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1.

发明授权
金属凸块接合结构有权

公开(公告)号：CN103779297B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310055099.0

申请日：2013-02-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林俊成

IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/17 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/023 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05082 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/11 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/116 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13655 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/175 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/0105 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00

摘要： 一种结构包括具有第一金属凸块的第一半导体芯片和具有第二金属凸块的第二半导体芯片。该结构还包括电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的焊料接合结构，其中焊料接合结构包括位于第一金属凸块和第二金属凸块之间的金属间化合物区域，其中金属间化合物区域具有第一高度尺寸；和沿着第一金属凸块和第二金属凸块的外壁形成的围绕部分，其中围绕部分具有第二高度尺寸，并且第二高度尺寸大于第一高度尺寸。本发明提供了金属凸块接合结构。

2.

发明授权
插柱和穿透互连方式有权

公开(公告)号：CN103346134B

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201210359588.0

申请日：2006-06-14

申请人： 丘费尔资产股份有限公司

发明人： 约翰·特雷扎 , 约翰·卡拉汉 , 格雷戈里·杜多夫

IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768 , H01L21/603 , H01L25/065

CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/427 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/488 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68345 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2223/6616 , H01L2223/6622 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/114 , H01L2224/1147 , H01L2224/116 , H01L2224/11912 , H01L2224/13012 , H01L2224/13021 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13184 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13609 , H01L2224/16146 , H01L2224/16237 , H01L2224/24226 , H01L2224/45111 , H01L2224/75 , H01L2224/75305 , H01L2224/81001 , H01L2224/81011 , H01L2224/81054 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81825 , H01L2224/81894 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06531 , H01L2225/06534 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2225/06596 , H01L2924/00013 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/183 , H01S5/18308 , H01S2301/176 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 本发明公开了插柱和穿透互连方式。一种物理地和电气地互连两个芯片的方法，包括：将第一芯片上的导电触点与第二芯片上对应的导电触点对准，该第一芯片的导电触点为刚性材料，该第二芯片的导电触点为与该刚性材料相对的韧性材料；使对准的该第一芯片上的导电触点与该第二芯片上相应的导电触点接触；将该第一和第二芯片的触点提高至低于至少该刚性材料的液化温度，同时向该第一和第二芯片施加足够的压力，以使该刚性材料穿透该韧性材料从而形成两者之间的导电连接；以及在形成导电连接之后，冷却该第一和第二芯片的触点至环境温度。

3.

发明授权
芯片连接方法有权

公开(公告)号：CN103178031B

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201310019765.5

申请日：2006-06-14

申请人： 丘费尔资产股份有限公司

发明人： 约翰·特雷扎 , 约翰·卡拉汉 , 格雷戈里·杜多夫

IPC分类号： H01L23/48 , H01L23/498 , H01L23/552 , H01L23/427 , H01L25/065 , H01L21/768 , H01L21/683 , H01L21/48 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/4853 , H01L21/6835 , H01L21/76898 , H01L23/427 , H01L23/48 , H01L23/481 , H01L23/488 , H01L23/49827 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L23/66 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/24 , H01L24/75 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/68345 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2223/6616 , H01L2223/6622 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/114 , H01L2224/1147 , H01L2224/116 , H01L2224/11912 , H01L2224/13012 , H01L2224/13021 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13184 , H01L2224/1358 , H01L2224/136 , H01L2224/13609 , H01L2224/16146 , H01L2224/16237 , H01L2224/24226 , H01L2224/45111 , H01L2224/75 , H01L2224/75305 , H01L2224/81001 , H01L2224/81011 , H01L2224/81054 , H01L2224/81136 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/81204 , H01L2224/81825 , H01L2224/81894 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2225/06513 , H01L2225/06524 , H01L2225/06531 , H01L2225/06534 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2225/06593 , H01L2225/06596 , H01L2924/00013 , H01L2924/01002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0422 , H01S5/0425 , H01S5/183 , H01S5/18308 , H01S2301/176 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

摘要： 一种将第一晶片上的第一接触点与第二晶片上的第二接触点电连接的方法，第一接触点包括刚性材料，第二接触点包括相对于该刚性材料为韧性的材料，因此当叠在一起时刚性材料将穿进韧性材料，该刚性和韧性材料都是导电材料，所述方法涉及使刚性材料与韧性材料接触，向第一接触点或第二接触点中的一个接触点施加力从而使刚性材料穿进韧性材料，加热刚性和韧性材料从而使韧性材料软化，和将韧性材料限制到预定区域内。

4.

