公开(公告)号：CN107369644B

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN201610313243.X

申请日：2016-05-12

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 谢明修 ,  杨钧耀 ,  刘仕佑 ,  林荣信 ,  颜瀚廷 ,  陈意维 ,  胡益诚 ,  林钰书 ,  杨能辉

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中该半导体元件包含有一其上形成有多个晶体管元件的基底、至少一设置于该多个晶体管元件之间的外延结构、以及一设置于该外延结构之上的三层结构。该外延结构包含有一第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数。该三层结构包含有一未掺杂外延层、一金属‑半导体化合物层、以及一夹设于该未掺杂外延层与该金属‑半导体化合物层之间的掺杂外延层。该未掺杂外延层与该掺杂外延层包含有至少该第二半导体材料。

公开(公告)号：CN107527815A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610452293.6

申请日：2016-06-21

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 李一凡 ,  冯立伟 ,  许力介 ,  陈俊仁 ,  胡益诚 ,  吴典逸 ,  林钰书 ,  杨能辉

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/823821 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/2652 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66795 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02617 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明公开一种外延层的制作方法，包含提供一硅基底，一介电层覆盖硅基底，接着形成一凹槽于硅基底和介电层内，之后进行一选择性外延成长步骤以及一非选择性外延成长步骤，分别形成一第一外延层和第二外延层于凹槽内，第一外延层不覆盖介电层的上表面，其中凹槽由第一外延层和第二外延层共同填满，最后平坦化第一外延层和第二外延层。

公开(公告)号：CN107527945A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201610598784.1

申请日：2016-07-27

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林猷颖 ,  古冠轩 ,  胡益诚 ,  刘厥扬 ,  吕水烟 ,  林钰书 ,  杨钧耀 ,  王俞仁 ,  杨能辉

IPC: H01L29/08 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76877 ,  H01L27/0922 ,  H01L29/0688 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66636

Abstract: 本发明公开一种外延结构、半导体装置以及其制造方法。其中半导体装置包括一半导体基底、一形成于该半导体基底上的栅极结构以及一部分形成于该半导体基底中的外延结构。该外延结构的一垂直延伸部于与该栅极结构相邻的一区域中的该半导体基底的一上表面上方垂直延伸。该外延结构的一侧向延伸部于该半导体基底的该上表面下方的一区域朝一往该栅极结构下方的一区域以及远离该外延结构垂直延伸的一区域的方向上侧向延伸。该半导体装置还包括一层间介电层位于该外延结构的该垂直延伸部的一侧表面以及该栅极结构的一侧表面之间。该外延结构的该侧向延伸部的一上表面直接接触该层间介电层。

公开(公告)号：CN107369644A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201610313243.X

申请日：2016-05-12

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 谢明修 ,  杨钧耀 ,  刘仕佑 ,  林荣信 ,  颜瀚廷 ,  陈意维 ,  胡益诚 ,  林钰书 ,  杨能辉

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53252 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/768 ,  H01L21/7685

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中该半导体元件包含有一其上形成有多个晶体管元件的基底、至少一设置于该多个晶体管元件之间的外延结构、以及一设置于该外延结构之上的三层结构。该外延结构包含有一第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数。该三层结构包含有一未掺杂外延层、一金属-半导体化合物层、以及一夹设于该未掺杂外延层与该金属-半导体化合物层之间的掺杂外延层。该未掺杂外延层与该掺杂外延层包含有至少该第二半导体材料。