公开(公告)号：CN107534044A

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201580078966.X

申请日：2015-05-18

申请人： 英特尔公司

发明人： K·J·李 ,  王奕 ,  E·N·谭

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  G11C5/06

CPC分类号： H01L45/1683 ,  G11C5/063 ,  G11C11/161 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10826 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10879 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08

摘要： 描述了一种装置，包括：与晶体管栅极非正交的非正交晶体管鳍状物；具有非直角边的扩散接触部，扩散接触部耦合到非正交晶体管鳍状物；第一过孔；以及至少一个存储器元件，其通过第一过孔中的至少一个耦合到扩散接触部中的至少一个。

公开(公告)号：CN103890940B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201180074420.9

申请日：2011-10-28

申请人： 英特尔公司

发明人： K·J·李 ,  M·T·博尔 ,  A·W·杨 ,  C·M·佩尔托 ,  H·科塔里 ,  S·V·萨蒂拉朱 ,  H-S·马

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/14

CPC分类号： H01L23/5384 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/481 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/5386 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/13 ,  H01L24/17 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/0235 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/17106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/186 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

摘要： 说明了一种3D互连结构和制造方法，其中，使用双镶嵌型工艺流程形成穿硅过孔(TSV)和金属再分布层(RDL)。可以在减薄的器件晶片背侧和RDL之间提供氮化硅或碳化硅钝化层，以在工艺流程过程中提供密封屏障和蚀刻停止层。

公开(公告)号：CN103988299B

公开(公告)日：2016-10-26

申请号：CN201180075117.0

申请日：2011-09-30

申请人： 英特尔公司

发明人： K·J·李

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11001 ,  H01L2224/1183 ,  H01L2224/1184 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/27003 ,  H01L2224/271 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/27848 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81204 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/11848 ,  H01L21/304

摘要： 描述了在穿硅过孔(TSV)处理期间操纵器件晶片的结构和方法，其中使用永久热固性材料来将器件晶片接合到临时支撑衬底。当移除临时支撑衬底后，暴露出包括回流焊料凸起和永久热固性材料的平面前侧接合表面。

公开(公告)号：CN106030771A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201480076270.9

申请日：2014-03-24

申请人： 英特尔公司

发明人： K·J·李

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/53209 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2225/06544

摘要： 公开了用于在半导体管芯中形成穿体过孔(TBV)的技术。根据某些实施例，使用所公开的技术提供的TBV包括基于聚合物的阻挡层和导电晶种层，其通过将导电油墨直接施加至阻挡层并随后原位固化它而形成。在某些实施例中，在固化之后，得到的晶种层可以是薄的、基本上共形的、导电的金属膜，在该金属膜上方可以沉积TBV的互连金属。在某些示例性情形下，聚酰亚胺、聚对二甲苯、苯并环丁烯(BCB)、和/或聚碳酸亚丙酯(PPC)阻挡层和基于纳米颗粒的或基于金属络合物的制剂的含有铜(Cu)和/或银(Ag)的油墨可以用于形成TBV。在某些实例中，所公开的技术可以用于解决与现有的基于物理气相沉积(PVD)的远后端(FBEOL)工艺相关联的显著的差的台阶覆盖、低运行率、和/或高成本问题。

公开(公告)号：CN101981672B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN200980110705.6

申请日：2009-06-08

申请人： 英特尔公司

发明人： K·J·李

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/013

摘要： 一种用于微电子器件的多层厚金属化结构，包括：第一阻障层(111)、在所述第一阻障层上的第一金属层(112)、在所述第一金属层上的第一钝化层(113)、延伸穿过所述第一钝化层的通孔结构(114)、在所述第一钝化层上和在所述通孔结构中的第二阻障层(115)、在所述第二阻障层上的第二金属层(116)以及在所述第二金属层和所述第一钝化层上的第二钝化层(117)。

公开(公告)号：CN101536173A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200780041588.3

申请日：2007-10-29

申请人： 英特尔公司

发明人： J·何 ,  K·J·李 ,  K·S·加德里 ,  S·M·乔希

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/525 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76886 ,  H01L21/76888 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02333 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/116 ,  H01L2224/11912 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2224/05552