发明公开
金属凸块接合结构有权

公开(公告)号：CN103779297A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310055099.0

申请日：2013-02-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 林俊成

IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/17 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/023 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05082 , H01L2224/05558 , H01L2224/05572 , H01L2224/11 , H01L2224/1145 , H01L2224/1146 , H01L2224/11462 , H01L2224/116 , H01L2224/13 , H01L2224/13022 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13084 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/13169 , H01L2224/13655 , H01L2224/1601 , H01L2224/16058 , H01L2224/16145 , H01L2224/16148 , H01L2224/16238 , H01L2224/16503 , H01L2224/175 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2924/0105 , H01L2924/0132 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/00

摘要： 一种结构包括具有第一金属凸块的第一半导体芯片和具有第二金属凸块的第二半导体芯片。该结构还包括电连接第一半导体芯片和第二半导体芯片的焊料接合结构，其中焊料接合结构包括位于第一金属凸块和第二金属凸块之间的金属间化合物区域，其中金属间化合物区域具有第一高度尺寸；和沿着第一金属凸块和第二金属凸块的外壁形成的围绕部分，其中围绕部分具有第二高度尺寸，并且第二高度尺寸大于第一高度尺寸。本发明提供了金属凸块接合结构。

5.

发明公开
同时的晶圆结合及互连接合有权

公开(公告)号：CN103370784A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201180067909.3

申请日：2011-04-01

申请人： 德塞拉股份有限公司

发明人： 瓦格·奥甘赛安 , 贝勒卡西姆·哈巴 , 伊利亚斯·默罕默德 , 皮尤什·萨瓦利亚 , 克雷格·米切尔

IPC分类号： H01L21/98 , H01L25/065

CPC分类号： H01L25/00 , H01L23/481 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05186 , H01L2224/0519 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/0613 , H01L2224/06131 , H01L2224/06135 , H01L2224/06505 , H01L2224/116 , H01L2224/13023 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/136 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/276 , H01L2224/29023 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29109 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/32148 , H01L2224/32238 , H01L2224/73103 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/8123 , H01L2224/81815 , H01L2224/8183 , H01L2224/83191 , H01L2224/83193 , H01L2224/8323 , H01L2224/83815 , H01L2224/8383 , H01L2224/9202 , H01L2224/9221 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01029 , H01L2924/09701 , H01L2924/14 , H01L2924/35 , H01L2924/014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/05552 , H01L2924/00012 , H01L2924/00

摘要： 本发明公开了两元件(100,200)的微电子组件(300)及其形成方法。微电子元件(100)包括主表面(102)、及在主表面(102)暴露的介电层(120)和至少一个结合垫(110)。微电子元件(100)可包含复数个有源电路元件。第一金属层(130)沉积为覆盖至少一个结合垫(110)和介电层(120)。提供了具有第二金属层(230)沉积于其上的第二元件(200)，第一金属层(130)与第二金属层(230)接合。组件(300)可沿切割线(301)切割为单独的单元，每个都包括芯片。

6.

发明公开
半导体结构及其制法无效

公开(公告)号：CN102769006A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201110130913.1

申请日：2011-05-16

申请人： 矽品精密工业股份有限公司

发明人： 林怡宏 , 李孟宗 , 高穗安 , 陈宜兴 , 简丰隆

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60 , H01L23/00

CPC分类号： H01L24/11 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/0361 , H01L2224/03622 , H01L2224/039 , H01L2224/03901 , H01L2224/03903 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/05166 , H01L2224/0556 , H01L2224/05564 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/11462 , H01L2224/116 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00014 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/0132 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2224/0347 , H01L2224/1161 , H01L2224/05552

摘要： 一种半导体结构及其制法，所述制法是先提供具有电性连接垫的晶片，且于该电性连接垫上形成钛层，并敷设介电层于晶片及部分钛层上，接着，形成铜层于该介电层及钛层上，再形成导电柱于对应钛层的铜层上，最后移除该导电柱未覆盖的铜层。由先形成钛层，再形成介电层，所以当移除铜层时，该介电层上不具有钛层，因而该钛层不会被蚀刻，使钛层不会产生底切现象，因而可以提升导电柱的支撑度，因而提升产品的信赖性。

7.

