除去与第一杂质不同的第二杂质的工序。

公开(公告)号：CN102652353A

公开(公告)日：2012-08-29

申请号：CN201080055670.3

申请日：2010-12-09

申请人： 诺发系统有限公司

发明人： 恺晗·阿什蒂亚尼 ,  迈克尔·伍德 ,  约翰·德鲁瑞 ,  庄田尚弘 ,  巴尔特·范施拉文迪杰克 ,  拉克什米纳拉亚那·尼塔拉 ,  内里萨·德拉热

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02274 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/76224

摘要： 本发明提供新颖间隙填充方案，所述方案涉及沉积可流动氧化物膜及高密度等离子体化学气相沉积氧化物(HDP氧化物)膜两者。根据各种实施例，所述可流动氧化物膜可用作牺牲层及/或用作用于自底向上间隙填充的材料。在某些实施例中，经填充间隙的顶部表面为HDP氧化物膜。所得经填充间隙可仅用HDP氧化物膜进行填充，或用HDP氧化物膜与可流动氧化物膜的组合进行填充。所述方法提供改进的顶帽减小且避免界定所述间隙的结构的截割。

公开(公告)号：CN1957108A

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN200580010033.3

申请日：2005-03-24

申请人： 应用材料公司

发明人： 福兰斯马尔·斯楚弥特 ,  郑毅 ,  亦康苏 ,  安相和 ,  莱斯特·A·德库兹 ,  达斯廷·W·霍 ,  亚历山德罗斯·T·迪莫斯 ,  夏立群 ,  德里克·R·维蒂 ,  海澈姆·穆萨德

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/76825 ,  C23C16/401 ,  C23C16/56 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02351 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L21/7682 ,  H01L2221/1047 ,  Y10T428/249978

摘要： 本发明的实施方式涉及用于化学气相沉积的低k材料的多阶段固化工艺。在特定的实施方式中，电子束辐射和热暴露步骤的组合可被用于控制结合在膜中的成孔剂的选择性排气，从而形成纳米孔。根据一种具体实施方式，通过首先施加热能然后施加电子束形式的辐射，可以对得自含硅组分与具有不稳定基团的不含硅组分之间的反应的低k层进行固化。

公开(公告)号：CN1267975C

公开(公告)日：2006-08-02

申请号：CN02124706.4

申请日：2002-06-21

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 杨能辉 ,  杨名声

IPC分类号： H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02123 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/401 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/31612

摘要： 本发明为一种于一半导体晶片表面上沉积一薄膜的方法，该半导体晶片表面可至少区分为一涵盖该半导体晶片中心的第一区域以及一涵盖该半导体晶片边缘的第二区域，且该第一区域以及该第二区域之间存在一高度梯度；本发明的方法是先于该半导体晶片表面进行一原处惰性气体等离子体处理工艺，以于该第一区域以及该第二区域之间形成一温度梯度，接着于完成该惰性气体等离子体处理工艺后，立即于该半导体晶片表面进行一前驱物A-化学气相沉积工艺，以于该半导体晶片表面上沉积形成一表面平整的薄膜；其中该温度梯度可于该半导体晶片表面上的该第一区域以及该第二区域之间产生一前驱物A沉积速度差异，藉此消除由于该高度梯度所造成的薄膜均匀度不佳问题，因而改善了产品良率并增加产品稳定度，进而提升产品竞争优势。

公开(公告)号：CN108899266A

公开(公告)日：2018-11-27

申请号：CN201810391485.X

申请日：2018-04-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 巴德里·N·瓦拉达拉简 ,  桂哲 ,  龚波 ,  安德鲁·约翰·迈凯洛

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02167 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0274

摘要： 本发明涉及用于在金属层上沉积氧化硅的方法和装置。在具有暴露的金属(例如W、Cu、Ti、Co、Ta)层的衬底上沉积氧化硅薄层，而不引起金属的显著氧化。该方法包括：(a)使具有暴露的金属层的衬底与含硅前体接触并将前体吸附在衬底上；(b)从处理室中去除未被吸附的前体；以及(c)使被吸附的前体与在包含氧源(例如，O2、CO2、N2O、O3)和H2的工艺气体中形成的等离子体接触以由含硅前体形成氧化硅，同时抑制金属氧化。可以重复这些步骤，直到形成具有期望厚度的氧化硅膜。在一些实施方式中，使用氧化硅膜来改善随后沉积的碳化硅的核化。

