公开(公告)号：CN108713249A

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201780015973.4

申请日：2017-02-22

Applicant: 美光科技公司

Inventor： D·C·潘迪 ,  刘海涛 ,  C·穆利

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L23/481 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53233 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53271 ,  H01L23/5384

Abstract: 本文中揭示用于形成低电容穿衬底穿孔结构的设备及方法。一种实例设备包含：开口，其形成于衬底中，其中所述开口具有至少一个侧壁；第一电介质，其至少形成于所述开口的所述侧壁上；第一导体，其至少形成于所述第一电介质上；第二电介质，其至少形成于所述第一导体上；及第二导体，其至少形成于所述第二电介质的侧壁上。

公开(公告)号：CN108461477A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810153824.0

申请日：2018-02-22

Applicant: 格芯公司

Inventor： 林萱 ,  张洵渊 ,  S·B·劳 ,  J·J·麦克马洪

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53295

Abstract: 本发明涉及用于超(跳跃)通孔整合的金属互连，其关于半导体结构，且更尤指用于超(跳跃)通孔整合的金属互连结构及制造方法。该结构包括：具有一或多个布线结构的第一布线层；包括互连件与布线结构的第二布线层；以及于第二布线层上面定位有一或多个通孔互连件与布线结构的至少一个上布线层。一或多个通孔互连件与布线结构部分地包括第一金属材料、及第一金属材料上方具有导电材料的其余部分。跳跃通孔通过第二布线层，并延展至第一布线层的一或多个布线结构。跳跃通孔部分地包括金属材料，且该跳跃通孔的其余部分包括位在第一金属材料上方的导电材料。

公开(公告)号：CN105374855B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510479756.3

申请日：2015-08-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R.K.约希

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L23/53238 ,  C23C18/00 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1291 ,  C23C18/14 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53252 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及器件和用于制造器件的方法。在各种实施例中，提供了形成器件的方法。该方法包括在衬底之上形成金属层；以及形成至少一个屏障层。屏障层的形成包括在衬底之上沉积包括金属络合物的溶液；以及至少部分地分解金属络合物的配体。

公开(公告)号：CN108231666A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711275244.0

申请日：2017-12-06

Applicant: 格芯公司

Inventor： V·萨尔德赛 ,  W·亨森 ,  都米葛·费瑞尔·路毕 ,  S·艾伦 ,  艾瑞·阿尔特金

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L23/62 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53252

Abstract: 本发明涉及集成电子熔丝，其中，一种半导体装置包括位于互连结构上方并横向偏离该互连结构的金属薄膜例如eFUSE或精密电阻器。第一介电层设于该互连结构上方以及可选地于该金属薄膜下方，并用以在图案化该金属薄膜期间防止蚀刻该互连结构。穿过设于该金属薄膜上方及该互连上方的第二介电层建立至该金属薄膜及该互连的接触。

公开(公告)号：CN105132979B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510296345.0

申请日：2015-06-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿图·克里克斯

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L23/528 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1633 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1664 ,  C25D5/02 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266

Abstract: 本发明涉及用于优化电阻性衬底的电镀性能的晶片边缘的金属化，具体提供了一种用于电镀衬底的方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底具有在所述衬底的顶表面上设置的导电层，所述衬底的所述顶表面具有边缘排除区和处理区；在使所述衬底旋转的同时引导无电沉积溶液流朝向所述边缘排除区，以在所述边缘排除区处的所述导电层上镀敷金属材料；使所述无电沉积溶液流持续一段时间，以在所述边缘排除区产生所述金属材料的增大了的厚度，其中所述金属材料的所述增大了的厚度减小在所述边缘排除区的所述金属材料的电阻；在所述金属材料上施加电触件，以及在向所述衬底的所述处理区上施加电镀溶液时，经由所述电触件施加电流到所述金属材料。

公开(公告)号：CN107889539A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201580080587.4

申请日：2015-06-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C.J.耶泽夫斯基 ,  S.穆克尔杰 ,  D.B.伯格斯特龙 ,  T.K.英杜库里 ,  F.格里焦 ,  R.V.切比亚姆 ,  J.S.克拉克

