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公开(公告)号：CN1210770C
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN02159060.5
申请日：2002-12-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/314 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/02129 , H01L21/02315 , H01L21/3081 , H01L21/31625
Abstract: 一种提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法。首先提供一半导体基底，其上形成有一氮化硅膜；接着将该氮化硅膜接触一含氧等离子体，随后再沉积一硼硅玻璃膜于该氮化硅膜之上；经过60秒臭氧等离子体处理过硼硅玻璃膜底下的氮化硅膜之后，该硼硅玻璃膜的Kapp值比未处理的Kapp值可增加约50%左右。
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公开(公告)号：CN100485920C
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN01143894.0
申请日：2001-12-18
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 本发明揭露了一种应用于半导体集成电路中的双层硅碳化合物阻挡层及其形成方法。本发明的双层硅碳化合物阻挡层覆盖于一金属导线层以及一第一介电层上。该双层硅碳化合物阻挡层利用等离子体加强化学气相沉积制作工艺形成，其具有一氮掺杂硅碳化合物底层以及一氧掺杂硅碳化合物上层。此外，该氮掺杂硅碳化合物底层具有一最小厚度，用以避免该金属导线层的金属原子扩散至一第二介电层中，同时避免该掺杂氧硅碳化合物上层中的氧原子扩散至该金属导线层中。
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公开(公告)号：CN100350573C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN200310119946.1
申请日：2003-11-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 吴欣昌
IPC: H01L21/31 , H01L21/469
Abstract: 本发明提供一形成介电层的间黏着力的方法，包含形成第一介电层以及形成第二介电层，其中形成第二介电层包含形成第一部分以及形成第二部分。在第一介电层上形成第一部分以及在第一部分上形成第二部分。藉由原处(in-situ)的方式形成第一部分以及第二部分。第一部分至少有一介电系数或硬度或SiCH3/SiO面积比(area ratio)高于第二部分。一种加强内黏着(enhanced-inter-adhesion)的介电层结构，包含第一介电层，以及第二介电层有第一部分位于第一介电层的上以及第二部分位于第一部分之上，其中第一部分有一介电系数大约是2.8至3.5且高于第二部分的介电系数。
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公开(公告)号：CN1420530A
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN01130382.4
申请日：2001-11-21
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/283 , H01L21/768 , H01L23/52 , H01L27/02
Abstract: 本发明揭露一种应用于双镶嵌内连线的氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层。本发明一种集成电路结构包含有：一底层；一第一介电层，形成于该底层上；一蚀刻停止层(etch stop layer)，形成于该第一介电层上；以及一第二介电层，形成于该蚀刻停止层上。其中该蚀刻停止层系由氧掺杂硅碳化合物(oxygen－doped SiC)所构成，且该第二介电层系利用化学气相沉积(CVD)制程形成。氧掺杂硅碳化合物具有低介电常数(k＜4.2)、高击穿电压以及极佳的薄膜稳定性，因此可以提升元件可靠度以及操作效能。
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公开(公告)号：CN101256976B
公开(公告)日：2010-09-01
申请号：CN200710085616.3
申请日：2007-03-01
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 吴欣昌
IPC: H01L21/762 , H01L21/30