公开(公告)号：CN105390378B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510416824.1

申请日：2015-07-15

申请人： 株式会社日立国际电气

发明人： 山本隆治 ,  镰仓司 ,  广濑义朗 ,  岛本聪

IPC分类号： H01L21/22 ,  H01L21/67

CPC分类号： H01L21/02334 ,  C23C16/4405 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02183 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67

摘要： 一种半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制实施成膜处理后的处理室内产生颗粒，包括下述工序：将衬底搬入处理室内的工序；在处理室内，利用具有加热器的支承台支承衬底的工序；将支承着衬底的支承台配置于第一位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给处理气体、在衬底上形成膜的工序；将膜形成后的衬底从处理室内搬出的工序；将支承台配置于比第一位置更靠近处理室内的顶板部的第二位置，在使加热器为打开的状态下，向处理室内供给反应性气体的工序。

公开(公告)号：CN106489190A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201580037489.2

申请日：2015-06-16

申请人： 株式会社EUGENE科技

发明人： 金海元 ,  申昌勋 ,  金锡允 ,  郑春植

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0234 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/473 ,  H01L21/76224

摘要： 根据本发明的一实施例，在形成有具有5：1以上的纵横比的凹陷部的基板上，在上述凹陷部上蒸镀绝缘膜的方法包括：绝缘膜蒸镀步骤，该绝缘膜蒸镀步骤执行在装载有上述基板的腔的内部注入硅前驱体而在上述基板上吸附硅的吸附步骤、在上述腔的内部去除未反应的硅前驱体及反应副产物的第1净化步骤、在上述腔的内部供给第1反应源而将被吸附的上述硅形成为含硅的绝缘膜的反应步骤以及在上述腔的内部去除未反应的第1反应源和反应副产物的第2净化步骤；以及致密化步骤，施加RF电源而在上述腔的内部形成等离子体气氛，利用上述等离子体气氛将上述含硅的绝缘膜变得致密，其中，上述RF电源频率是400kHz至2MHz。

公开(公告)号：CN102652353B

公开(公告)日：2016-12-07

申请号：CN201080055670.3

申请日：2010-12-09

申请人： 诺发系统有限公司

发明人： 恺晗·阿什蒂亚尼 ,  迈克尔·伍德 ,  约翰·德鲁瑞 ,  庄田尚弘 ,  巴尔特·范施拉文迪杰克 ,  拉克什米纳拉亚那·尼塔拉 ,  内里萨·德拉热

IPC分类号： H01L21/76 ,  H01L21/316

CPC分类号： H01L21/02274 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/76224

摘要： 本发明提供新颖间隙填充方案，所述方案涉及沉积可流动氧化物膜及高密度等离子体化学气相沉积氧化物(HDP氧化物)膜两者。根据各种实施例，所述可流动氧化物膜可用作牺牲层及/或用作用于自底向上间隙填充的材料。在某些实施例中，经填充间隙的顶部表面为HDP氧化物膜。所得经填充间隙可仅用HDP氧化物膜进行填充，或用HDP氧化物膜与可流动氧化物膜的组合进行填充。所述方法提供改进的顶帽减小且避免界定所述间隙的结构的截割。

公开(公告)号：CN105938792A

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：CN201610127551.3

申请日：2016-03-07

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿鲁尔·N·达斯

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02274 ,  C23C16/045 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/50 ,  C23C16/5096 ,  C23C16/52 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/67011

摘要： 本发明涉及最小化TEOS氧化物膜沉积期间接缝效应的方法和装置。一种最小化在半导体衬底等离子体处理装置中的半导体衬底上进行的沟槽填充工艺期间沉积的TEOS氧化物膜的接缝效应的方法，该方法包括将半导体衬底支撑在半导体衬底等离子体处理装置的真空室中的基座上。使包括TEOS、氧化剂和氩气的工艺气体流动通过喷头组件的面板进入真空室的处理区域中。RF能量将所述工艺气体激励成等离子体，其中TEOS氧化物膜被沉积在半导体衬底上以便填充其至少一个沟槽。所述氩气以足以增大所述等离子体的电子密度的量供给，使得朝向半导体衬底的中央的TEOS氧化物膜的沉积速度增大，以及在至少一个沟槽中所沉积的TEOS氧化物膜的接缝效应减小。