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266

Abstract: 在一个实施例中，一种用于微电子组件的导电连接器可以形成有贵金属层，其充当附着/润湿层、设置在屏障衬垫与导电填充材料之间。在另外的实施例中，导电连接器可以具有直接设置在屏障衬垫上的贵金属导电填充材料。贵金属作为附着/润湿层或作为导电填充材料的使用可以改进间隙填充和附着，这可以导致基本上没有空隙的导电连接器，从而相对于没有作为附着/润湿层或导电填充材料的贵金属的导电连接器而改进导电连接器的电气性能。

公开(公告)号：CN107369644A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201610313243.X

申请日：2016-05-12

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 谢明修 ,  杨钧耀 ,  刘仕佑 ,  林荣信 ,  颜瀚廷 ,  陈意维 ,  胡益诚 ,  林钰书 ,  杨能辉

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/2257 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/283 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/28525 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76855 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53252 ,  H01L27/088 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/167 ,  H01L29/36 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7848 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/768 ,  H01L21/7685

Abstract: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中该半导体元件包含有一其上形成有多个晶体管元件的基底、至少一设置于该多个晶体管元件之间的外延结构、以及一设置于该外延结构之上的三层结构。该外延结构包含有一第一半导体材料与一第二半导体材料，且该第二半导体材料的一晶格常数大于该第一半导体材料的一晶格常数。该三层结构包含有一未掺杂外延层、一金属-半导体化合物层、以及一夹设于该未掺杂外延层与该金属-半导体化合物层之间的掺杂外延层。该未掺杂外延层与该掺杂外延层包含有至少该第二半导体材料。

公开(公告)号：CN106796929A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201480081501.5

申请日：2014-09-26

Applicant: 英特尔公司

Inventor： K·J·李

IPC: H01L23/48

CPC classification number: H01L25/0652 ,  H01L23/145 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/525 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L25/50 ,  H01L28/40 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2924/15311

Abstract: 本公开内容的实施例涉及集成电路(IC)管芯。在实施例中，该IC管芯可以包括半导体衬底，布置在半导体衬底的第一侧上的多个有源部件，以及布置在半导体衬底的第二侧上的多个无源部件。在实施例中，第二侧可以被布置为与第一侧相对。在一些实施例中，无源部件可以包括电容器和/或电阻器，同时，在一些实施例中，有源部件可以包括晶体管。可以介绍和/或要求保护其他的实施例。

公开(公告)号：CN105132979A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510296345.0

申请日：2015-06-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿图·克里克斯

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L23/528 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1633 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1664 ,  C25D5/02 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266

Abstract: 本发明涉及用于优化电阻性衬底的电镀性能的晶片边缘的金属化，具体提供了一种用于电镀衬底的方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底具有在所述衬底的顶表面上设置的导电层，所述衬底的所述顶表面具有边缘排除区和处理区；在使所述衬底旋转的同时引导无电沉积溶液流朝向所述边缘排除区，以在所述边缘排除区处的所述导电层上镀敷金属材料；使所述无电沉积溶液流持续一段时间，以在所述边缘排除区产生所述金属材料的增大了的厚度，其中所述金属材料的所述增大了的厚度减小在所述边缘排除区的所述金属材料的电阻；在所述金属材料上施加电触件，以及在向所述衬底的所述处理区上施加电镀溶液时，经由所述电触件施加电流到所述金属材料。

公开(公告)号：CN103367290A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201210395013.4

申请日：2012-10-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗翰 ,  郑宗期 ,  张岳青 ,  简荣亮 ,  黄宏达 ,  郑志成

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03616 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05019 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05085 ,  H01L2224/05086 ,  H01L2224/05087 ,  H01L2224/05088 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05098 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121

Abstract: 一种接合焊盘结构包括衬底和在第一介电层中形成并且设置在衬底上方的第一导电岛状物。具有多个通孔的第一通孔阵列形成在第二介电层中并且设置在第一导电岛状物上方。第二导电岛状物形成在第三介电层中并且设置在第一通孔阵列上方。接合焊盘设置在第二导电岛状物上方。第一导电岛状物、第一通孔阵列和第二导电岛状物电连接到接合焊盘。第一通孔阵列未连接到第一介电层中除第一导电岛状物外的其他导电岛状物。除第二导电岛状物外，第三介电层中的其他导电岛状物未连接到第一通孔阵列。本发明提供了具有密集通孔阵列的接合焊盘结构。