摘要： 一种集成电路装置，包括：具有多个形成在其上的器件的半导体基板；对所述多个器件进行互连的一个或多个金属化层；以及键合焊盘，其形成在所述一个或多个金属化层之上且电耦合到所述金属化层中的至少一个。第一钝化层形成在所述键合焊盘之上和所述金属化层之上，且重新分配互连形成在所述钝化层之上。穿过所述第一钝化层形成的第一通孔将所述重新分配互连电耦合到所述键合焊盘。第二钝化层形成在所述重新分配互连上以防止热机械性能劣化且改善电迁移性能。电介质层形成在所述第二钝化层上且管芯侧凸块形成在所述电介质层之上。穿过所述电介质层且穿过所述第二钝化层形成的第二通孔将所述管芯侧凸块电耦合到所述重新分配互连。

公开(公告)号：CN106716636B

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN201480081235.6

申请日：2014-09-17

申请人： 英特尔公司

发明人： K·J·李 ,  R·萨拉斯沃特 ,  U·齐尔曼 ,  V·B·拉奥 ,  T·伦-拉森 ,  N·P·考利

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/60 ,  B81B7/02

摘要： 本公开内容的实施例描述了具有使用穿硅过孔(TSV)和相关联的技术和构造的集成麦克风设备的管芯。在一个实施例中，一种装置包括具有第一侧和被设置为与第一侧相对的第二侧的半导体衬底，形成在半导体衬底的第一侧上的互连层，形成为穿过半导体衬底并且被配置为在半导体衬底的第一侧与半导体衬底的第二侧之间传送电信号的穿硅过孔(TSV)，以及形成在半导体衬底的第二侧上并与TSV电气耦合的麦克风器件。可以描述和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN108320769A

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201810132259.X

申请日：2013-03-15

申请人： 英特尔公司

发明人： K·J·李 ,  T·加尼 ,  J·M·施泰格瓦尔德 ,  J·H·埃普尔 ,  王奕

IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 实施例将诸如自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)等的存储器集成在逻辑芯片内。STT-MRAM包括：磁性隧道结(MTJ)，其具有上MTJ层、下MTJ层、以及直接接触所述上MTJ层和所述下MTJ层的隧道势垒；其中，所述上MTJ层包括上MTJ层侧壁，并且所述下MTJ层包括与所述上MTJ层水平偏移开的下MTJ侧壁。另一个实施例包括：存储器区域，其包括MTJ；以及逻辑区域，其位于衬底上；其中，水平面与所述MTJ相交，第一层间电介质(ILD)材料与所述MTJ相邻，并且第二ILD材料包括在所述逻辑区域中，所述第一和第二ILD材料彼此不等同。本文中还描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN104995683B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201380073040.2

申请日：2013-03-15

申请人： 英特尔公司

发明人： K·J·李 ,  T·加尼 ,  J·M·施泰格瓦尔德 ,  J·H·埃普尔 ,  王奕

IPC分类号： G11C11/16 ,  H01L43/12 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L27/222 ,  G11C11/161 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： 实施例将诸如自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT‑MRAM)等的存储器集成在逻辑芯片内。STT‑MRAM包括：磁性隧道结(MTJ)，其具有上MTJ层、下MTJ层、以及直接接触所述上MTJ层和所述下MTJ层的隧道势垒；其中，所述上MTJ层包括上MTJ层侧壁，并且所述下MTJ层包括与所述上MTJ层水平偏移开的下MTJ侧壁。另一个实施例包括：存储器区域，其包括MTJ；以及逻辑区域，其位于衬底上；其中，水平面与所述MTJ相交，第一层间电介质(ILD)材料与所述MTJ相邻，并且第二ILD材料包括在所述逻辑区域中，所述第一和第二ILD材料彼此不等同。本文中还描述了其它实施例。

公开(公告)号：CN105684140A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201380077033.X

申请日：2013-06-29

申请人： 英特尔公司

发明人： K·J·李 ,  J·Y·郑 ,  H-K·张 ,  J·缪尔海德 ,  A·特朗 ,  P·普瑞 ,  J·姜 ,  N·M·帕特尔

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L23/48

摘要： 本文描述了3D互连结构及其制造方法，其中，金属再分布层(RDL)与穿硅过孔(TSV)一起被集成，并采用了“穿过抗蚀剂镀覆”型工艺流程。氮化硅或碳化硅钝化层可被供于减薄器件晶片背面和RDL之间，从而在工艺流程期间提供密封阻隔和抛光停止层。