公开(公告)号：CN106024660B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201610176740.X

申请日：2016-03-25

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉里·赵 ,  阿图·克里克斯 ,  普拉文·纳拉

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明涉及使用无电沉积以突出杂质、残留和不完全导孔蚀刻。一种用于检测图案化衬底上的杂质的方法包括：在衬底上进行通孔蚀刻操作，其中所述通孔蚀刻操作被配置为限定衬底上的通孔特征并暴露在通孔特征的底部的蚀刻终止层；在衬底上进行蚀刻终止去除操作，其中所述蚀刻终止去除操作被配置为用于除去通孔特征的底部的蚀刻终止层，以暴露在蚀刻终止层下的金属特征；将无电沉积溶液施加在衬底上，所施加的无电沉积溶液被配置为用于在所暴露的金属特征上以及在衬底的所暴露的表面上的金属杂质上选择性地沉积金属材料，所述金属杂质是在蚀刻终止去除操作过程中由金属特征产生的；在衬底上进行检测操作以确定已经沉积有金属材料的金属杂质。

公开(公告)号：CN105132979B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510296345.0

申请日：2015-06-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿图·克里克斯

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L23/528 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1633 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1664 ,  C25D5/02 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266

Abstract: 本发明涉及用于优化电阻性衬底的电镀性能的晶片边缘的金属化，具体提供了一种用于电镀衬底的方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底具有在所述衬底的顶表面上设置的导电层，所述衬底的所述顶表面具有边缘排除区和处理区；在使所述衬底旋转的同时引导无电沉积溶液流朝向所述边缘排除区，以在所述边缘排除区处的所述导电层上镀敷金属材料；使所述无电沉积溶液流持续一段时间，以在所述边缘排除区产生所述金属材料的增大了的厚度，其中所述金属材料的所述增大了的厚度减小在所述边缘排除区的所述金属材料的电阻；在所述金属材料上施加电触件，以及在向所述衬底的所述处理区上施加电镀溶液时，经由所述电触件施加电流到所述金属材料。

公开(公告)号：CN105132979A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510296345.0

申请日：2015-06-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿图·克里克斯

IPC: C25D7/12

CPC classification number: H01L23/528 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1633 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1664 ,  C25D5/02 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266

Abstract: 本发明涉及用于优化电阻性衬底的电镀性能的晶片边缘的金属化，具体提供了一种用于电镀衬底的方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底具有在所述衬底的顶表面上设置的导电层，所述衬底的所述顶表面具有边缘排除区和处理区；在使所述衬底旋转的同时引导无电沉积溶液流朝向所述边缘排除区，以在所述边缘排除区处的所述导电层上镀敷金属材料；使所述无电沉积溶液流持续一段时间，以在所述边缘排除区产生所述金属材料的增大了的厚度，其中所述金属材料的所述增大了的厚度减小在所述边缘排除区的所述金属材料的电阻；在所述金属材料上施加电触件，以及在向所述衬底的所述处理区上施加电镀溶液时，经由所述电触件施加电流到所述金属材料。

公开(公告)号：CN108396351A

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201810309409.X

申请日：2015-06-02

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 阿图·克里克斯

IPC: C25D7/12 ,  C23C18/16 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L23/528 ,  C23C18/161 ,  C23C18/1628 ,  C23C18/163 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1633 ,  C23C18/1653 ,  C23C18/1664 ,  C25D5/02 ,  C25D7/00 ,  C25D7/12 ,  H01L21/02021 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53266

Abstract: 本发明涉及用于优化电阻性衬底的电镀性能的晶片边缘的金属化，具体提供了一种用于电镀衬底的方法，该方法包括：提供衬底，所述衬底具有在所述衬底的顶表面上设置的导电层，所述衬底的所述顶表面具有边缘排除区和处理区；在使所述衬底旋转的同时引导无电沉积溶液流朝向所述边缘排除区，以在所述边缘排除区处的所述导电层上镀敷金属材料；使所述无电沉积溶液流持续一段时间，以在所述边缘排除区产生所述金属材料的增大了的厚度，其中所述金属材料的所述增大了的厚度减小在所述边缘排除区的所述金属材料的电阻；在所述金属材料上施加电触件，以及在向所述衬底的所述处理区上施加电镀溶液时，经由所述电触件施加电流到所述金属材料。

公开(公告)号：CN106024660A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610176740.X

申请日：2016-03-25

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 拉里·赵 ,  阿图·克里克斯 ,  普拉文·纳拉

IPC: H01L21/66

CPC classification number: H01L22/12 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76879 ,  H01L22/24

Abstract: 本发明涉及使用无电沉积以突出杂质、残留和不完全导孔蚀刻。一种用于检测图案化衬底上的杂质的方法包括：在衬底上进行通孔蚀刻操作，其中所述通孔蚀刻操作被配置为限定衬底上的通孔特征并暴露在通孔特征的底部的蚀刻终止层；在衬底上进行蚀刻终止去除操作，其中所述蚀刻终止去除操作被配置为用于除去通孔特征的底部的蚀刻终止层，以暴露在蚀刻终止层下的金属特征；将无电沉积溶液施加在衬底上，所施加的无电沉积溶液被配置为用于在所暴露的金属特征上以及在衬底的所暴露的表面上的金属杂质上选择性地沉积金属材料，所述金属杂质是在蚀刻终止去除操作过程中由金属特征产生的；在衬底上进行检测操作以确定已经沉积有金属材料的金属杂质。