发明授权
半导体芯片、显示屏板及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN1921095B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200610121558.0

申请日：2006-08-22

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 赵源九 , 姜镐民

IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/48 , H01L21/60

CPC分类号： H01L23/3171 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05572 , H01L2224/05666 , H01L2224/10145 , H01L2224/10175 , H01L2224/11 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13 , H01L2224/13012 , H01L2224/13016 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/16 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/81903 , H01L2224/83136 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0781 , H01L2924/12041 , H01L2924/12044 , H01L2924/19041 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2924/00

摘要： 一种半导体芯片及其制造方法，所述半导体芯片包括多个连接至集成在半导体基板上的驱动电路的凸块和设置在所述驱动电路上的有机绝缘层。所述有机绝缘层自所述半导体基板的延伸小于所述多个凸块，使得所述多个凸块的下边缘比所述有机绝缘层伸出得更远。所述多个凸块通过包括导电颗粒的各向异性导电膜连接到形成于下基板上的电极焊盘。

8.

发明公开
电子器件及电子设备失效

公开(公告)号：CN102157475A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110047069.6

申请日：2008-08-19

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 田中秀一

IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/488

CPC分类号： H01L24/13 , G02F1/1345 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/05001 , H01L2224/05024 , H01L2224/05026 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05548 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13008 , H01L2224/13099 , H01L2224/1319 , H01L2224/136 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/73204 , H01L2224/75252 , H01L2224/812 , H01L2224/81801 , H01L2224/83192 , H01L2224/838 , H01L2224/83851 , H01L2924/0001 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929

摘要： 本发明提供一种即便发生温度变化也可以良好地保持导电接触状态并防止恶化的电子器件及电子设备。电子器件(100)具有：半导体装置(1)，其包括形成了电极的半导体芯片(10)、在半导体芯片(10)的形成了所述电极的面上形成为突条的树脂突起(20)、和包含在树脂突起(20)上排列的多个电连接部(32)并与所述电极电连接的布线；和布线基板(2)，其具有布线图案(44)；半导体装置(1)搭载于布线基板(2)上，通过使电连接部(32)与布线图案(44)相接触而电连接，与布线图案(44)相接触的多个电连接部(32)形成为包含向树脂突起(20)的长度方向突出的弯曲或折曲形状。

9.

发明授权
具有用于键合的相邻贮存器的半导体互连及形成方法有权

公开(公告)号：CN101496166B

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200680051815.6

申请日：2006-12-07

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： R·查特杰

IPC分类号： H01L23/48

CPC分类号： H01L21/76885 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L25/50 , H01L2224/114 , H01L2224/116 , H01L2224/13021 , H01L2224/13099 , H01L2224/812 , H01L2224/81801 , H01L2225/06513 , H01L2924/0001 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/19043

摘要： 半导体器件(10)和方法，具有带邻接贮存器开口(44、46、48)的互连(38、40、42)。电介质层(20)作为一个或多个互连层(18)的最顶部的一部分形成。在电介质层中形成的开口(30)导致沿开口侧壁部分形成电介质层的修改部分(32)。开口填充有导电材料，例如金属。电介质层(20)的暴露部分(22)被除去以便形成在电介质层上延伸的导电材料的凸出焊盘(38、40、42)。贮存器开口是通过除去电介质层的修改部分而靠近凸出焊盘形成的。当半导体器件与另一个器件(100)，晶片或芯片，键合在一起时，横向流动的金属集中在贮存器开口中并保证半导体器件与另一器件之间实现可靠的电气连接。