公开(公告)号：CN106816379A

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201510844852.3

申请日：2015-11-27

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林猷颖 ,  刘厥扬 ,  王俞仁 ,  杨能辉

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823418 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/30608 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/823425 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66553

Abstract: 本发明公开一种具有外延结构的半导体元件及其制作方法，该具有外延结构的半导体元件包含有一基底、一栅极结构、一间隙壁、以及多个复Σ形外延应力件。该基底包含有一第一半导体材料，该等复Σ形外延应力件分别包含该第一半导体材料与一第二半导体材料，该第二半导体材料的晶格系数不同于该第一半导体材料的晶格系数。该等复Σ形外延应力件分别还包含一第一部分、一第二部分、与一实体连接该第一部分与该第二部分的颈部，该第一部分与该第二部分分别包含有一对第一尖角与一对第二尖角，且该等尖角在一剖面视角中指向该栅极结构。该颈部包含有一第一斜面与一第二斜面。

公开(公告)号：CN1459834A

公开(公告)日：2003-12-03

申请号：CN02159060.5

申请日：2002-12-27

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 吴欣昌 ,  蔡正原 ,  方郁文 ,  杨能辉

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31625

Abstract: 本发明是提供一种提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法。首先提供一半导体基底，其上形成有一氮化硅膜；接着将该氮化硅膜接触一含氧电浆，随后再沉积一硼硅玻璃膜于该氮化硅膜之上；经过60秒臭氧电浆处理过硼硅玻璃膜底下的氮化硅膜之后，该硼硅玻璃膜的Kapp值比未处理的Kapp值可增加约50％左右。

公开(公告)号：CN100485920C

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN01143894.0

申请日：2001-12-18

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 杨能辉 ,  蔡正原 ,  吴欣昌

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明揭露了一种应用于半导体集成电路中的双层硅碳化合物阻挡层及其形成方法。本发明的双层硅碳化合物阻挡层覆盖于一金属导线层以及一第一介电层上。该双层硅碳化合物阻挡层利用等离子体加强化学气相沉积制作工艺形成，其具有一氮掺杂硅碳化合物底层以及一氧掺杂硅碳化合物上层。此外，该氮掺杂硅碳化合物底层具有一最小厚度，用以避免该金属导线层的金属原子扩散至一第二介电层中，同时避免该掺杂氧硅碳化合物上层中的氧原子扩散至该金属导线层中。

公开(公告)号：CN1420530A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN01130382.4

申请日：2001-11-21

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 杨能辉 ,  蔡正原 ,  吴欣昌

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/283 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L27/02

Abstract: 本发明揭露一种应用于双镶嵌内连线的氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层。本发明一种集成电路结构包含有：一底层；一第一介电层，形成于该底层上；一蚀刻停止层(etch stop layer)，形成于该第一介电层上；以及一第二介电层，形成于该蚀刻停止层上。其中该蚀刻停止层系由氧掺杂硅碳化合物(oxygen－doped SiC)所构成，且该第二介电层系利用化学气相沉积(CVD)制程形成。氧掺杂硅碳化合物具有低介电常数(k＜4.2)、高击穿电压以及极佳的薄膜稳定性，因此可以提升元件可靠度以及操作效能。

公开(公告)号：CN1411041A

公开(公告)日：2003-04-16

申请号：CN01140915.0

申请日：2001-09-26

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 杨能辉 ,  林庆福 ,  郑懿芳 ,  蔡正原

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/4757

Abstract: 本发明提供一种氟硅玻璃(FSG)层表面处理的方法，该方法包括有下列步骤：首先在一半导体芯片上沉积一氟硅玻璃层，接着现场(in－situ)移除该氟硅玻璃层的上表层的部分氟离子，以形成一预定厚度的硅氧层。然后在该硅氧层上涂覆一光致抗蚀剂层，经过一曝光制作工艺于该光致抗蚀剂层中形成一预定潜在(latent)图案，最后经过一显影制作工艺，以去除该预定潜在图案的该光致抗蚀剂层，暴露出相对于该预定潜在图案下方的该硅氧层。本发明方法可以解决氟硅玻璃中的氟离子扩散至氟硅玻璃的表面，形成氢氟酸而造成毒害光致抗蚀剂、腐蚀金属或可靠度问题。

