公开(公告)号：CN110176494A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910126197.6

申请日：2019-02-20

Applicant: 英特尔公司

Inventor： A.A.沙尔马 ,  T.加尼 ,  J.T.卡瓦列罗斯 ,  G.德维 ,  V.H.勒 ,  L.D.黄 ,  C.J.耶泽夫斯基

IPC: H01L29/41 ,  H01L29/49

Abstract: 晶体管布置中的金属密封剂。本文中公开了晶体管电极-沟道布置，以及相关的方法和器件。例如，在一些实施例中，晶体管电极-沟道布置可以包括沟道材料、在沟道材料之上提供的源极/漏极电极、以及至少部分地包围源极/漏极电极中的一个或多个的密封剂，其中密封剂包括一种或多种金属导电材料。

公开(公告)号：CN107889539A

公开(公告)日：2018-04-06

申请号：CN201580080587.4

申请日：2015-06-03

Applicant: 英特尔公司

Inventor： C.J.耶泽夫斯基 ,  S.穆克尔杰 ,  D.B.伯格斯特龙 ,  T.K.英杜库里 ,  F.格里焦 ,  R.V.切比亚姆 ,  J.S.克拉克

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76846 ,  H01L21/76843 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266

Abstract: 在一个实施例中，一种用于微电子组件的导电连接器可以形成有贵金属层，其充当附着/润湿层、设置在屏障衬垫与导电填充材料之间。在另外的实施例中，导电连接器可以具有直接设置在屏障衬垫上的贵金属导电填充材料。贵金属作为附着/润湿层或作为导电填充材料的使用可以改进间隙填充和附着，这可以导致基本上没有空隙的导电连接器，从而相对于没有作为附着/润湿层或导电填充材料的贵金属的导电连接器而改进导电连接器的电气性能。