公开(公告)号：CN108231666A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711275244.0

申请日：2017-12-06

Applicant: 格芯公司

Inventor： V·萨尔德赛 ,  W·亨森 ,  都米葛·费瑞尔·路毕 ,  S·艾伦 ,  艾瑞·阿尔特金

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/525

CPC classification number: H01L23/62 ,  H01L21/76804 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5228 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53252

Abstract: 本发明涉及集成电子熔丝，其中，一种半导体装置包括位于互连结构上方并横向偏离该互连结构的金属薄膜例如eFUSE或精密电阻器。第一介电层设于该互连结构上方以及可选地于该金属薄膜下方，并用以在图案化该金属薄膜期间防止蚀刻该互连结构。穿过设于该金属薄膜上方及该互连上方的第二介电层建立至该金属薄膜及该互连的接触。

公开(公告)号：CN110047829A

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201810538956.5

申请日：2018-05-30

Applicant: 格芯公司

Inventor： 臧辉 ,  许国伟 ,  K·塔巴克曼 ,  V·萨尔德赛

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及中段制程结构。本公开通常涉及半导体结构，更特别地，涉及中段制程结构和制造方法。所述结构包括：包括源极和/或漏极金属化特征的多个栅极结构；位于所述栅极结构的侧壁上并且由第一材料和第二材料构成的隔离物；以及与所述源极和/或漏极金属化特征电接触并且通过所述隔离物与所述栅极结构分离的接触。