公开(公告)号：CN1396636A

公开(公告)日：2003-02-12

申请号：CN02124706.4

申请日：2002-06-21

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 杨能辉 ,  杨名声

IPC: H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02123 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/401 ,  C23C16/46 ,  H01L21/02208 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明为一种于一半导体晶片表面上沉积一薄膜的方法，该半导体晶片表面可至少区分为一涵盖该半导体晶片中心的第一区域以及一涵盖该半导体晶片边缘的第二区域，且该第一区域以及该第二区域之间存在一高度梯度；本发明的方法是先于该半导体晶片表面进行一同室钝气等离子处理步骤，以于该第一区域以及该第二区域之间形成一温度梯度，接着于完成该钝气等离子处理制程后，立即于该半导体晶片表面进行一前驱物A－化学气相沉积制程，以于该半导体晶片表面上沉积形成一表面平整的薄膜；其中该温度梯度可于该半导体晶片表面上的该第一区域以及该第二区域之间产生一前驱物A沉积速度差异，藉此消除由于该高度梯度所造成的薄膜表面均匀度不佳问题，因而改善了产品良率并增加产品稳定度，进而提升产品竞争优势。

公开(公告)号：CN107527945A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610598784.1

申请日：2016-07-27

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林猷颖 ,  古冠轩 ,  胡益诚 ,  刘厥扬 ,  吕水烟 ,  林钰书 ,  杨钧耀 ,  王俞仁 ,  杨能辉

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636

Abstract: 本发明公开一种外延结构、半导体装置以及其制造方法。其中半导体装置包括一半导体基底、一形成于该半导体基底上的栅极结构以及一部分形成于该半导体基底中的外延结构。该外延结构的一垂直延伸部于与该栅极结构相邻的一区域中的该半导体基底的一上表面上方垂直延伸。该外延结构的一侧向延伸部于该半导体基底的该上表面下方的一区域朝一往该栅极结构下方的一区域以及远离该外延结构垂直延伸的一区域的方向上侧向延伸。该半导体装置还包括一层间介电层位于该外延结构的该垂直延伸部的一侧表面以及该栅极结构的一侧表面之间。该外延结构的该侧向延伸部的一上表面直接接触该层间介电层。

公开(公告)号：CN1828848A

公开(公告)日：2006-09-06

申请号：CN200510051754.0

申请日：2005-03-01

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 王湘莹 ,  杨能辉 ,  林焕顺

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31

Abstract: 一种氮化硅膜的制造方法，此方法适用于基底，且于基底上至少形成有一晶体管元件，而此方法包括下列步骤。首先，于晶体管元件上形成自行对准金属硅化物膜。接着，于基底上形成氮化硅膜。之后，对氮化硅膜进行热处理工艺。其中，此热处理工艺的工艺温度低于摄氏450度，且此热处理工艺是在惰性气体环境中进行。因此，藉由本发明的氮化硅膜的制造方法，能够以低热预算工艺制造出高拉伸应力的氮化硅膜，从而能够在不影响金属硅化物的热稳定性的情况下，增进晶体管元件的通道内的电子移动率。

公开(公告)号：CN1258803C

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN02142623.6

申请日：2002-09-09

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 杨能辉 ,  蒋一方 ,  蔡正原 ,  谢文益

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/00

CPC classification number: C23C16/4408 ,  C23C16/4481

Abstract: 一种气相流体运送系统的加热注入装置，其包含一惰性气体洁净组件及一流体加热装置。惰性气体洁净组件至少包含一注入器、一三向阀门、一排气用分支管道及一洁净气体供应部，且此三向阀门用以连接洁净气体供应部、注入器及排气用分支管道。液态材料由注入器注入一气体通道中，此外洁净气体供应部提供洁净气体用以喷吹洁净残存于注入器内的液态材料，以避免聚合作用的产生。流体加热装置用于调整温度至所需加热温度，并且可更快速有效率地加热并稳定温度于整个反应中。

公开(公告)号：CN1210770C

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN02159060.5

申请日：2002-12-27

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 吴欣昌 ,  蔡正原 ,  方郁文 ,  杨能辉

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/76

CPC classification number: H01L21/02129 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31625

Abstract: 一种提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法。首先提供一半导体基底，其上形成有一氮化硅膜；接着将该氮化硅膜接触一含氧等离子体，随后再沉积一硼硅玻璃膜于该氮化硅膜之上；经过60秒臭氧等离子体处理过硼硅玻璃膜底下的氮化硅膜之后，该硼硅玻璃膜的Kapp值比未处理的Kapp值可增加约50%左右。