Abstract: 本发明揭示一种避免产生气泡缺陷的浅沟绝缘结构工艺，是在蚀刻形成浅沟后，对浅沟底部表面进行含碳或氧的物质的移除，再继续完成此浅沟绝缘结构工艺。另外，亦可在浅沟的表面上形成氧化物衬垫层及氮化硅衬垫层之后，才进行浅沟底部表面的含碳或氧的物质的移除。本发明亦揭示一种浅沟底部表面处理的方法。经过对浅沟表面的处理，可避免因为氮化硅衬垫层的使用所导致的气泡缺陷。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1459834A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN02159060.5
申请日：2002-12-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/314 , H01L21/76
CPC classification number: H01L21/02129 , H01L21/02315 , H01L21/3081 , H01L21/31625
Abstract: 本发明是提供一种提高硼硅玻璃膜及氮化硅膜之间粘合强度的方法。首先提供一半导体基底，其上形成有一氮化硅膜；接着将该氮化硅膜接触一含氧电浆，随后再沉积一硼硅玻璃膜于该氮化硅膜之上；经过60秒臭氧电浆处理过硼硅玻璃膜底下的氮化硅膜之后，该硼硅玻璃膜的Kapp值比未处理的Kapp值可增加约50％左右。
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公开(公告)号：CN1622291A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200310119946.1
申请日：2003-11-27
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 吴欣昌
IPC: H01L21/31 , H01L21/469
Abstract: 本发明提供一形成介电层的间黏着力的方法，包含形成第一介电层以及形成第二介电层，其中形成第二介电层包含形成第一部分以及形成第二部分。在第一介电层上形成第一部分以及在第一部分上形成第二部分。藉由原处(in－situ)的方式形成第一部分以及第二部分。第一部分至少有一介电系数或硬度或SiCH3/SiO面积比(area ratio)高于第二部分。一种加强内黏着(enhanced－inter－adhesion)的介电层结构，包含第一介电层，以及第二介电层有第一部分位于第一介电层的上以及第二部分位于第一部分之上，其中第一部分有一介电系数大约是2.8至3.5且高于第二部分的介电系数。
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公开(公告)号：CN101256976A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200710085616.3
申请日：2007-03-01
Applicant: 联华电子股份有限公司
Inventor： 吴欣昌
IPC: H01L21/762 , H01L21/30
Abstract: 本发明揭示一种避免产生气泡缺陷的浅沟绝缘结构工艺，是在蚀刻形成浅沟后，对浅沟底部表面进行含碳或氧的物质的移除，再继续完成此浅沟绝缘结构工艺。另外，亦可在浅沟的表面上形成氧化物衬垫层及氮化硅衬垫层之后，才进行浅沟底部表面的含碳或氧的物质的移除。本发明亦揭示一种浅沟底部表面处理的方法。经过对浅沟表面的处理，可避免因为氮化硅衬垫层的使用所导致的气泡缺陷。
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公开(公告)号：CN1179613C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN01133186.0
申请日：2001-09-20
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明是提供一种改善有机低介电常数层附着力的表面处理方法，首先在一基板上沉积一保护层，然后利用一低射频功率的含氧等离子体，对该保护层表面进行一快速表面处理，以在该保护层表面形成一亲水性表面。接着在该亲水性表面上形成一粘附促进剂涂层，最后旋涂一有机低介电常数层于该粘附促进剂层上。其中该亲水性表面的形成可以改变该粘附促进剂分子的排列，使该粘附促进剂分子的亲水基朝向该亲水性表面，而使该粘附促进剂分子的憎水基朝向该有机低介电常数层，从而同时改善该保护层与该粘附促进剂涂层的界面以及该粘附促进剂涂层与该有机低介电常数层的界面。
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公开(公告)号：CN1427476A
公开(公告)日：2003-07-02
申请号：CN01143894.0
申请日：2001-12-18
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L23/532 , H01L21/3205 , H01L21/768
Abstract: 本发明揭露了一种应用于半导体集成电路中的双层硅碳化合物阻障层及其形成方法。本发明的双层硅碳化合物阻障层覆盖于一金属导线层以及一第一介电层上。该双层硅碳化合物阻障层利用等离子体加强化学气相沉积制作工艺形成，其具有一氮掺杂硅碳化合物底层以及一氧掺杂硅碳化合物上层。此外，该氮掺杂硅碳化合物底层具有一最小厚度，用以避免该金属导线层的金属原子扩散至一第二介电层中，同时避免该掺杂氧硅碳化合物上层中的氧原子扩散至该金属导线层中。
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