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公开(公告)号：CN1218381C
公开(公告)日：2005-09-07
申请号：CN02126852.5
申请日：2002-07-19
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02304 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L21/76832
Abstract: 一种增加低介电层涂布能力的方法。本发明的方法包括：旋涂一蚀刻终止层在底材上，旋涂一吸附促进层在蚀刻终止层上。为了增加在蚀刻终止层与有机低介电层之间的涂布能力，在已经烘烤过的吸附促进层上进行预润湿的步骤，使得经过烘烤之后的吸附促进层的涂布品质可以增加，也可以增加在蚀刻终止层与低介电层之间的涂布能力。
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公开(公告)号：CN1179613C
公开(公告)日：2004-12-08
申请号：CN01133186.0
申请日：2001-09-20
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明是提供一种改善有机低介电常数层附着力的表面处理方法，首先在一基板上沉积一保护层，然后利用一低射频功率的含氧等离子体，对该保护层表面进行一快速表面处理，以在该保护层表面形成一亲水性表面。接着在该亲水性表面上形成一粘附促进剂涂层，最后旋涂一有机低介电常数层于该粘附促进剂层上。其中该亲水性表面的形成可以改变该粘附促进剂分子的排列，使该粘附促进剂分子的亲水基朝向该亲水性表面，而使该粘附促进剂分子的憎水基朝向该有机低介电常数层，从而同时改善该保护层与该粘附促进剂涂层的界面以及该粘附促进剂涂层与该有机低介电常数层的界面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1406107A
公开(公告)日：2003-03-26
申请号：CN01133186.0
申请日：2001-09-20
Applicant: 联华电子股份有限公司
Abstract: 本发明是提供一种改善有机低介电常数层附着力的表面处理方法，首先在一基板上沉积一保护层，然后利用一低射频功率的含氧等离子体，对该保护层表面进行一快速表面处理，以在该保护层表面形成一亲水性表面。接着在该亲水性表面上形成一粘附促进剂涂层，最后旋涂一有机低介电常数层于该粘附促进剂层上。其中该亲水性表面的形成可以改变该粘附促进剂分子的排列，使该粘附促进剂分子的亲水基朝向该亲水性表面，而使该粘附促进剂分子的憎水基朝向该有机低介电常数层，从而同时改善该保护层－该粘附促进剂涂层的界面以及该粘附促进剂涂层－该有机低介电常数层的界面。
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公开(公告)号：CN1447402A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN02147324.2
申请日：2002-10-18
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/324 , H01L21/477
CPC classification number: H01L21/76883 , C25D5/50 , C25D7/12 , H01L21/2885
Abstract: 一种电镀金属退火的方法，包括：首先，提供一半导体结构，此半导体结构包括有多个半导体元件，如一基极、一发射极和集电极区及一场氧化区。接着，形成一介电层于半导体结构上，然后藉由传统的微影和蚀刻制程形成一开口于介电层内且接触到部分的半导体结构，并藉由一电镀制程于介电层上形成一电镀金属层并填满上述的开口。之后，利用氨气等离子体促进化学气相沉积法对上述经电镀制程而形成的电镀金属层进行退火处理。
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公开(公告)号：CN1404136A
公开(公告)日：2003-03-19
申请号：CN02126852.5
申请日：2002-07-19
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02304 , H01L21/02118 , H01L21/02126 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/312 , H01L21/76832
Abstract: 一种增加低介电层涂布能力的方法。本发明的方法包括：旋涂一蚀刻终止层在底材上，旋涂一吸附促进层在蚀刻终止层上。为了增加在蚀刻终止层与有机低介电层之间的涂布能力，在已经烘烤过的吸附促进层上进行预润湿的步骤，使得经过烘烤之后的吸附促进层的涂布品质可以增加，也可以增加在蚀刻终止层与低介电层之间的涂布能力。
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公开(公告)号：CN100397591C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN02124608.4
申请日：2002-06-19
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/3105
Abstract: 一种低介电常数材料层的制造方法，其步骤如下：首先在基底上形成一高分子材料层，再熟化此高分子材料层。接着于此高分子材料层上形成一接合材料层，其主成分为一有机硅化合物，且此有机硅化合物具有相连的一含硅片段与一未饱合碳氢片段。然后熟化此接合材料层，令其中的有机硅化合物与高分子材料反应并产生键结，以使此高分子材料层具有一含硅表面。另外，上述的高分子材料层也可与接合材料层同时熟化。
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公开(公告)号：CN1409381A
公开(公告)日：2003-04-09
申请号：CN02124608.4
申请日：2002-06-19
Applicant: 联华电子股份有限公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/3105
Abstract: 一种低介电常数材料层的制造方法，其步骤如下：首先在基底上形成一高分子材料层，再熟化此高分子材料层。接着于此高分子材料层上形成一接合材料层，其主成分为一有机硅化合物，且此有机硅化合物具有相连之一含硅片段与一未饱合碳氢片段。然后熟化此接合材料层，令其中的有机硅化合物与高分子材料反应并产生键结，以使此高分子材料层具有一含硅表面。另外，上述之高分子材料层亦可与接合材料层同时熟化。
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