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公开(公告)号：CN108713249B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201780015973.4
申请日：2017-02-22
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/768
Abstract: 本文中揭示用于形成低电容穿衬底穿孔结构的设备及方法。一种实例设备包含：开口，其形成于衬底中，其中所述开口具有至少一个侧壁；第一电介质，其至少形成于所述开口的所述侧壁上；第一导体，其至少形成于所述第一电介质上；第二电介质，其至少形成于所述第一导体上；及第二导体，其至少形成于所述第二电介质的侧壁上。
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公开(公告)号：CN110383477A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880015646.3
申请日：2018-02-13
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 一些实施例包含一种具有与竖直延伸半导体柱相关联的晶体管的设备。所述晶体管包含位于所述竖直延伸半导体柱内的上部源极/漏极区域、位于所述竖直延伸半导体柱内的下部源极/漏极区域及位于所述竖直延伸半导体柱内且介于所述上部与下部源极/漏极区域之间的沟道区域。所述晶体管还包含沿着所述沟道区域的栅极。字线与所述晶体管的所述栅极耦合。数字线与所述晶体管的所述下部源极/漏极区域耦合。可编程装置与所述晶体管的所述上部源极/漏极区域耦合。主体连接线位于所述字线上方且与所述字线平行地延伸。所述主体连接线具有穿透到所述竖直延伸半导体材料柱中的横向边缘。所述主体连接线具有不同于所述半导体材料柱的组成。
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公开(公告)号：CN101288166A
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200580025205.4
申请日：2005-07-25
Applicant: 美光科技公司
Inventor： C·穆利
IPC: H01L21/82 , H01L27/06 , H01L27/105
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/8213 , H01L27/105 , H01L27/10826 , H01L27/10873 , H01L27/10879 , H01L29/1054 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/4236 , H01L29/7827 , H01L29/785 , Y10S438/931
Abstract: 存储器件包括存储单元阵列和外围器件。独立存储单元中的至少一些包括包含SiC的碳化部分。至少一些外围器件不包括任何碳化部分。晶体管包括第一源/漏极，第二源/漏极，在第一和第二源/漏极之间的包括包含SiC的半导电衬底的碳化部分的沟道以及在操作上与该沟道的相对侧相关联的栅极。
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公开(公告)号：CN114651334A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202080077806.4
申请日：2020-10-15
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L29/49 , H01L21/28 , H01L27/11524 , H01L27/1157
Abstract: 本发明公开了场效应晶体管，及包含此类场效应晶体管的设备，所述场效应晶体管包含上覆于半导体的栅极电介质及上覆于所述栅极电介质的控制栅极。所述控制栅极可包含含有多晶硅的第一含多晶硅材料的例子及含有多晶硅‑锗及多晶硅‑锗‑碳的第二含多晶硅材料的例子。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108713249A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201780015973.4
申请日：2017-02-22
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/76898 , H01L23/53233 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/53271 , H01L23/5384
Abstract: 本文中揭示用于形成低电容穿衬底穿孔结构的设备及方法。一种实例设备包含：开口，其形成于衬底中，其中所述开口具有至少一个侧壁；第一电介质，其至少形成于所述开口的所述侧壁上；第一导体，其至少形成于所述第一电介质上；第二电介质，其至少形成于所述第一导体上；及第二导体，其至少形成于所述第二电介质的侧壁上。
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公开(公告)号：CN110383477B
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN201880015646.3
申请日：2018-02-13
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/108
Abstract: 一些实施例包含一种具有与竖直延伸半导体柱相关联的晶体管的设备。所述晶体管包含位于所述竖直延伸半导体柱内的上部源极/漏极区域、位于所述竖直延伸半导体柱内的下部源极/漏极区域及位于所述竖直延伸半导体柱内且介于所述上部与下部源极/漏极区域之间的沟道区域。所述晶体管还包含沿着所述沟道区域的栅极。字线与所述晶体管的所述栅极耦合。数字线与所述晶体管的所述下部源极/漏极区域耦合。可编程装置与所述晶体管的所述上部源极/漏极区域耦合。主体连接线位于所述字线上方且与所述字线平行地延伸。所述主体连接线具有穿透到所述竖直延伸半导体材料柱中的横向边缘。所述主体连接线具有不同于所述半导体材料柱的组成。
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公开(公告)号：CN114450803A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202080064284.4
申请日：2020-07-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L29/08 , H01L29/10 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L27/108
Abstract: 一些实施例包含具有半导体材料的集成组合件，所述半导体材料具有与较少掺杂区相邻的较多掺杂区。二维材料位于所述较多掺杂区与所述较少掺杂区的一部分之间。一些实施例包含集成组合件，所述集成组合件含有半导体材料、所述半导体材料之上的含金属材料，和所述半导体材料的一部分与所述含金属材料之间的二维材料。一些实施例包含晶体管，所述晶体管具有第一源极/漏极区、第二源极/漏极区、所述第一源极/漏极区与所述第二源极/漏极区之间的沟道区，和所述沟道区与所述第一源极/漏极区之间的二维材料。
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公开(公告)号：CN110785843A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201880040047.7
申请日：2018-07-23
Applicant: 美光科技公司
IPC: H01L27/07 , H01L27/108
Abstract: 一些实施例包含一种具有两个晶体管及一个电容器的存储器单元。所述晶体管是第一晶体管及第二晶体管。所述电容器具有与所述第一晶体管的源极/漏极区耦合的第一节点，且具有与所述第二晶体管的源极/漏极区耦合的第二节点。所述存储器单元具有与所述第一晶体管的所述源极/漏极区相邻的第一主体区，且具有与所述第二晶体管的所述源极/漏极区相邻的第二主体区。第一主体连接线将所述存储器单元的所述第一主体区耦合到第一参考电压。第二主体连接线将所述存储器单元的所述第二主体区耦合到第二参考电压。所述第一参考电压及所述第二参考电压可彼此相同或可彼此不同。
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公开(公告)号：CN101288166B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200580025205.4
申请日：2005-07-25
Applicant: 美光科技公司
Inventor： C·穆利
IPC: H01L21/82 , H01L27/06 , H01L27/105
CPC classification number: H01L29/66666 , H01L21/8213 , H01L27/105 , H01L27/10826 , H01L27/10873 , H01L27/10879 , H01L29/1054 , H01L29/1608 , H01L29/165 , H01L29/41783 , H01L29/4236 , H01L29/7827 , H01L29/785 , Y10S438/931
Abstract: 存储器件包括存储单元阵列和外围器件。独立存储单元中的至少一些包括包含SiC的碳化部分。至少一些外围器件不包括任何碳化部分。晶体管包括第一源/漏极，第二源/漏极，在第一和第二源/漏极之间的包括包含SiC的半导电衬底的碳化部分的沟道以及在操作上与该沟道的相对侧相关联的栅极。
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